金譽半導體原廠，迪浦電子原廠
PT8205 
20 v雙n溝道增強型MOSFET 65 VDS = 20 v 特性 先進的海溝過程技術 高密度超單元設計低導通電阻 高功率和電流處理能力 理想的鋰離子電池組的應用程序 最大的評級和熱特性(TA = 25攝氏度除非另有注明) 參數(shù)符號限制單元 漏源極電壓VDS公司20 Gate-Source電壓vg±12 V 連續(xù)漏電流ID 6 脈沖漏極電流1)IDM 20 一個 TA = 25啊 C 1.6 最大功耗 TA = 75 o C Pd 1 W 操作結(jié)和存儲溫度范圍TJ,測試-55 - 150 o C Junction-to-Ambient熱阻(PCB安裝)2)RθJA 78 o C / W 1234 8765 D1 S1 S1 G1 D2 S2 S2 G2 毫米毫米 REF。 分鐘。馬克斯。 REF。 分鐘。馬克斯。 1.20馬克斯。E1 A2 0.80 1.05 0.45 b C 0.90 - 0.20 D 2.90 - 3.00 。A1 0.05 - 0.15 0.19 - 0.30 6.40 E二元同步通信 4.30 - 4.50 0.65 e二元同步通信 θ0°10° L 0.75 TSSOP-8 筆記 脈沖寬度限制最大連接
PT8205 MOS
20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
6
5
VDS= 20V
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
High Power and Current handing capability
Ideal for Li ion battery pack applications
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 20
Gate-Source Voltage VGS ±12
V
Continuous Drain Current ID 6
Pulsed Drain Current
電話13682379002
541777848
