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芯片IC中的串擾噪聲

什么是串擾

芯片串擾是指在芯片內部,信號在傳輸過程中,由于相鄰信號線之間的電磁耦合,導致一個信號的能量部分地耦合到其他信號線上,從而對其他信號產生干擾的現象。

如上圖,A點為驅動源,如果A點為干擾源,則A、B之間的網絡稱為干擾源網絡,位于D點的接收器為被干擾對象,CD之間的網絡稱為被干擾對象網絡,位于C點的串擾稱為近端串擾,位于D點的串擾稱為遠端串擾,當干擾源狀態發生變化時,被干擾對象網絡上會產生串擾脈沖,影響信號質量。電磁耦合包括容性耦合、感性耦合和輻射耦合。

容性串擾

容性串擾是芯片串擾的一種,主要是由于相鄰信號線之間存在寄生電容,從而導致信號耦合產生干擾。當一根信號線上的電壓發生變化時,通過寄生電容會在相鄰信號線上產生感應電荷,進而產生感應電壓,形成容性串擾。這種串擾在高速、高密度的芯片設計中尤為突出,因為此時信號線間距小,寄生電容效應更明顯。

任意兩導體之間都會存在互容,干擾源網絡會通過分布電容把電流合到相鄰的被干擾對象網絡上去。下圖是兩傳輸線之間容性耦合的等效模型,截取一小段??X,設單位長度互容為Cm,當在干擾源網絡的源端加一電壓為Us,的激勵信號后,會有容性耦合電流流向被干擾對象網絡的近端和遠端,設遠端耦合電壓為Uf,近端耦合電壓為 Ub.

由于對稱,容性耦合噪聲電流,一半流向近端,一半流向遠端,由基爾霍夫定律可得:

上時鐘Z0是阻抗。由于對稱,所以Ub=Uf,將上式簡并:

遠端容性耦合噪聲跟著干擾源信號一起向遠端傳播,干擾源每走一步都會在被干擾對象網絡上產生遠端容性耦合噪聲,這些噪聲會一直累加,當信號到達負載端的同時,遠端容性耦合噪聲也會到達遠端,因此對于線長為L的遠端,遠端噪聲電壓為:

假如源端激勵信號的邊沿是線性上升的,上升時間為??t,則遠端容性耦合噪聲波形為一個寬為??t的矩形脈沖,脈沖幅度與耦合長度L成正比,與激勵信號的上升時間成反比。

近端容性耦合噪聲和干擾源信號的傳播信號方向相反,因此干擾源注入電流的交迭時間只有干擾源信號上升時間的一半,為??t/2。之后隨著干擾源向負載端的移動,會不斷的產生近端容性耦合噪聲向近端傳播,當干擾源信號到達負載端時,就不再有耦合噪聲出現,但被干擾對象網絡上的串擾脈沖會經過TD時間從遠端傳回近端。因此近端容性耦合噪聲電壓先上升到一個恒定值并持續時間2*TD,然后下降到0,此噪聲電壓幅值為:

其中U0 為干擾源的峰值電壓。因此當耦合長度大于干擾源信號前沿的空間延伸時,近端容性合噪聲電壓的幅值與合長度無關,近端容性耦合噪聲波形的寬度與合長度成正比。

感性串擾

感性串擾是芯片中由于相鄰導線間的互感作用,使一根導線上的電流變化在另一根導線上產生感應電壓,進而對信號造成干擾的現象。以下是其產生原理和影響的具體介紹。當芯片中一根導線上有變化的電流通過時,會產生變化的磁場,根據電磁感應定律,變化的磁場會在周圍的導體中產生感應電動勢。相鄰導線處于該變化磁場中,就會產生感應電壓,形成感性串擾。感性串擾與電流的變化率、導線間的互感系數等因素有關。電流變化率越大、互感系數越大,感性串擾越明顯。

下圖是感性耦合等效模型,其中Is為激勵源電流,m為單位長度的互感。

由電流的連續性可知,近端感性耦合與遠端感性耦合噪聲的極性相反,因此可以得到:

將Is=Us/Z0代入上式得到:

同容性串擾一樣,感性串擾的遠端和近端的噪聲幅值為:

