@renchj
朋友,我有點看法:我認為:D2、Q3和R4構成了一個加速關斷電路.在mosfet開通時D2提供給Q3的基極一個偏置電壓,保證Q3有一個不大的偏置電流,在mosfet關斷時R4的存在使得mosfet加速關斷.個人看法供朋友參考!
剛才做個實驗,D2在通過0.4A電流時壓降才0.45V,那個PNP三極管EB結電壓0.65V(空載測量).
由于三極管是貼片的,二極管也沒型號(估計是鍺管),現在板子沒辦法加電,但是從用意看,應該是加速MOS管結電容釋放,但是有無法理解.
望大家多多獻策!