在PCB設計的時候需要注意環路布局，確保環路面積小，減小干擾。

這個方案還是比較簡潔呀，外圍器件都比較少

電路主控IC的集成度比較高，性能強，這樣外圍電路的設計就簡單化了很多。

電路中的初級和次級反激式控制器使用特有的FluxLink通信通道進行耦合，縮小了產品的體積。

先進的保護/安全特性 ，內部集成輸出過壓保護(OVP)， SR FET柵極驅動開路檢測、 遲滯熱關斷保護等功能

基于PowiGaN的INN3279設計的電源在整個負載范圍內的效率高達95％，功耗也低。

Inno3279該芯片內部集成準諧振反激控制器和集成的主開關管，同步整流控制器和內置反饋，以及恒功率輸出,適合和其它芯片物理接口實現快充功能。

除了采用氮化鎵可以縮小體積外，采用貼片保險絲、Y電容等小器件，電容、工字電感等柱狀器件橫置，變壓器沉板處理等設計也很大程度上幫助縮小充電器體積

局部簡潔，尺寸還可以，不錯

需要增加外接隔離器件來保護電路么

FluxLink通信技術取代光耦器，具有隔離作用，可大幅增強絕緣性能，增加了可靠性。

GaN切換開關取代了 IC 一次側的傳統硅高壓電晶體，減少了電流流過時的導通損耗

降壓式變換器拓撲結構，最小直流輸入電壓輸入電容的值應足夠大才能滿足標準

只有在整流橋堆導通期間，傳導干擾的電流才會流向交流電網輸入端

GaN 開關管可以減少電流流過時的導通損耗

INN3279C內置750V PowiGaN技術,適配器密閉環境中寬電壓輸入可輸出65W,這里降額使用是為了降低發熱。

滿載時所有的開關周期都將被使能;在極輕負載時幾乎所有的開關周期都將被關閉

除了改善傳導損耗外,使用GaN還可以降低開關損耗，更高的效率、更小的占地面積和更輕的重量。

隔離電源的輸出和輸入之間都絕緣隔離，不會形成回路，更加安全

自適應開關周期導通延長是指在初級電流未達到電流限流點前繼續保持此開關周期導通

通過有源鉗位的方式實現功率管軟開關,既減小開關損耗,提高轉換效率,又支持更高開關頻率,可充分發揮新型功率管氮化鎵GaN的優勢。

施加的電流用于控制輸入過壓的停止邏輯， 并提供前饋信號以控制輸出電流和遠程開關功能

自適應開關周期導通延長是指在初級電流未達到電流限流點前繼續保持此開關周期導通

當功率MOSFET導通時，器件利用儲存在初級旁路引腳電容內的能量工作

最大的實際持續輸出功率是在開放式設計及有足夠的散熱

GaN HEMT的高電子遷移率使其在高頻應用中表現尤為突出，能夠提供更快的開關速度和更高的頻率響應

Inn3279反激式開關電源IC則采用FluxLink技術，支持無損輸入過壓保護檢測。

對于電源來說，各種保護也是很重要的，例如過電流保護、過電壓保護及欠電壓保護等

能夠在輸入電壓超過選定閾值時自動中斷開關，從而防止電源在嚴重輸入過壓情況下損壞。

其效率高達90%，可實現無散熱器的緊湊型35 W電源設計。