插樓

第一種電路如圖1(a)，根據(jù)正激、反激的臨界增益特性曲線繪圖如下：

                                        圖2  正激、反激增益曲線對比

如圖2所示，在相同占空比下反激的臨界曲線位于正激之上，說明正激電路始終工作于DCM模式無論參數(shù)如何設置。一般正激電路希望工作在CCM模式所以選用圖1(b)這種電路通過改變匝比來實現(xiàn)正激電路的CCM模式：

                                       圖3 不同匝比增益曲線對比

如圖3如果將正激的次級匝數(shù)設為反激的2倍則在占空0.5以下可實現(xiàn)反激DCM正激CCM。

正激、反激兩種電路組合到一起后二者的特性也會被保留了下來，CCM的正激決定了輸出電壓，輸出電壓及反激匝比決定了反射電壓，相對于普通反激這種組合式電路的反射電壓更高（圖3例子中為2倍關系），想要降反射電壓只能降低占空比見下圖：

                               圖4 占空比與匝比及反射電壓的關系

圖4中最大占空比設置為0.5時反射電壓=輸入電壓=300V，預設反射電壓為100V則最大占空比不能超過0.25（其中kfb表示正激的次級匝數(shù)與反激的次級匝數(shù)之比）。

反射電壓的設置可以參考下圖：

                 圖5 鉗位電壓、反射電壓之比與漏感損耗的關系

一般參考資料會建議鉗位電壓與反射電壓之比>1.3倍，如果取1.3則MOS管的Vds=Vin+(1+1.3)*Vor=300+230=530（適用600V的MOS管），但在正反激應用中取Vor=100V時最大占空比不能超過0.25，估計這個原因限制了這種正反激電路的應用。

初級總是有漏感的，為了場管安全吸收回路終歸是免不了，次級又多了繞組和電感，所以成本又低在哪？而效率又不見占優(yōu)，這個拓樸能有什么前途

這種拓撲相當于一個正激+一個反激同時工作，次級多繞組和電感并不會增加成本（正激+反激的成本），反而利用反激的去磁省掉了正激初級側的復位線圈從而降低了成本（正激的勵磁電感也就是反激電感不需要設置的很大）。漏感的吸收是另一回事，硬開關拓撲都需要加吸收回路。

問題放到后面再解決，先分析電感量的設計。勵磁電感和續(xù)流電感的大小將會影響正激和反激在電路所占的功率份額。

反激電路因工作于DCM模式所以只要知道占空比和開關周期就能列出感量與能量的關系，再由總功率減去反激功率得出正激電路所需處理的功率，最后由電流紋波率算出續(xù)流電感的大小，具體計算過程如下：

 

分別取反激功率比重20%，40%，50%繪制出電流波形如下：

 

                                        圖6 不同比例的正、反激電流波形

坐等更新，好好學習才能天天向上。

可以結合圖1的(a)、(b)兩個電路使正、反激共用輸出繞組以提高線圈的利用率（正激、反激分時復用）。

                        圖7正、反激共用輸出繞組電路

圖7電路多用了一個續(xù)流二極管，如果占空比大于50%可以省掉這個二極管，是否還有其它結構能少用二極管的？

之前討論的正反激組合電路是輸出并聯(lián)組合，還有一種是輸出串聯(lián)組合的，仿真發(fā)現(xiàn)這種串聯(lián)組合不僅可以正激、反激同時工作于CCM模式并且正激電路可以省去續(xù)流二極管，電路如下：

                               圖2-1 輸出串聯(lián)正、反激組合電路

為方便分析初級采用雙管驅動（鉗位電壓等于輸入電壓）。

不同參數(shù)下的電流波形如下，其中右圖是加有續(xù)流二極管的：

                                圖2-2 串流模式不同參數(shù)下的電流波形

這種輸出正反激串聯(lián)組合電路的等效電路如下：

                                   圖2-3 輸出正反激串聯(lián)組合等效電路

為簡化分析變壓器的匝比設置為1:1，其中黃色的二極管在不同設計參數(shù)下有選擇的使用。

從圖2-2可見輸出串聯(lián)的正反激組合電路在CCM模式下也分為兩種情況，

第一種情況，

                                       圖2-4-1 情況1勵磁電流大于續(xù)流電流

對應的電流波形如下：

                          圖2-4-2 情況1電流波形

上圖中三個區(qū)域分別對應圖2-4-1中的三個電路。

第二種情況，

                             圖2-4-3 情況2勵磁電流小于續(xù)流電流

對應的電流波形如下：

                          圖2-4-4情況2電流波形

同樣三個區(qū)域對應圖2-4-3的三個電路。

功率、輸出電壓和電路參數(shù)不變，占空比分別為0.15、0.25、0.35時的電流波形如下(Lm=400uH，Lo=200uH)：

                            圖2-4-5 恒功等壓輸出不同占空比電流波形

如圖所示兩種工作狀態(tài)之間有個過渡狀態(tài)（或稱臨界狀態(tài)），臨界占空比與兩個電感的比值有關：

                       圖2-4-6 臨界占空比與電感的關系

進一步得出了包含三種工作狀態(tài)的直流增益特性曲線：

                   圖2-4-7 輸出串聯(lián)正反激直流增益特性曲線

方程經(jīng)整理簡化后得到臨界占空比方程：

 

直流增益包含兩部分，在臨界占空比處切換，方程如下：

，mathcad源文件可否分享，謝謝

支持高手一下！

這種方案在MOS管關斷時，正激繞組續(xù)流電流會耦合到原邊，使得關斷時MOS管的應力尖峰很高。

不會的

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文件有點亂、也沒整理，湊合著看。