輻射串擾

芯片輻射串擾是指芯片內部或外部的電磁輻射,對芯片內的信號傳輸線或器件產生干擾的現象。 產生原因包括內部輻射源和外部輻射源。內部輻射源:芯片內的高速時鐘電路、高頻信號發生器等是主要輻射源,它們工作時會產生高頻電磁波。當這些電磁波的頻率較高且強度較大時,就可能會對周圍的信號線和器件產生輻射串擾。外部輻射源:芯片周圍的其他電子設備、電源線、無線信號等也可能成為外部輻射源。如果芯片的屏蔽措施不完善,外部的電磁輻射就容易進入芯片內部,導致輻射串擾。

如何化解串擾

芯片設計層面。優化布局布線:合理規劃芯片內部模塊布局,將產生強干擾的模塊與敏感模塊分開,加大間距。同時,盡量減少平行信號線長度,增加相鄰信號線間距,還可采用交錯布線方式打亂干擾源與受擾線的耦合路徑。調整信號層與電源層:增加電源層和地層數量,為信號提供穩定參考平面,減少電源噪聲對信號的影響。合理分配信號層,將高速、敏感信號分布在不同層,避免相鄰層信號相互干擾。采用差分信號傳輸:差分信號以兩根信號線傳輸大小相等、極性相反的信號,對共模干擾有很強抑制能力,能有效減少串擾噪聲。                     

芯片制造層面。優化工藝參數:精確控制光刻、蝕刻等工藝參數,確保信號線寬度、間距等尺寸精度,減少工藝偏差導致的寄生參數變化,降低串擾噪聲。使用低噪聲材料:選擇介電常數低、損耗角正切小的絕緣材料,可減小信號線間寄生電容,降低容性串擾。同時,采用電阻率低、導電性能好的金屬材料作信號線,減少電阻熱噪聲。

系統層面。電磁屏蔽:使用金屬屏蔽罩、屏蔽網等對芯片局部或整個系統進行屏蔽,阻止外部電磁干擾進入芯片,也防止芯片內部串擾噪聲傳播到外部。濾波處理:在芯片電源輸入端和信號輸入輸出端安裝濾波器,濾除電源線上高頻噪聲和信號線上的干擾信號,減少串擾噪聲的傳播。

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tanb006
LV.10
2
06-23 14:50

耦合串擾免不了的。任何導體之間都有電容存在。只能盡量用其他方式修正被干擾的波形。

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only one
LV.8
3
06-23 23:34

芯片串擾是指在芯片內部,信號在傳輸過程中,由于相鄰信號線之間的電磁耦合,導致一個信號的能量部分地耦合到其他信號線上,從而對其他信號產生干擾的現象。,要怎么避免呢

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06-23 23:50

容性串擾是芯片串擾的一種,主要是由于相鄰信號線之間存在寄生電容,從而導致信號耦合產生干擾。當一根信號線上的電壓發生變化時,通過寄生電容會在相鄰信號線上產生感應電荷,怎么解決呢?

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06-24 08:38

怎么樣有效計算串擾對信號傳輸的影響

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06-24 09:05

怎么樣計算串擾噪聲對傳輸效率的影響

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06-24 17:29

如何有效降低串擾噪聲對信號電路的干擾

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06-24 17:38

串擾對系統傳輸有哪些不利影響

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tanb006
LV.10
9
06-24 18:31
@only one
芯片串擾是指在芯片內部,信號在傳輸過程中,由于相鄰信號線之間的電磁耦合,導致一個信號的能量部分地耦合到其他信號線上,從而對其他信號產生干擾的現象。,要怎么避免呢

根據它文中的意思,大概是感性阻抗和容性阻抗如果參數合適的情況下,極性是相反的。所以,可以按理做出來走線的感性和容性符合要求的走線方式。

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06-24 23:16

濾波是一門玄學

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XHH9062
LV.9
11
06-25 22:47

學習到了

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htwdb
LV.8
12
06-26 11:01

介質材料(低k/超低k)對柔性串擾的影響如何來量化?

