關(guān)於氮化鎵MOS管的問題.
氮化鎵MOS替換普通MOS,有並聯(lián)一個二極管,但還是會炸管,懷疑是LAOUT問題,誰有關(guān)於這個layout的注意事項可以分享一份?謝謝大神
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@glf680409
國內(nèi)投資100億做GaN的品牌只有英諾賽科一家，自產(chǎn)晶元，全球第一家用8寸做的。有興趣的私聊 價格目標平齊CoolMOS
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氮化鎵和碳化硅 MOSFET應用建議 （1）所應用系統(tǒng)由于某些原因必須工作于超過200KHz以上的頻率，首先碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；若工作頻率低于200KHz，兩者皆可使用； （2）所應用系統(tǒng)要求輕載至半載效率極高，首先氮化鎵晶體管，次選碳化硅MOSFET； （3）所應用系統(tǒng)工作最高環(huán)境溫度高，或散熱困難，或滿載要求效率極高，首選碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管； （4）所應用系統(tǒng)噪聲干擾較大，特別是門極驅(qū)動干擾較大，首選碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管； （5）所應用系統(tǒng)需要功率開關(guān)由較大的短路能力，首選碳化硅MOSFET； （6）對于其他無特殊要求的應用系統(tǒng)，此時根據(jù)散熱方式，功率密度，設(shè)計者對兩者的熟悉程度等因素來確定選擇哪種產(chǎn)品。 |
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