如果SiC MOSFET有電流檢測端子，能夠提供小部分的實(shí)際源極電流,是否可以通過一個分流電阻將該電流反饋至SNS引腳？

有實(shí)際的方案嗎？

類似這種方案的成本是多少？

先進(jìn)的SiC MOSFET有源鉗位單通道驅(qū)動器

一款先進(jìn)的SiC MOSFET有源鉗位單通道驅(qū)動器

SIC驅(qū)動器相比普通的有啥特別的優(yōu)勢？

集成驅(qū)動是不是可以理解為將驅(qū)動電路與開關(guān)器件融合到一體的設(shè)計？

其實(shí)氮化鎵的MOS就已經(jīng)有這種類似的集成設(shè)計了。

這個最大8A的驅(qū)動電流是在什么條件下測的呢？驅(qū)動電阻和負(fù)載電容大概有多大啊？150KHZ時能驅(qū)動的容性負(fù)載能達(dá)到多大啊？

集成驅(qū)動是這樣的，將這些都集成一起了。簡化了設(shè)計，降低產(chǎn)品的開發(fā)難度。

此驅(qū)動器有足夠的驅(qū)動電流嗎？

具有有源鉗位、一次側(cè)和二次側(cè)過電壓保護(hù)功能，短路故障關(guān)斷，很實(shí)用的功能

碳化硅和硅器件的MOS在驅(qū)動方式上有什么不同嗎？

是不是碳化硅需要設(shè)計負(fù)壓保證可靠關(guān)斷？

規(guī)格書上說的是最大驅(qū)動電流8A

應(yīng)該是可以的吧

官網(wǎng)上應(yīng)該有設(shè)計的demo

價格貴唄，SiC驅(qū)動器大多都采用了密勒鉗位

SiC MOSFET有源鉗位單通道驅(qū)動器，應(yīng)用中成本有優(yōu)勢嗎

散熱問題怎么解決的

驅(qū)動能力有多大

SiC MOSFET需要專門的正、負(fù)電源驅(qū)動嗎 ？

你兩回復(fù)的一個意思，回復(fù)的好。

碳化硅芯片也是未來發(fā)展的主流技術(shù)，和氮化鎵技術(shù)。