INN3990CQ（IC200）的次級側為同步整流MOSFET（SR FET）提供輸出電壓檢測、輸出電流檢測和柵極驅動。SR FETs Q100和Q101對變壓器T200次級繞組的電壓進行整流，然后由輸出電容C102至C104進行濾波。由電阻R100至R102和電容C100構成的RC型緩沖器可抑制SR FET漏源節點中的高頻振鈴。

IC200內部的次級側控制器控制SR FET的開關。其定時基于通過電阻R106從FWD引腳檢測到的負邊沿電壓轉換。電容C110和電阻R106構成低通濾波器，可降低SR關斷時FWD引腳看到的電壓尖峰，并確保不會超過150V的最大額定值。

在連續導通模式下，初級側功率MOSFET在次級側控制器向初級請求新開關周期之前關閉。在不連續導通模式下，當SR FET兩端的電壓降至VSR(TH)7以下時，SR FET關閉。

次級側對初級側功率MOSFET的控制消除了兩個開關交叉導通的可能性，并確保了可靠的同步整流操作。

IC200的次級側由次級繞組正向電壓（通過R106和FWD引腳）或輸出電壓（通過VOUT引腳）供電。在這兩種情況下，能量都通過內部調節器用于給去耦電容C111充電。

二極管D101、D102和電阻R108作為次級側輸出過壓保護（次級OVP）。在輸出過壓事件期間，電流將通過這些元件注入到IC200的BPS引腳，并觸發IC進入自動重啟（AR）模式。

INN3990CQ具有1.265V的內部參考電壓。電阻R113和R114為InnoSwitch3-AQ設計構成基本的分壓反饋網絡。對于此設計，由R113和R114設定的輸出電壓值比額定輸出電壓高10 - 15%，這是實現精確電壓調節電路的要求。

電容C107用于從影響電源操作的高頻噪聲中進行去耦。電容C108和電阻R112構成前饋網絡，以加快反饋響應速度并降低輸出紋波。

通過監測并聯電阻R109至R111兩端的電壓降來檢測輸出電流。所得電流測量值使用R106和C109進行濾波，并在IS和次級接地引腳之間進行監測。約35mV的內部電流檢測閾值用于減少損耗。一旦達到該閾值，IC200將控制脈沖數量以維持固定的輸出電流。當輸出電壓降至調節值的90%以下時，IC進入自動重啟（AR）操作，并在負載電流降低到CC限制以下時恢復。二極管D100限制R109至R111兩端的電壓降，以在過載或短路情況下保護IS引腳