在有通嘉LD7535BL 做24V 2.5A 反激式電源中,
EMC 一直調試不好,希望各位大俠幫忙分析一下.
原理圖、PCB圖、EMC測試圖如文件中.
效率最好可達87.8%.
調試時,增大驅動電阻R8,EMI就會平滑一點,但是效率下降;
TR:L=500uH,初級:22T+21T,0.31*2;
輔助:11T ,0.3*4
屏蔽......
次級:11T ,0.3*4
三明治繞法,輔助在中間.
補充一問題,在500K附近的最高點一般是什么引起的,調試過程中,這點變化較小,要犧牲很多的效率...
2279531228217044.doc
調試時,增大驅動電阻R8,EMI就會平滑一點,但是效率下降 什么問題
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1 500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.
2 從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.
3 EMC 2要素: 傳播方式/源頭
3.1 傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證. 濾波器諧振也能放大騷擾.
3.2 源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.
4 直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:
A x電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
5 EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
2 從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.
3 EMC 2要素: 傳播方式/源頭
3.1 傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證. 濾波器諧振也能放大騷擾.
3.2 源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.
4 直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:
A x電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
5 EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
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@gansongbai
1 500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.2 從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.3 EMC2要素:傳播方式/源頭3.1傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證.濾波器諧振也能放大騷擾.3.2源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.4 直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:Ax電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.Bmos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.5 EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
調一下共模電感的電感量看看
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@gansongbai
1 500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.2 從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.3 EMC2要素:傳播方式/源頭3.1傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證.濾波器諧振也能放大騷擾.3.2源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.4 直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:Ax電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.Bmos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.5 EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC 有了更多的認識.
1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;
2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;
3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "這個不了解,能否再說仔細一點.
4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;
2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;
3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "這個不了解,能否再說仔細一點.
4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
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@12162
首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC有了更多的認識.1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決."這個不了解,能否再說仔細一點.4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "
由于波形的上升下降很陡峭,時間很短,所以他的傅里葉分解后頻域就高,高頻分量就很多.開關頻率一般為幾十到幾百k所以為低頻.
由于波形的上升下降很陡峭,時間很短,所以他的傅里葉分解后頻域就高,高頻分量就很多.開關頻率一般為幾十到幾百k所以為低頻.
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@gansongbai
1 500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.2 從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.3 EMC2要素:傳播方式/源頭3.1傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證.濾波器諧振也能放大騷擾.3.2源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.4 直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:Ax電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.Bmos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.5 EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
關于添加RCD會致高頻變差,應該是由于D的Trr影響,在D兩端再并聯RC可解決.
關于添加RCD會致高頻變差,應該是由于D的Trr影響,在D兩端再并聯RC可解決.
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@12162
首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC有了更多的認識.1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決."這個不了解,能否再說仔細一點.4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
留個腳印,感覺PCB LAYOUT的不怎么好.初級VCC的地路這遠?
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@12162
Y電容是兩個472串起來的.改過,有些效果,但是還是不夠,還要從別的方面再調整.高頻變壓器的腳位全反過來是怎樣的反法,謝賜教.
不知你初級大電容的溫度測試過沒?看到你的圖,共模干擾很嚴重,共模電感量大不一定好,最好多換幾個試試.一般設計變壓器都是將初級的起點設定在MOS管的D腳.將D5改成慢速的二極管,Y電容不要串聯,用一顆222基本上夠用了.HS是必須要接地的,當然接地的位置也很重要,線要短,要接到大電容引腳地.再綜合以上各位朋友的建議修改,如果還不行的話還是考慮修改LAYOUT吧,像“斯文敗類”朋友說的那樣,現在有問題不搞好,到以后會花更多時間.
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