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調試時,增大驅動電阻R8,EMI就會平滑一點,但是效率下降 什么問題

在有通嘉LD7535BL 做24V 2.5A 反激式電源中,
EMC 一直調試不好,希望各位大俠幫忙分析一下.
原理圖、PCB圖、EMC測試圖如文件中.
效率最好可達87.8%.
調試時,增大驅動電阻R8,EMI就會平滑一點,但是效率下降;
TR:L=500uH,初級:22T+21T,0.31*2;
               輔助:11T ,0.3*4
             屏蔽......
             次級:11T ,0.3*4
三明治繞法,輔助在中間.
補充一問題,在500K附近的最高點一般是什么引起的,調試過程中,這點變化較小,要犧牲很多的效率...
2279531228217044.doc
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12162
LV.2
2
2008-12-03 10:38
沒有人能幫我嗎??
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LV.1
3
2008-12-03 10:50
@12162
沒有人能幫我嗎??
散熱片要接地呀
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LV.1
4
2008-12-03 10:55
@
散熱片要接地呀
另外你的散熱片尺寸比較大,最好加兩個腳固定,不然生產時工藝會有點問題.
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2008-12-03 14:33
修改EMI的觀念有2, 1. 抑制.2導引.現建議你采用以方案修改:
1:你把兩個Y電容分開來接,一個地對地,另一個高壓對地;
2:用銅泊把X電容包起來,短路后用一導線接入初級地線中(生產時要注意加膠紙)
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2008-12-03 14:35
@goodbedbox
修改EMI的觀念有2,1.抑制.2導引.現建議你采用以方案修改:1:你把兩個Y電容分開來接,一個地對地,另一個高壓對地;2:用銅泊把X電容包起來,短路后用一導線接入初級地線中(生產時要注意加膠紙)
用銅泊把X電容包起來,短路后用一導線接入初級地線一般可以下降10dB左右
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2008-12-03 16:09
1   500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.
2   從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.
3   EMC 2要素: 傳播方式/源頭
3.1 傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證. 濾波器諧振也能放大騷擾.
3.2 源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.
4   直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:
A x電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
5   EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
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yuyan
LV.9
8
2008-12-03 19:09
@gansongbai
1  500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.2  從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.3  EMC2要素:傳播方式/源頭3.1傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證.濾波器諧振也能放大騷擾.3.2源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.4  直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:Ax電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.Bmos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.5  EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
調一下共模電感的電感量看看
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12162
LV.2
9
2008-12-03 19:35
@
散熱片要接地呀
在調試過程中,有試過散熱片接地,效果不明顯.
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12162
LV.2
10
2008-12-03 19:36
@goodbedbox
用銅泊把X電容包起來,短路后用一導線接入初級地線一般可以下降10dB左右
好,值得試試,謝謝你的建議.
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12162
LV.2
11
2008-12-03 19:52
@yuyan
調一下共模電感的電感量看看
謝謝關注.
但是調前端電感,對低頻比較有效--個人看法.
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12162
LV.2
12
2008-12-03 21:18
@gansongbai
1  500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.2  從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.3  EMC2要素:傳播方式/源頭3.1傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證.濾波器諧振也能放大騷擾.3.2源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.4  直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:Ax電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.Bmos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.5  EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC 有了更多的認識.

1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;
2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;
3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "這個不了解,能否再說仔細一點.
4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
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evdi
LV.6
13
2008-12-03 21:50
@12162
首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC有了更多的認識.1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決."這個不了解,能否再說仔細一點.4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決; 后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決. "
由于波形的上升下降很陡峭,時間很短,所以他的傅里葉分解后頻域就高,高頻分量就很多.開關頻率一般為幾十到幾百k所以為低頻.
