InnoSwitch3-EP自適應流限調整和變頻控制方案，可在整個負載范圍內提供一直高效率。

也有一些型號集成了750V氮化鎵（GaN）開關，這可以降低電流流動期間的傳導損耗。

設計電源布局也很重要，漏極開關節點是主要噪聲源。因此，連接漏極節點的元件應靠近IC放置。

這樣降低工作時的開關損耗，最終有助于大幅降低電源的能耗提高效率。

INN3675C具有很多保護功能，線路上的欠壓或過壓保護，輸出端的限壓限流保護以及過熱關斷保護。

PowiGaN的開關電源IC可實現95％的高效率，輸出功率高達100 W。

PowiGaN的開關電源IC可實現95％的高效率，輸出功率高達100 W。

PowiGaN不僅適合大功率快速充電應用，而且還供了無散熱片的電源解決方案，消除了與散熱片相關的損耗和可靠性問題。

并遠離敏感的反饋電路。箝位電路元件應遠離初級旁路引腳，并且相關電路走線走線長度應盡量短。

InnoSwitch3-EP該系列的開關電源有較高的輸出功率，而不同型號的的開關電源IC有不同的輸出功率

由輸入整流濾波器電容、初級繞組和IC初級側開關形成的環路的面積應盡可能的小。

 PowiGaN器件還采用無損耗初級電流檢測技術，可完全省去外部檢測電阻。

在分立方案中，這些電阻的大小通常會超過氮化鎵開關自身的電阻

在恒流工作期間，當輸出電壓降低時，器件將直接從次級繞組自行供電。

大功率的快充電源的設計，支持更大的輸出電流，搭配快充協議，滿足筆記本等大功率產品應用。

變壓器初級繞組兩端的反射電壓開始上升，反饋至控制極的電流IC相應地增大

在降壓式電路中電感值對于在開關電源開關斷開期間保持流向負載的電流很關鍵

在一個輸入電壓半周期內開關頻率會有所變化以減緩輸出LED上的熱應力

同樣的初級繞組為了抑制磁芯的磁通量減弱,試圖維持磁芯內的磁通量,初級繞組電感會產生上負下正的感應電壓Vor,這個電壓即是反射電壓。

因為MOS管關斷且鉗位電容兩端的電壓更高，所以此感應電壓沒有導通回路，所以不產生電流。

當MOSFET開啟時，器件使用存儲在旁路電容中的能量

實現軟開關能夠減小ACF電路中開關管的開關損耗,解決了效率難題。

由電容及整流管反向恢復時間產生的電流尖峰引起導通的MOSFET提前誤關斷

是如何對次級側同步整流MOSFET及初級集成高壓MOSFET的準諧振開關進行精確控制的呢

需要防止初級側到次級側的擊穿而導致高壓尖刺和潛在損壞,而因此需要快速地關閉SR。