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InnoSwitch4-CZ在超薄筆記本電源適配器中的創新應用

隨著筆記本電腦向輕薄化發展,傳統電源適配器的體積和重量已成為用戶體驗的重要瓶頸。以某國際品牌新款超極本為例,其配套的65W電源適配器要求厚度不超過15mm,同時需要滿足以下嚴苛條件:

  1. 輸入電壓范圍:90-264V AC(全球通用)

  2. 輸出規格:20V/3.25A(USB PD 3.0協議)

  3. 效率要求:>93%(230V AC輸入)

  4. 工作溫度:0-40℃(外殼溫度不超過60℃)

    EMI標準:符合CISPR 32 Class B

通過分析PI官網提供的設計案例(RDK-951),我們發現傳統反激架構難以同時滿足超薄化和高效率的需求。主要痛點包括:

  1. 高度限制(<8mm)

  2. 散熱空間不足

  3. 高頻開關帶來的EMI挑戰

InnoSwitch4-CZ的技術突破,深入研究PI的產品手冊(DS-2001)后,該芯片的創新設計完美解決了上述問題:

GaN集成技術:

  1、 將650V PowiGaN開關管與控制器集成,開關頻率可達1MHz

  2、相比傳統硅MOSFET,導通電阻降低50%(典型值180mΩ)

自適應開關控制,    專利的EcoSmart™技術實現多模式切換:

        重載:準諧振模式(效率最優)

        輕載:頻率折返模式(待機功耗<30mW)

        空載:突發模式(功耗<15mW)

散熱優化設計:

    采用eSOP-12D封裝,底部散熱焊盤熱阻僅8℃/W

    實測熱成像顯示:    熱成像圖

詳細設計過程分享:

  1. 磁性元件設計

  使用PI Expert軟件生成參數:

        變壓器:平面變壓器,ETD29磁芯,4層PCB繞組

        初級電感量:52μH(±5%公差)

        匝比:12:1:1(主輸出:輔助繞組)

  2. PCB布局要點

3、關鍵元件選型

  輸入濾波:X電容(0.47μF)+共模電感(15mH)

  輸出整流:同步整流MOS(30V/20mΩ)

  反饋電路:TL431+光耦隔離

4. 測試數據與優化

經過三次設計迭代,最終測試結果:

在首批5000臺量產中,總結出以下經驗:

生產工藝控制:

        變壓器繞制公差需控制在±3%以內

        焊接溫度曲線:峰值245℃,持續時間<5s

可靠性測試:

        1000次插拔測試(IEC 62680標準)

        85℃/85%RH高溫高濕測試1000小時

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htwdb
LV.8
2
04-24 21:29

目前筆記本電源的尺寸越來越小,同時在功率輸出上越來越高,主要體現在氮化鎵功率器件的性能迭代。

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only one
LV.8
3
04-25 00:01

InnoSwitch4-CZ的技術突破,深入研究PI的產品手冊(DS-2001)后,該芯片的創新設計完美解決了上述問題:

GaN集成技術:

  1、 將650V PowiGaN開關管與控制器集成,開關頻率可達1MHz

  2、相比傳統硅MOSFET,導通電阻降低50%(典型值180mΩ)導通電阻這么小嗎

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04-25 08:13

這個適配器的信號傳輸電路是怎么樣發生變化的

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04-25 08:24

非常不錯的應用創新

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04-25 22:38

寬電壓輸入可以適應各種出差環境

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沈夜
LV.8
7
04-26 01:24

如何設計出輕薄便攜且高效能的筆記本電腦電源適配器?

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04-26 09:18

傳統的主要存在高度限制、散熱空間不足、高頻開關帶來的EMI等問題。

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04-26 10:13

傳輸效率會有明顯的優化么

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tanb006
LV.10
10
04-26 10:29

65瓦,這個尺寸已經不是問題了。以芯片這么高的配置,實現120瓦也不是問題。加強散熱就是了。可以考慮包塑鋁殼。

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tanb006
LV.10
11
04-26 10:29
@htwdb
目前筆記本電源的尺寸越來越小,同時在功率輸出上越來越高,主要體現在氮化鎵功率器件的性能迭代。

如果能再小些,就不用適配器了。直接一根AC線到筆記本。多簡單。

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tanb006
LV.10
12
04-26 10:30
@only one
InnoSwitch4-CZ的技術突破,深入研究PI的產品手冊(DS-2001)后,該芯片的創新設計完美解決了上述問題:GaN集成技術: 1、將650VPowiGaN開關管與控制器集成,開關頻率可達1MHz 2、相比傳統硅MOSFET,導通電阻降低50%(典型值180mΩ)導通電阻這么小嗎

180毫歐其實保守了。我手上的樣品只有幾十毫歐。就是太貴了,十幾塊錢一顆,還是批量價格,只適合實驗室驗證用。

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dy-XU5vrphW
LV.8
13
04-26 10:48

非常優秀的一個輸出表現

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dy-XU5vrphW
LV.8
14
04-26 11:52

非常不錯的案例應用

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XHH9062
LV.9
15
04-27 23:50

小尺寸封裝,應該是有很大的利用空間

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dy-XU5vrphW
LV.8
16
04-28 08:30

怎么樣有效解決系統傳輸的導通效率

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dy-XU5vrphW
LV.8
17
04-28 08:41

電源適配過程中傳輸效率會怎么樣發生變化

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dy-XU5vrphW
LV.8
18
04-28 08:43

適配過程中傳輸信號是怎么樣發生變化

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fzwwj95
LV.6
19
04-28 10:16

在PCB底層增加2oz銅箔面積(至少15mm×20mm)應該可進一步提升散熱性能

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k6666
LV.9
20
05-10 10:19
@tanb006
65瓦,這個尺寸已經不是問題了。以芯片這么高的配置,實現120瓦也不是問題。加強散熱就是了。可以考慮包塑鋁殼。

高效設計使其適用于密封適配器和嵌入式系統,成為優化空間利用和可靠運行的理想選擇。

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