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evdi
LV.6
14
2008-12-03 21:56
@gansongbai
1  500khz肯定是開關頻率的倍頻.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驅動,降低效率,也是沒有辦法撼動它的.2  從線路圖中可以到,這是一個沒有地線的充電器.所以CE檢測到的全是差模.比較直觀的做法,是通過調整濾波器找出問題的原因.3  EMC2要素:傳播方式/源頭3.1傳導傳播方式有兩種,一種是沿線傳播,一種是空間輻射.直接改大/改小端口電容看看有沒有變化.直接改多/改少電感圈數看看有沒有變化.將變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住,看看有沒有變化.也可能高頻騷擾源來自副邊,這時需要將原副邊Y電容刪除或者串BID來驗證.濾波器諧振也能放大騷擾.3.2源頭高頻和低頻是有區別的,高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決.4  直接看線路圖和LAYOUT圖,我認為有以下值得推敲的地方:Ax電容應該最靠近端口,把fuse放到里面去.Bmos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.5  EMC問題一般是一言難盡的,如果希望獲得好的幫助,最好紀錄好實驗過程,每一步作了什么,什么效果.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能會使高頻變差.
關于添加RCD會致高頻變差,應該是由于D的Trr影響,在D兩端再并聯RC可解決.
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goodbedbox
LV.3
15
2008-12-04 08:58
@12162
好,值得試試,謝謝你的建議.
如果說有最終結果請回復上來!此兩個方案我以前用的,效果很好,后一方案就是會增加點成本
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tianli
LV.5
16
2008-12-04 09:25
我建議你把變壓器結構調整還原為 NP一半,屏蔽,NS,屏蔽,NP另一半,VCC繞組.從你的傳導圖上來看根本上沒余量,你就是整過了500K那點,生產的時候也難以保障.還有你板畫的是不是合理?
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tianli
LV.5
17
2008-12-04 09:30
還有你的MOS散熱片沒接地,嚴重的不行
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LV.1
18
2008-12-04 09:38
@tianli
還有你的MOS散熱片沒接地,嚴重的不行
初級電流檢測電阻放在大電容底下,這個有點不可取呀,會影響整機壽命.有時間的話,可以重新調整下LAYOUT.
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qwxy
LV.5
19
2008-12-04 10:05
@goodbedbox
用銅泊把X電容包起來,短路后用一導線接入初級地線一般可以下降10dB左右
能否講一下原理.
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2008-12-04 10:37
@12162
首先感謝你的幫助,看了這些讓我對EMC有了更多的認識.1、調整前端的濾波器,低頻的效果比較好,對500K的那里不明顯;2、“變壓器用銅皮(不是um的銅箔)包裹住”這個銅皮跟銅箔有很在的區別嗎,之前有用過銅箔,效果不是很明顯;3、"高頻是上升下降沿的fft分解,低頻是開關的倍頻.前者可以改小驅動,mos串bid,ds加RC解決;后者如果是電流型的,只能加強濾波,如果是電壓型的,可以改變原副邊屏蔽層的接地點以及原副邊加大電容來解決."這個不了解,能否再說仔細一點.4、“mos缺乏rc吸收”,那該如何加,能否給一些參考電路?
留個腳印,感覺PCB LAYOUT的不怎么好.初級VCC的地路這遠?
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jai.xu
LV.2
21
2008-12-04 14:39
@
初級電流檢測電阻放在大電容底下,這個有點不可取呀,會影響整機壽命.有時間的話,可以重新調整下LAYOUT.
你的Y電容加起來有多大?整個中間頻率都有NG,這個只有兩個地方可以改下去:
1.把Y電容改大
  2.改變壓器的繞法,可以試著把腳位全部反過來.
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zsm000
LV.2
22
2008-12-04 16:51
@goodbedbox
修改EMI的觀念有2,1.抑制.2導引.現建議你采用以方案修改:1:你把兩個Y電容分開來接,一個地對地,另一個高壓對地;2:用銅泊把X電容包起來,短路后用一導線接入初級地線中(生產時要注意加膠紙)
請問,Y電容的高壓到地的高壓是指 一次側電解電容正端到二次側的地嗎???
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12162
LV.2
23
2008-12-04 19:50
多謝各位的關心,我也是剛做電源不久,對 PCB LAYOUT 技巧還不是很了解.
