各位前輩
最近在看MOSFET SPEC時發(fā)現(xiàn)有一行是On-State Drain Current，不是很請清楚這是什麼？請問有知道的人可以幫忙解釋給小弟知道嗎？謝謝
MOSFET SPEC內(nèi)?On-State Drain Current?是什麼？
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@阿不里89
你好，MOS管的電流不是看ID嗎？[圖片]請問兩者的區(qū)別是什麼？謝謝
剛剛沒說清楚 MOS管有id(on) id和idm 這三個分別是導(dǎo)通漏極電流 連續(xù)漏電流和最大漏電流
id(on)就是你今天問的 on-state drain current 這個是有條件的 VGS=10V VDS=7.5V 你可以認為是這個狀態(tài)下的id 只會給一個下限
因為MOS管漏極電流Id與漏源電壓Vds和柵源電壓Vgs都有關(guān)系 比如 N溝道增強型MOS管 當(dāng)Vgs一定時，vds增大id一般也會增大 具體參考曲線圖
Id就是MOS管的連續(xù)漏極電流 一般滿足手冊上的VGS然后和溫度呈現(xiàn)非線性關(guān)系 idm就是最大的脈沖電流
所以你參考MOS管的載流能力的時候 都會考慮id(on) id和idm
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@dy-Pihfvr5I
剛剛沒說清楚MOS管有id(on)id和idm這三個分別是導(dǎo)通漏極電流 連續(xù)漏電流和最大漏電流 id(on)就是你今天問的on-statedraincurrent這個是有條件的VGS=10VVDS=7.5V你可以認為是這個狀態(tài)下的id只會給一個下限因為MOS管漏極電流Id與漏源電壓Vds和柵源電壓Vgs都有關(guān)系比如 N溝道增強型MOS管 當(dāng)Vgs一定時，vds增大id一般也會增大具體參考曲線圖Id就是MOS管的連續(xù)漏極電流一般滿足手冊上的VGS然后和溫度呈現(xiàn)非線性關(guān)系idm就是最大的脈沖電流 所以你參考MOS管的載流能力的時候都會考慮id(on)id和idm
謝謝您的解釋，但為何id(on)電流會大於idm的電流？idm不就是最大了嗎？
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@dy-Pihfvr5I
沒有啊idm一般都是最大的你仔細看看你的datasheet我不知道你的芯片型號所以不知道你的idm是多大
/upload/community/2021/01/08/1610083513-38962.pdf
您好，規(guī)格書如附件，您可以再幫忙解釋說明一下嗎？謝謝
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@阿不里89
/upload/community/2021/01/08/1610083513-38962.pdf您好，規(guī)格書如附件，您可以再幫忙解釋說明一下嗎？謝謝
你的PDF手冊上并沒有Pulsed Drain Current，也就是idm這項參數(shù) 我看了pdf 請參照figure.1來計算載流能力 例如：導(dǎo)通之后的電壓是5V，使用TTL控制的話，載流能力就是在1.5A左右。如果要考慮溫度，TEMPERATURE FIGURE也得仔細參考。極限情況下你也可以通過Rds(ON)來反推MOS管的工作情況。最后，除了id(on)和id，figure也是MOS管很重要的描述，看pdf的時候可以多加了解。
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