單片開關(guān)電源芯片器件中集成了高壓功率開關(guān)管以及初級側(cè)和次級側(cè)控制器。特別是InnoSwitch開關(guān)有進一步增加了同步整流管功能和準(zhǔn)諧振(QR)反激式控制器，其架構(gòu)采用一種使用封裝引線框和鍵合線構(gòu)成的創(chuàng)新性磁感耦合反饋機制(FluxLink)，不需要了外部的光耦器件。提供一種安全可靠且高性價比的控制方式，從次級側(cè)控制器向初級控制器傳遞精確的輸出電壓和輸出電流信息。

         InnoSwitch3-EP中的初級控制器是準(zhǔn)諧振(QR)反激式控制器，包括頻率調(diào)制振蕩器、725 V功率MOSFET，磁感耦合電路。次級控制器包括接收器電路，恒壓(CV)及恒流(CC)控制電路、次級旁路基準(zhǔn)穩(wěn)壓器、同步整流管FET驅(qū)動器。反饋方式采用內(nèi)部集成的FluxLink?技術(shù)，能滿足高壓絕絕緣要求、把次級控制器信號磁感耦合至初級接收器的調(diào)制振蕩電路。