例如LM2596芯片,輸出1A5V的時候,DCDC的效率損失最主要的原因是什么?
是不是開關管的飽和壓降?
buck DCDC效率主要是損失在什么地方?
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@tanknet
LM2596這種雙極、低頻的爛片是應該淘汰的產(chǎn)品,這也拿出來分析.現(xiàn)在主流的是500KHz~4MHzMOS同步整流BuckMOS導通損耗、開關損耗:理想驅動的時候和導通損耗數(shù)值基本相同如果非同步整流,還有二極管導通損耗,肖特基管基本沒有開關損耗現(xiàn)在的鐵硅鋁、鐵氧體小電感損耗可忽略不計
越是老的東西越有值得分析的必要.對這些芯片的分析跟有助于對開關電源的原理的
理解.
LM2596淘汰了嗎?市場上多的是,需求量大的很.你說的現(xiàn)在流行的500K-4MHZ的芯
片輸出低電壓還不錯,輸出個3~5W功率就不錯,如果輸出10W+,效率90%都沒用
,就等著冒煙吧(開關集成的).
不同的領域用的芯片也不同,新產(chǎn)品不一定適合所有情況
理解.
LM2596淘汰了嗎?市場上多的是,需求量大的很.你說的現(xiàn)在流行的500K-4MHZ的芯
片輸出低電壓還不錯,輸出個3~5W功率就不錯,如果輸出10W+,效率90%都沒用
,就等著冒煙吧(開關集成的).
不同的領域用的芯片也不同,新產(chǎn)品不一定適合所有情況
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@zjp86834631
越是老的東西越有值得分析的必要.對這些芯片的分析跟有助于對開關電源的原理的理解.LM2596淘汰了嗎?市場上多的是,需求量大的很.你說的現(xiàn)在流行的500K-4MHZ的芯片輸出低電壓還不錯,輸出個3~5W功率就不錯,如果輸出10W+,效率90%都沒用,就等著冒煙吧(開關集成的).不同的領域用的芯片也不同,新產(chǎn)品不一定適合所有情況
別胡說,那是市場原因,因為大電流集成mosfet的芯片需求量少,而且現(xiàn)在封裝技術升級了,貼片分立mos可以做的很小
AOZ1014就是一例(4A 500khz)的
還有max8576這個遲滯模式的buck片,外掛雙nmos,頻率上到1mhz都每問題
AOZ1014就是一例(4A 500khz)的
還有max8576這個遲滯模式的buck片,外掛雙nmos,頻率上到1mhz都每問題
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@zjp86834631
越是老的東西越有值得分析的必要.對這些芯片的分析跟有助于對開關電源的原理的理解.LM2596淘汰了嗎?市場上多的是,需求量大的很.你說的現(xiàn)在流行的500K-4MHZ的芯片輸出低電壓還不錯,輸出個3~5W功率就不錯,如果輸出10W+,效率90%都沒用,就等著冒煙吧(開關集成的).不同的領域用的芯片也不同,新產(chǎn)品不一定適合所有情況
你知道2596在雙極器件中也算很爛嗎?
2596內(nèi)置的晶體管飽和壓降居然達到了1.1v,很多pnp管的壓降都是0.5v左右,如2sd882
更不用說隨處可見的小mosfet,3A的時候壓降不到0.1的都有
2596內(nèi)置的晶體管飽和壓降居然達到了1.1v,很多pnp管的壓降都是0.5v左右,如2sd882
更不用說隨處可見的小mosfet,3A的時候壓降不到0.1的都有
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@tanknet
你知道2596在雙極器件中也算很爛嗎?2596內(nèi)置的晶體管飽和壓降居然達到了1.1v,很多pnp管的壓降都是0.5v左右,如2sd882更不用說隨處可見的小mosfet,3A的時候壓降不到0.1的都有
麻煩你關注下輸入輸出高電壓的情況(工業(yè)應用)和外圍器件.還有價格.
輸入24V+,淘汰了80%以上的高效率芯片.壓差12V+輸出10W+,基本不能選用SOP封裝的MOS.