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fzwwj95
LV.6
13
06-26 14:24
@only one
芯片串擾是指在芯片內部,信號在傳輸過程中,由于相鄰信號線之間的電磁耦合,導致一個信號的能量部分地耦合到其他信號線上,從而對其他信號產生干擾的現象。,要怎么避免呢

要避免芯片串擾,需從設計、制造和系統層面綜合優化:

設計層面:優化布局布線,增加信號線間距(>3倍線寬),減少平行走線長度;采用差分信號傳輸(如LVDS),利用共模抑制降低干擾;添加電源/地層作為參考平面,隔離高速與敏感信號。制造層面:選用低介電常數(低k)絕緣材料(如超低k介質),減小寄生電容;精確控制工藝參數(線寬/間距公差<5%),降低寄生效應。系統層面:在關鍵信號路徑添加RC濾波電路(如100Ω電阻+10pF電容),濾除高頻噪聲;使用電磁屏蔽罩(如銅合金)包裹敏感模塊。

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fzwwj95
LV.6
14
06-26 14:25
@瘋狂的西紅柿
容性串擾是芯片串擾的一種,主要是由于相鄰信號線之間存在寄生電容,從而導致信號耦合產生干擾。當一根信號線上的電壓發生變化時,通過寄生電容會在相鄰信號線上產生感應電荷,怎么解決呢?

解決容性串擾的核心是降低寄生電容影響:

增加間距:確保相鄰信號線間距至少為線寬的3倍(例如,0.1μm線寬時,間距>0.3μm),減少互容Cm。使用屏蔽層:在信號線間插入接地屏蔽線(如Guard Trace),阻斷電容耦合路徑。優化材料:采用低k介質材料(介電常數<3.0),如聚酰亞胺,減小單位長度互容Cm;結合交錯布線,打亂耦合對稱性??刂菩盘栠呇兀航档托盘柹仙龝r間(如從1ns增至2ns),通過公式Uf ∝ L/Δt減少遠端噪聲幅度。

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fzwwj95
LV.6
15
06-26 14:25
@dy-TMelSvc9
怎么樣有效計算串擾對信號傳輸的影響

計算串擾對信號傳輸的影響需結合模型和公式:

容性串擾模型:遠端噪聲電壓Uf = (Cm * L * dV/dt) / (2 * Z0),其中Cm為互容(單位pF/m),L為耦合長度,dV/dt為干擾源電壓變化率,Z0為特征阻抗(通常50Ω)。例如,若Cm=0.1pF/m、L=0.1m、dV/dt=1V/ns,則Uf≈10mV。感性串擾模型:遠端噪聲Uf = (Lm * dI/dt) / (2 * Z0),Lm為互感(單位nH/m),dI/dt為電流變化率。綜合評估:使用SPICE仿真工具(如HSPICE)輸入寄生參數,模擬眼圖或BER(誤碼率),量化信號完整性損失(如噪聲裕度降低>20%視為失效)。

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fzwwj95
LV.6
16
06-26 14:25
@htwdb
介質材料(低k/超低k)對柔性串擾的影響如何來量化?

量化低k/超低k介質材料對串擾的影響,需通過參數建模和實驗:

參數關系:容性串擾噪聲Uf ∝ Cm,而Cm ∝ ε_r(介電常數)。低k材料(ε_r<3.0,如SiCOH)可降低Cm 30-50%,從而減少Uf比例。例如,ε_r從4.0降至2.5時,Cm減小約40%,Uf相應降低。量化方法:仿真工具:在Ansys HFSS中建立傳輸線模型,輸入材料ε_r值,掃描頻率(1-10GHz),輸出S參數(如S21串擾系數)。經驗公式:ΔUf (%) ≈ k * (1 - ε_{r,new}/ε_{r,old}),其中k為工藝因子(典型值0.8-1.2)。實測驗證:使用TDR(時域反射計)測量不同材料樣品的串擾噪聲,對比ε_r與噪聲幅值曲線(如ε_r每降低0.5,Uf減少15-20%)。

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dy-StTIVH1p
LV.8
17
06-27 16:55

怎么樣有效減少噪聲對信號傳輸的干擾

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dy-mb2U9pBf
LV.8
18
06-29 14:50

芯片做成功了,我買來這個噪聲還有嗎?怎么避免呢?我想弄明白。

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方笑塵MK
LV.8
19
07-08 20:58

對于較多的長數據傳輸線,可適當拉開線間距,結合互聯線的couple model進行仿真,確定具體間隔,減少串擾

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沈夜
LV.8
20
07-22 02:20

如何有效降低芯片間的串擾現象?

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dy-MZJ9CapR
LV.3
21
07-24 20:17

這種問題,需要經驗,增加磁性器件和一些電感,主要還是電路設計與PCB布局與走線。

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dy-SMjbg11u
LV.3
22
07-24 21:11

芯片IC中的串擾噪聲可以通過增大走線間距、使用慢速器件、靠近地平面或電源平面、插入地線、垂直走線和使用差分信號等方法進行處理

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