上個帖子聊了自舉驅動電路基本原理，如下連接:
http://www.cubesun.cn/bbs/2518305.html
接著上貼繼續(xù)聊，既然說了這個自舉驅動電路可以驅動MOS/IGBT，MOS不需要負壓一般關斷沒啥問題，但是如果是IGBT就不得不考慮負壓的設計，所以再優(yōu)化一下上個貼的自舉驅動電路。
我們在設計驅動IGBT的電路時，就需要考慮IGBT的拖尾電流問題，對上貼中的自舉驅動電路基礎上改動優(yōu)化一下，給其增加一個帶負壓的電路設計，就可以使得中小功率電壓應用的IGBT能可靠關斷。
其實就是在驅動電阻和IGBT的G極上增加一個負壓電路，其原理是驅動在導通IGBT的時候會給給電容C1/C2，與驅動電壓方向相反的方向并聯(lián)一個齊納二極管，那么負壓電容C1/C2就會在充電時被齊納二極管鉗位一個2V多的電壓，當驅動信號關閉后，C1/C2上的負壓會輔助IGBT關斷。
下圖是自舉電容在給半橋的上管IGBT驅動的過程，方向是從自舉電容正極出發(fā)再到驅動芯片VB管腳-HO管腳-驅動電容R1-電容C1-上管IGBT-回到自舉電容負極。這個過程會給C1充電，所以設計這種IGBT驅動電路的驅動電壓盡量選擇高一些，因為負壓電容C1/C2在每個驅動過程中被齊納二極管鉗位的電壓需要減去的，比如15V驅動電壓減去2V多只有12V多的驅動電壓了。
當上管驅動信號關閉后，C1上被充的左正右負的電壓會通過下圖中的路徑泄放：C1正極出發(fā)-驅動芯片H0管腳-Vs管腳-IGBT的C極-IGBT的G極-負壓電容的負極。這個過程就把IGBT的GC電壓通過負壓流向泄放掉了，可以可靠的保證IGBT關斷。
所以這里對C1/C2的容值選擇也很關鍵，當然了這個需要具體電路再具體分析進行參數(shù)選擇和設計。
其實自舉驅動電路和負壓電路都是利用了電容的儲能特性，對電容進行的充放電調控實現(xiàn)了帶負壓的自舉驅動電路。但是上述的這種電路只適合小功率的電力電子產(chǎn)品中，像IPM大塊頭的IGBT就需要單獨設計負壓驅動了。
如有描述錯誤的地方，請壇友指正，謝謝。
