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◆RM6312D是一種離線式開關電源管理芯片，內置高壓MOSFET及電流模式PWM+PFM控制器，滿足六級能效標準。
◆RM6312D采用低電流啟動模式，最低工作電流可過到600uA，減少待機損耗。芯片內置多種工作模式，在輕載情況下，芯片進入 Burst mode 模式，消除變壓器的音頻噪音，提高轉換效率；在待機模式下，電路進入打嗝模式，有效降低電路的待機功耗。內部集成斜坡補償模塊，在 90V-264V 輸入時有效的補償輸出功率，保證輸出功率的恒定。
◆芯片內部集成多種異常狀態保護功能，包括欠壓鎖定，過壓保護，過載保護，CS過流和懸空保護，過溫保護功能。在電路發生異常時，芯片進入保護狀態并自動重啟檢測，直至異常解除為止，輸出正常。
◆RM6312D采用DIP-8封裝。
一，方案原理圖
二，DEMO圖，板尺寸：50mm×30mm
三：基本性能測試
四：能效測試
