適用于高效率反激式設計,內置同步整流控制器和反饋,更加節省外部元件。

氮化鎵功率器件市場占比排名前三的分別是納微、PI、英諾賽科，PI的出貨量是比較大的三家氮化鎵芯片原廠

采用的單級變換器并聯結構省掉DC-DC，具有零件數量少、成本低、效率高、EMI容易通過等特性。

在整個的電壓范圍內具有高效率的輸出，性能出色，工作溫度范圍高。

InnoSwitch3不僅復雜性更低，且在平均效率、輕載效率、空載功耗等性能都很好。

GaN應用一個難點在于其超高的開關速度，設計時比較難于驅動和保護。

PI將GaN開關與電源IC集成在一個封裝內，簡化了客戶的設計，方便其能夠快速設計出電源產品。

動態響應特性、輕載輸出紋波和EMI的降低方面有有不錯的表現。

有源鉗位的加入，可在減小開關損耗的同時提高開關頻率，從而減小變壓器的體積，實現高效率高功率密度的氮化鎵充電器設計。

高頻反激開關電源通過RCD吸收電路，電容儲存變壓器漏感能量，并通過電阻消耗，限制初級開關管上的電壓。

但是隨著頻率的提升，吸收回路所損耗的能量和開關損耗越來越大，損耗的增加，制約了充電器的效率。

原先的這種充電器還增大了發熱，使得充電器的小型化受到限制，功率要大，得加散熱片，體積就大了。

PI通過增加有源鉗位開關，與鉗位電容串聯的結構去取代傳統反激電路中的RCD吸收電路。

原理就是通過回收變壓器漏感能量到輸出端，提升轉換效率，還可以實現初級開關管零電壓開關。

 采用PowiGaN開關技術后的設計出的電源功率更大且耐壓更高。

PI的氮化鎵技術處于世界領先地位，批量出產很多型號的芯片，也適合用在汽車上，符合車規標準。

未來幾年以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用的普及，性能出色。

PowiGaN器件，把周圍的元件都做了，價格如何呢？

我很好奇，加上散熱片是不是可以努力到150瓦功率？

散熱片的省去，節約了電源成本，同時提高了效率，功在當代利在千秋

    采用GaN開關晶體管替換IC初級的常規高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導損耗，并極大降低工作時的開關損耗，這讓大幅降低電源系統能耗、進一步提高效率、在更小的體積內輸出更大的功率

適合高功率密度的產品

 采用GaN開關晶體管可以降低電流流動期間的傳導損耗

數量少、成本低、效率高、EMI容易通過

采用GaN開關晶體管替換IC初級的常規高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導損耗

GaN可以降低電流流動期間的傳導損耗，并極大降低工作時的開關損耗，這讓大幅降低電源系統能耗、進一步提高效率

學習了PowiGaN

最近氮化鎵技術講的挺多的，但是市場應用情況怎么樣呢，我還 沒有接觸到氮化鎵技術的產品應用

PowiGaN元器件的壽命是怎么樣的？

現在手機因為屏幕和芯片都耗電巨大，快速充電成了每個手機的標配。GaN開關晶體管做成的快速充電頭子，是手機必須的，它雖然比傳統的手機頭子大一點，但是整理散熱還不錯，轉化效率很高。