1：RM9001DA(DB)簡介
RM9001DB 是在 RM9001DA 的基礎上改變封裝形式，目的是在多顆芯片并聯的時
候，可以盡可能減少外圍的 0R 跳線電阻。RM9001DA 可以應用在小功率的有諧波要求的
方案上，成本較 RM9001DB 便宜，大功率投光燈方案建議使用 RM9001DB-ESOP16 方案，
系統成本更低。
芯片具有功率補償功能，可以實現高壓（180V-260V）,低壓（90V-150V）輸入電
壓變化時，功率保持恒定。
芯片輸出電流為正弦電流波形，THD 參數可以滿足 IEC-61000-3-2(C 級)要求。
芯片過溫保護點（130℃），表面溫度。
2:封裝方案
封裝形式：RM9001DA - ESOP8，RM9001DB - ESOP16
3:RM9001DA 原理圖
4.RM9001DA(DB)功率調整
5. RM9001DA(DB) 雷擊浪涌設計
箔的寬度不要超過 LED 焊盤寬度，如下圖：
（EC1），容量 103/500V（or）1000V，可以提高 IC 的抗雷擊能力。
RM9001DA（DB）調整輸入功率僅僅通過調整一個電阻就可以，如圖中 CS1.計算方法如下
交流輸入端 FR1（保險電阻），可以根據實際客戶要求，決定是否需要添加，主要目
的是安規需要。
交流輸入端串聯的抗浪涌保護線繞電阻，如圖 FR2,FR3,可以明顯改善抗雷擊浪涌，
阻值越大，效果越明顯，但是電阻越大，功耗也越大。根據輸入電流，以計算，選取合適阻
值和功率的抗浪涌保護線繞電阻，并留適當的裕量。
大功率應用時，如果要通過更高要求的浪涌電壓，可以采取使用兩級壓敏，如:前級
使用 14D471,后級使用 10D471 方案。
大功率投光燈方案，L N->PE 也會有要求，線對殼體的耐壓測試主要考驗的是鋁基
板的耐壓，對鋁基板的耐壓要求很高，如果要測試 L N->PE，可以考慮使用高耐壓的鋁基
板，或者考慮在殼體和鋁基板之間增加導熱硅膠墊。
大功率投光燈方案在抗雷擊能力和傳導（EMI）方面，LED 及芯片的引腳銅箔面積增
加會導致抗雷擊和傳導（EMI）數據變差，在線路板布板的時候，保證通過電流的情況下銅
大功率投光燈應用時可以在芯片（RM9001DA）5 號腳對地接一個高壓貼片電容
6.RM9001DA(DB) 230V 15W 傳導測試數據
RM9001DA（DB） 方案應用不需要添加任何外圍器件，傳導輻射可以通過，并且裕
量很大。
