NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管，是一種電壓控制型半導體器件。其核心結構由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當柵極電壓高于閾值時，溝道導通，電子從源極流向漏極，實現信號或功率控制。

作為三大基礎半導體器件之一，NMOS 管具有高頻特性好、輸入阻抗高、功耗低等優勢，廣泛應用于：

數字電路：構成微處理器、存儲器等集成電路的基本單元（如 CMOS 工藝）；

電源管理：DC-DC 轉換器、LDO 穩壓器中的開關元件；

功率控制：電機驅動、LED 照明、新能源汽車的功率模塊；

通信設備：射頻開關、信號放大器等高頻電路。