電路拓撲采用光耦二型反饋，輸入電壓范圍15-50V，輸出12V，功率5W

部分電路拓撲如下所示：

主功率MOS管處：

反饋側：

實驗過程如下：

一、輸入電壓不同時：

輸入電壓28V時，MOS管尖峰約為70V。

輸入電壓40V時，MOS管尖峰約為150V。

輸入電壓50V時，MOS管尖峰約為165V。

由上發現，MOS管尖峰隨輸入電壓上升而增大，

因MOS管Vds=150V，故當Vin=50V時，MOS管被擊穿。

二、啟動方式不同時：

使用開關啟動時，輸入電壓及MOS管漏極尖峰如下：

使用直流程控電源啟動時，輸入電壓及MOS管漏極尖峰如下：

故求教：

1、如何通過調試電路從而消除或者降低MOS管啟動尖峰？

2、啟動尖峰是否可以通過更換啟動方式或者更換開關類型而避免？

望各位大神不吝賜教。拜謝了