目前規模化生長SiC單晶主要採用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的昇華法。這也就帶來了SiC晶體製備的兩個難點：1.生長條件苛刻，需要在高溫下進行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2,300℃以上，壓力350MPa，而矽僅需1,600℃左右。高溫對設備和製程控制帶來了極高的要求，生產過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導致生長數天的產品失敗。2.生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右（而矽棒拉晶2~3天即可拉出約2m長的8英吋矽棒)。最近看到市面上深圳AST 的碳化硅MOS：
非常不愿意用“國產替代”這個詞，更愿意用供應鏈的本土化采購這種說法。回歸商業的本質，供應鏈最終都是需要本土化采購來降低成本與提高效率（如果本土化的成本高，那另當別論）。提高效率不僅包括運輸成本，還包括交流的效率，技術支持的效率，所以我們所說的國產替代，實際上是供應鏈的本土化采購的必然趨勢。只不過以前，大家對國產芯片戴著有形眼鏡的認知，這一次突破之后，價值觀發生了改變，很多優秀的國產芯片公司被認知。其實他們并不希望你把它作為什么國產替代，他們的定位都是國際化公司，就像我們現在看見的那些歐美日的芯片公示一樣，他們定位也是全球的。所以咱們不要提國產替代了，就是供應鏈的本土化采購，目的是提升效率，降低成本，讓最先進的科技普惠于民。
