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INN3977設計的12V2.5的電源

      與 InnoSwitch3 原理不一樣,InnoSwitch3-AQ 有兩個控制器處理,如下圖,在初級和次級之間,采用了高速 FluxLink 耦合技術。FluxLink 技術可在無需專用隔離變壓器檢測繞組和光耦的情況下,實現±3%的高精度輸入電壓和負載綜合調整率。FluxLink 技術即使在瞬態應力測試下也能保持輸出電壓穩壓,這對于基于 PSR 的方案而言尤其具有挑戰性,InnoSwitch3-AQ 的故障率低于 0.02PPM。

       對于 550V 的母線,INN3977CQ 可以輕松滿足 80%的降級要求;對于 925V 的母線,INN3977CQ+StackFET 使用 650VStackFET 時,降額大于 70%。在高溫環境應用中,高效率降低了器件溫度,StackFET 在兩個功率開關之間分擔散熱。該電源的輸入范圍是 30V 至 550V 電壓,輸出是 12V。在輸出端可以采用同步整流,也可以用普通的二極管整流。如果使用普通的二極管整流,可以采用 PI 的 Qspeed 汽車級整流二極管, Qspeed 是類似于 SiC 特性的二極管,但成本要便宜很多,可見,二極管整流更具成本優勢,同步整流更加高效。

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05-13 14:17

高效、集成度高的開關IC產品,主要用于電源管理領域,特別是在快充和LED驅動器設計中表現出色

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k6666
LV.9
3
05-13 16:03

InnoSwitch系列不斷演進以應對更高的功率需求和更小的體積要求。

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05-14 14:05
@奮斗的青春
高效、集成度高的開關IC產品,主要用于電源管理領域,特別是在快充和LED驅動器設計中表現出色

如果母線電壓達到 800V,內部 MOSFET的750V 的耐壓顯然無法滿足要求。

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trllgh
LV.10
5
05-15 09:08
@大海的兒子
如果母線電壓達到800V,內部MOSFET的750V的耐壓顯然無法滿足要求。

外加的StackFET,以適應更高的800V的母線電壓,出色的性能使其能夠應用于商用或高性能交通工具中。

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飛翔2004
LV.10
6
05-17 10:54
@trllgh
外加的StackFET,以適應更高的800V的母線電壓,出色的性能使其能夠應用于商用或高性能交通工具中。

更高的母線電壓有利于實現更快的充電速度,更輕的整車重量。

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spowergg
LV.10
7
05-21 09:11
@飛翔2004
更高的母線電壓有利于實現更快的充電速度,更輕的整車重量。

相較于400V母線電壓的消費類交通工具工業標準母線方案,高母線電壓的設計可使效率更高,熱損耗低。

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only one
LV.8
8
05-22 23:38

   對于 550V 的母線,INN3977CQ 可以輕松滿足 80%的降級要求;對于 925V 的母線,INN3977CQ+StackFET 使用 650VStackFET 時,降額大于 70%,不降額可以嗎?

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XHH9062
LV.9
9
05-24 14:20

整機效率如何?

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dy-StTIVH1p
LV.8
10
05-24 16:00

怎么樣有效提高電源傳輸效率

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dy-nmLUWFNr
LV.8
11
05-24 18:05

這個電源的信號傳輸有什么規律

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05-24 21:59

30W的輸出功率非常不錯

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htwdb
LV.8
13
05-25 16:46

InnoSwitch3-AQ 的故障率低于 0.02PPM,對于故障率是如何計算的?

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tanb006
LV.10
14
05-25 20:06

3%也能叫高精度?你還是正負3%。簡直了。。。。。。。

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05-27 00:02

   對于 550V 的母線,INN3977CQ 可以輕松滿足 80%的降級要求;對于 925V 的母線,INN3977CQ+StackFET 使用 650VStackFET 時,高壓驅動mos

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tanb006
LV.10
16
05-27 14:38

同步整流的MOS管,有沒有必要并聯一個肖特基?

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千影
LV.6
17
05-30 23:52

如何優化新能源電源的設計以降低故障率?

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k6666
LV.9
18
06-06 13:51
@trllgh
外加的StackFET,以適應更高的800V的母線電壓,出色的性能使其能夠應用于商用或高性能交通工具中。

當內部MOS導通時,副邊同步整流MOS關斷,輸出電容給負載供電;當原邊內部MOS關斷時,副邊MOS導通,能量從初級傳到次級,提供負載電流并給輸出電容充電。

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k6666
LV.9
19
06-07 09:19
@tanb006
3%也能叫高精度?你還是正負3%。簡直了。。。。。。。

即使在輸入電壓不穩定的情況下,也能對其提供保護,保證整體電源的可靠運行。

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06-07 15:01
@tanb006
同步整流的MOS管,有沒有必要并聯一個肖特基?

通過集成初級/次級控制器、FluxLink磁感耦合等技術簡化設計,同時產品的尺寸也比較小。

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tmpeger
LV.10
21
06-13 23:02

正激引腳還連接到同時用于握手和時序的負邊緣檢測電路

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k6666
LV.9
22
07-09 09:37
@飛翔2004
更高的母線電壓有利于實現更快的充電速度,更輕的整車重量。

器件內部還集成同步整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器,可實現90%以上的效率,并使空載功耗小于15mW。

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spowergg
LV.10
23
07-09 09:43
@奮斗的青春
通過集成初級/次級控制器、FluxLink磁感耦合等技術簡化設計,同時產品的尺寸也比較小。

通過次級控制器控制原邊的開關,最大程度的控制同步整流MOS導通時間,實現最高效率。

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黑夜公爵
LV.10
24
07-17 21:05

頻率控制技術是基于開關干擾的能量主要集中在特定的頻率上,并具有較大的頻譜峰值

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opingss88
LV.10
25
07-17 21:26

由于可控硅導通時磁通會發生急劇變化,因此變壓器中會產生一定的音頻噪聲

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