INN3670C 內部集成了一個750V GaN開關，開關控制使用準諧振技術以及輸出端使用同步整流技術，使得電源的發熱量大大減小，該芯片可以實現無散熱器設計，依靠大面積PCB銅箔即可完成散熱，節省了電源的空間尺寸和成本。得益于GaN器件良好的高頻開關特性，在高頻率下可以進一步的縮減磁器件的體積，進一步減小了電源的尺寸。
下圖為電源的設計參考圖，該設計可以實現85~265V全范圍內的交流輸入，同時輸出20V/65W的功率，由于芯片內部集成了隔離反饋部分，因此，單芯片無需外部光耦即可完成高精度的隔離電源輸出。
