最近在對(duì)一款單級(jí)反激LED驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行雷擊浪涌測(cè)試時(shí)，用示波器監(jiān)測(cè)了初級(jí)主MOS管的漏源極電壓Vds和漏源極電流Ids，波形見(jiàn)圖片：藍(lán)色是電壓波形，黃色是電流波形。

已知MOS管Vds標(biāo)稱耐壓是650VDC，正常工作時(shí)，MOS管的Vds關(guān)斷電壓+漏感電壓尖峰在560VDC左右。 從示波器圖片中可以看出，雷擊浪涌沖擊時(shí)，MOS管Vds關(guān)斷電壓升高到780VDC，同時(shí)有雪崩電流流過(guò)。

我想計(jì)算此時(shí)一個(gè)開(kāi)關(guān)周期實(shí)際消耗在MOS管上的雪崩能量，并將此能量跟MOS管規(guī)格書(shū)上的雪崩能量數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。

我的疑問(wèn)：①如果計(jì)算出的實(shí)際雪崩能量小于MOS管規(guī)格書(shū)上的雪崩能量數(shù)值， 是不是就說(shuō)明MOS管在此雷擊浪涌條件下基本是安全的，不會(huì)造成MOS管雪崩擊穿損壞？

②我使用的實(shí)際雪崩能量的計(jì)算公式：Vds*Ids(RMS)*t ，其中Vds取780VDC，Ids(RMS)取雪崩電流從最大值開(kāi)始降到零這一段時(shí)間的均方根2.842A，t取雪崩電流從最大值降到零這一段的時(shí)間20微秒。 這樣計(jì)算一個(gè)開(kāi)關(guān)周期實(shí)際消耗在MOS管上的雪崩能量對(duì)嗎？

③我在網(wǎng)上查詢到另外計(jì)算雪崩能量的公式：0.5*Lm*Ipk^2，其中Lm是與MOS管串聯(lián)的電感的感量，Ipk是雪崩開(kāi)始時(shí)流過(guò)MOS管漏源級(jí)的電流峰值。 這個(gè)網(wǎng)上查到的公式，只適用于MOS管生產(chǎn)廠家測(cè)試MOS管的雪崩能量呢

，還是可以用在我這個(gè)雷擊浪涌測(cè)試時(shí)計(jì)算實(shí)際消耗在MOS管上的雪崩能量呢？

請(qǐng)各位指點(diǎn)解惑。