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PI芯片是如何提高充電效率的

一、基于氮化鎵(GaN)的高效電能轉(zhuǎn)換技術(shù)

高頻開關(guān)降低損耗‌PI的PowiGaN™芯片采用GaN寬禁帶半導(dǎo)體材料,支持MHz級高頻開關(guān)(如InnoSwitch™-CP系列),將開關(guān)損耗降低50%以上,配合平面變壓器技術(shù)實現(xiàn)98%的轉(zhuǎn)換效率12。高頻特性同時縮小充電模塊體積達30%,契合車載充電機(OBC)的小型化需求。

多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)適配‌芯片內(nèi)置半橋/反激式拓?fù)淇刂破鳎≒owiPFC™和PowiPWM™),動態(tài)優(yōu)化高壓快充場景下的電能傳輸路徑,減少中間轉(zhuǎn)換層級,系統(tǒng)綜合能效提升約15%。

二、高壓平臺適配與功率擴展

800V高壓母線支持‌通過1700V耐壓的InnoSwitch™3-AQ芯片,實現(xiàn)800V高壓母線至低壓系統(tǒng)的DC/DC高效轉(zhuǎn)換(效率>95%),匹配比亞迪1000V超充平臺,縮短30%-80% SOC充電時間至9分鐘。

多模塊并聯(lián)功率擴展‌支持充電樁模塊并聯(lián)控制技術(shù),單充電樁最大功率可擴展至350kW(如5模塊并聯(lián)方案),滿足兆瓦級超充站建設(shè)需求。

三、智能功率管理優(yōu)化

精準(zhǔn)功率因數(shù)校正(PFC)‌HiperPFS-5系列芯片集成750V GaN開關(guān),實現(xiàn)車載充電機前端PFC效率突破98%,降低諧波失真至<5%,減少電網(wǎng)負(fù)載壓力。

動態(tài)充電策略調(diào)控‌通過集成CAN/LIN通信接口,實時解析電池SOC、溫度等參數(shù)(如BMS數(shù)據(jù)),結(jié)合智能算法動態(tài)調(diào)整充電電流/電壓曲線,避免過充導(dǎo)致效率下降。

四、系統(tǒng)級集成與可靠性增強

集成化設(shè)計降本增效‌單芯片集成多路輸出功能(如驅(qū)動電路、采樣接口),減少外圍元件數(shù)量30%-50%,降低系統(tǒng)成本的同時提升功率密度至12W/cm³。

車規(guī)級安全冗余‌通過AEC-Q100認(rèn)證的μDCDC應(yīng)急電源模塊,在高壓斷電時維持關(guān)鍵系統(tǒng)供電,保障充電中斷場景下的安全冗余。

技術(shù)影響與行業(yè)價值

快充技術(shù)普惠化‌:PI方案推動22kW高功率OBC下沉至20萬元級車型(如比亞迪宋PLUS新能源),加速“充電9分鐘續(xù)航400公里”技術(shù)普及25;‌綠色能源協(xié)同‌:GaN與SiC技術(shù)的互補應(yīng)用(GaN高頻、SiC耐大電流),助力350kW超充樁實現(xiàn)全生命周期碳排放降低40%。

通過高頻高效轉(zhuǎn)換、高壓平臺適配及智能化管理,PI芯片正在重構(gòu)新能源汽車充電系統(tǒng)的效率邊界,為“充電像加油一樣快”的行業(yè)愿景提供底層技術(shù)支撐。

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沈夜
LV.8
2
05-24 00:13

如何實現(xiàn)更高效的車載充電機轉(zhuǎn)換效率?

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05-24 20:53

高頻高效轉(zhuǎn)換、高壓平臺適配及智能化管理,PI芯片必將在充電領(lǐng)域大放異彩。

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05-24 21:51

pi芯片在電能領(lǐng)域使用非常普遍了 

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htwdb
LV.8
5
05-25 17:17

降低開關(guān)損耗的方法有哪些?采用低導(dǎo)通電阻還是主要對電路布局和線性規(guī)劃?

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tanb006
LV.10
6
05-25 17:28

用這么多高端零件,也不過是把效率從90%提高到95%附近。

為了5%有意義嗎?老百姓的錢也不是風(fēng)刮來的,他們會不會為這5%而付出200%的價格?

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05-26 23:38

‌快充技術(shù)普惠化‌:PI方案推動22kW高功率OBC下沉至20萬元級車型(如比亞迪宋PLUS新能源),加速“充電9分鐘續(xù)航400公里”技術(shù)普及25,快充進一步普及

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tanb006
LV.10
8
05-27 14:58

高電壓開關(guān)時,開關(guān)頻率不適宜太高。但低壓就可以高頻率跑。

高壓低頻是目前充電設(shè)備的弊端,只能從零件性能上去做文章。

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千影
LV.6
9
05-30 23:41

如何提高新能源汽車快充技術(shù)的可靠性和安全性?

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沈夜
LV.8
10
06-23 00:14

1. GaN在電動汽車充電中的優(yōu)勢何在?

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地瓜patch
LV.8
11
07-26 09:14

減少外圍元件數(shù)量30%-50%,這集成度很高的,減小了電路板面積和電路設(shè)計難度。

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cwm4610
LV.6
12
07-28 08:38

這個主要是氮化鎵的作用很大。還有功率因數(shù)問題也是關(guān)鍵點

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