現在這個已經沒時間再重新LAYOUT 了.
還有一個:散熱片接地,在認證里面有沒有這方面的要求?歐洲的.
今天其它的事擔誤了,沒有調EMC ,明天再就各位的建議,做調試.
再次謝謝各位的幫忙.
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12162
LV.2
24
2008-12-04 19:55
@jai.xu
你的Y電容加起來有多大?整個中間頻率都有NG,這個只有兩個地方可以改下去:1.把Y電容改大  2.改變壓器的繞法,可以試著把腳位全部反過來.
Y電容是兩個472串起來的.
改過,有些效果,但是還是不夠,還要從別的方面再調整.
高頻變壓器的腳位全反過來是怎樣的反法,謝賜教.
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12162
LV.2
25
2008-12-04 19:56
@
初級電流檢測電阻放在大電容底下,這個有點不可取呀,會影響整機壽命.有時間的話,可以重新調整下LAYOUT.
您的意思是電阻發熱會影響電容吧?
下次會注意,這次恐怕是沒時間了...
謝謝!
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tianli
LV.5
26
2008-12-05 08:12
@12162
多謝各位的關心,我也是剛做電源不久,對PCBLAYOUT技巧還不是很了解.現在這個已經沒時間再重新LAYOUT了.還有一個:散熱片接地,在認證里面有沒有這方面的要求?歐洲的.今天其它的事擔誤了,沒有調EMC,明天再就各位的建議,做調試.再次謝謝各位的幫忙.
你的PCB不重搞可以,但MOS散熱片始終要想辦法接地,哪怕是從螺絲那搞根線焊下來到地.否則輕則有異音,影響傳導,重則環路不穩,炸機.
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2008-12-05 11:21
@12162
多謝各位的關心,我也是剛做電源不久,對PCBLAYOUT技巧還不是很了解.現在這個已經沒時間再重新LAYOUT了.還有一個:散熱片接地,在認證里面有沒有這方面的要求?歐洲的.今天其它的事擔誤了,沒有調EMC,明天再就各位的建議,做調試.再次謝謝各位的幫忙.
想法是對的.
但我還是建議你先把PCB搞好再說,你可以一邊調試,一邊晚上或什么時候抽空搞PCB.不然后面可能你花的時間會更多.希望我對PCB的判斷是錯的.
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yijianhua
LV.5
28
2008-12-05 11:41
@斯文敗類
想法是對的.但我還是建議你先把PCB搞好再說,你可以一邊調試,一邊晚上或什么時候抽空搞PCB.不然后面可能你花的時間會更多.希望我對PCB的判斷是錯的.
1.MOS散熱片要接地
2.變壓器用兩道屏蔽
估計改了就可以了
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LV.1
29
2008-12-05 15:06
@12162
Y電容是兩個472串起來的.改過,有些效果,但是還是不夠,還要從別的方面再調整.高頻變壓器的腳位全反過來是怎樣的反法,謝賜教.
不知你初級大電容的溫度測試過沒?看到你的圖,共模干擾很嚴重,共模電感量大不一定好,最好多換幾個試試.一般設計變壓器都是將初級的起點設定在MOS管的D腳.將D5改成慢速的二極管,Y電容不要串聯,用一顆222基本上夠用了.HS是必須要接地的,當然接地的位置也很重要,線要短,要接到大電容引腳地.再綜合以上各位朋友的建議修改,如果還不行的話還是考慮修改LAYOUT吧,像“斯文敗類”朋友說的那樣,現在有問題不搞好,到以后會花更多時間.
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生到熟
LV.4
30
2008-12-06 11:07
1.次級散熱片接地.
2.改改Y電容.
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2008-12-06 21:22
@生到熟
1.次級散熱片接地.2.改改Y電容.
我的個人經驗一般是
1MHZ以內
以差模干擾為主,增大X電容就可解決
1MHZ---5MHZ
差模共?;旌?采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并解決;
5M---以上
以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.
對于外殼接地的,在地線上用一個磁環繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減/
你可以試試,有什么問題在一起討論!
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