禁帶寬度(Band gap)是指一個帶隙寬度(單位是電子伏特(ev))，固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的，而是一些不連續(xù)的能帶，要導電就要有自由電子或者空穴存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），自由空穴存在的能帶稱為價帶（亦能導電）。被束縛的電子要成為自由電子或者空穴，就必須獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。
與硅 MOSFET 相比，SiC MOSFET 性能更優(yōu)、能效也更高，且穩(wěn)健可靠，在高溫下表現(xiàn)更出色，可以在更高的開關頻率下運行。與硅基超級結(jié) MOSFET 相比，SiC MOSFET 在輸出電容中儲存的能量 (EOSS) 較低，而這對于實現(xiàn)低負載目標至關重要，因為 PFC 級的開關損耗主要來源于 EOSS 和柵極電荷相對較高的器件。較低的 EOSS 可大大減少開關過程中的能量損失，從而提高圖騰柱 PFC 快速橋臂的能效。此外，由于 SiC 器件具有出色的熱導率，相當于硅基器件的三倍，因此與硅基超級結(jié) MOSFET 相比，SiC MOSFET 具有更好的正溫度系數(shù) RDS(ON)。下圖為 650V SiC MOSFET 導通電阻與結(jié)溫的關系。（結(jié)溫為 175℃ 時的導通電阻比室溫時的導通電阻高 1.5 倍。）
