小弟第一次做開關電源,打算選用DC-DC芯片做,

我是12V輸入,-,+16V/2A 輸出

發現做DC-DC的NMOS管有一個特點
就是低的導通電阻和低的Qg,logic level
一般我看到如果用DC-DC芯片做電源的話都用SO-8封裝的,都是針對DC-DC轉換優化了的~~~包括出大電流與大功率的很多都用那種SO8的NMOS,
但是同時也有一些參數和價格和SO8差不多的也是低導通電阻,低Qg,logic level的DPAK,與D2PAK的NMOS管,我想問一下,一般使用哪種較好一點??
我看到一般的demo板上都用SO8封裝的,總覺得SO8的出大功率不太靠譜~~~~

謝謝~~~
如果我不用那種SO8的用DPAK或者D2PAK的要注意什么?

是不是Qg這個參數影響了DC-DC以及NMOS的開關功耗?
還是NMOS的幾個極的分布電容??

還有在開關電源中的電容如何選取?
看資料上說是要低ESR的
我現在的方法是用幾個X7R的ceramic電容并聯再與幾個大的電解電容并聯,來減小ESR,不知道可行不?