如果要選用控制芯片+T220 MOS的方案(效率也就80~85%),為什么不去選擇2576?
你說的那么些情況不適合高電壓輸入,壓差大的情況.這樣的情況效率不會有90%,做
到80%就不錯了.
輸入24V+,淘汰了80%以上的高效率芯片.壓差12V+輸出10W+,基本不能選用SOP封裝的MOS.
如果要選用控制芯片+T220 MOS的方案(效率也就80~85%),為什么不去選擇2576?
你說的那么些情況不適合高電壓輸入,壓差大的情況.這樣的情況效率不會有90%,做
到80%就不錯了.
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@tanknet
別胡說,那是市場原因,因為大電流集成mosfet的芯片需求量少,而且現(xiàn)在封裝技術升級了,貼片分立mos可以做的很小AOZ1014就是一例(4A500khz)的還有max8576這個遲滯模式的buck片,外掛雙nmos,頻率上到1mhz都每問題
麻煩你考慮下耗散.并不是導通電阻小,MOS的耗散就可以忽略.導通電阻小,只是相對比較小.如果我輸入壓差12V以上,輸出10W,效率85%.落在MOS管上的耗散很有可能有0.5~1W.對于熱阻100甚至150的SOP封裝,溫度將達到100度+.
麻煩你去電子市場看看,效率高的芯片電子市場是很難有現(xiàn)貨的,一般都是訂貨.
低端的2576的出貨量是比較大的,性價比、應用環(huán)境和供貨時間是2576的優(yōu)勢.
如果按你的思維,LM324,LM358這種運放是不是早淘汰了,甚至OP07都要被淘汰?
麻煩你去電子市場看看,效率高的芯片電子市場是很難有現(xiàn)貨的,一般都是訂貨.
低端的2576的出貨量是比較大的,性價比、應用環(huán)境和供貨時間是2576的優(yōu)勢.
如果按你的思維,LM324,LM358這種運放是不是早淘汰了,甚至OP07都要被淘汰?
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@zjp86834631
麻煩你考慮下耗散.并不是導通電阻小,MOS的耗散就可以忽略.導通電阻小,只是相對比較小.如果我輸入壓差12V以上,輸出10W,效率85%.落在MOS管上的耗散很有可能有0.5~1W.對于熱阻100甚至150的SOP封裝,溫度將達到100度+.麻煩你去電子市場看看,效率高的芯片電子市場是很難有現(xiàn)貨的,一般都是訂貨.低端的2576的出貨量是比較大的,性價比、應用環(huán)境和供貨時間是2576的優(yōu)勢.如果按你的思維,LM324,LM358這種運放是不是早淘汰了,甚至OP07都要被淘汰?
我把AOZ1014的參數(shù)公布一下:
AOZ1014是美國萬代AOS的產(chǎn)品,AOS主要產(chǎn)品分三大類,DC-DC升降壓IC、MOSFET、TVS等
1.Vin=4.5v-16v(極限輸入電壓可以到18V)
2.Vout=0.8v-VIN(基準電壓0.8V,占空比最大100%)
3.Iout=5A(極限值)
4.工作頻率:固定500KHZ
5.最大占空比:100%
6.保護功能:短路保護、過流保護、過溫保護
7.軟啟動功能:4MS
8.SOP-8封裝
9.內(nèi)部整合32M內(nèi)阻PMOS
有問題需要咨詢的可以聯(lián)系
深圳 趙先生 13728702394
AOZ1014是美國萬代AOS的產(chǎn)品,AOS主要產(chǎn)品分三大類,DC-DC升降壓IC、MOSFET、TVS等
1.Vin=4.5v-16v(極限輸入電壓可以到18V)
2.Vout=0.8v-VIN(基準電壓0.8V,占空比最大100%)
3.Iout=5A(極限值)
4.工作頻率:固定500KHZ
5.最大占空比:100%
6.保護功能:短路保護、過流保護、過溫保護
7.軟啟動功能:4MS
8.SOP-8封裝
9.內(nèi)部整合32M內(nèi)阻PMOS
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