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RCC設(shè)計方法詳解2

由RCC專業(yè)戶發(fā)起的貼子實在是太受歡迎了,因為跟貼的人太多,在帖子后面很多的問題都不能及時得到大家的響應(yīng),現(xiàn)我重新開一個新的空間,對"RCC設(shè)計方法詳解"的延伸.

cary.chen:   第1帖  編輯  好帖       2004-10-13 20:07:      
話題:RCC設(shè)計方法詳解在RCC設(shè)計中,一般先設(shè)定工作頻率,如為50K,然後設(shè)定工作DUTY在90V入力,最大輸出時為0.5
    假設(shè)設(shè)計一功率為12V/1A
    1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.
    2. 出力電力Pout =  Vout × Iout = 12V×1.3A = 15.6W
    3. 入力電力 Pin = Pout/∩=22.3W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75% , 取70%)
    4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=22.3/85*1.2=0.22( Vin(DCmin) = Vac(Inmin)×1.2)
    5. T=1/swF=1/50K=20uS   Ton=Toff=10uS
    6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.22*2/0.5=0.88
    7. 一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.88=1159uH取1160uH
    8. 選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EI28. Ae=0.85CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當(dāng)然,這是很保守的作法)
    9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.88*1160*100)/(0.85*2000)=60Ts
    10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=7.6 取8Ts
    11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V
    12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=2.94 取3Ts
    故變壓器的構(gòu)造如下:
     Lp=1160uH
     Np=60Ts
     Ns=7Ts
     Nb=3Ts
    采用三明治繞法.
以上
如有問題請回復(fù).
全部回復(fù)(25)
正序查看
倒序查看
2005-05-10 09:57
假設(shè)設(shè)計一功率為5.5V/0.8A input 85~264vac 50/60Hz 45kHz
    1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.
         0.8 ×1.3= 1.04 A
    2. 出力電力Pout =  Vout × Iout = 5.5V×1.04A = 5.72W

    3. 入力電力 Pin = Pout/∩=8.17W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75% ,
                                                      取70%)

    4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=8.17/85*1.2=0.08

    5. T=1/swF=1/45K=22uS   Ton=Toff=11uS

    6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.08*2/0.5=0.32

    7. 一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.32=3187uH取3190uH

    8. 選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EF12.6. Ae=0.13CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當(dāng)然,
    
       這是很保守的作法)
    
9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.32*3190*100)/(0.13*2000)=393Ts

    10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=6.5×393/102= 25Ts

    11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V

    12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=19Ts

    故變壓器的構(gòu)造如下:

     Lp=3190uH
     Np=393Ts
     Ns=25Ts
     Nb=19Ts
    采用三明治繞法.

  很明顯,用EF12.6的變壓器是沒辦法做,我看別人的參數(shù),一般都在120TS左右,是我算的不對,還是公式僅適合大功率
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clqun
LV.5
3
2005-05-10 12:37
@pine-tum888
假設(shè)設(shè)計一功率為5.5V/0.8Ainput85~264vac50/60Hz45kHz    1.最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.        0.8×1.3=1.04A    2.出力電力Pout=  Vout×Iout=5.5V×1.04A=5.72W    3.入力電力Pin=Pout/∩=8.17W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75%,                                                      取70%)    4.入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=8.17/85*1.2=0.08    5.T=1/swF=1/45K=22uS  Ton=Toff=11uS    6.Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.08*2/0.5=0.32    7.一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.32=3187uH取3190uH    8.選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EF12.6.Ae=0.13CM^2動作磁通=2000~2800取2000(當(dāng)然,          這是很保守的作法)    9.Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.32*3190*100)/(0.13*2000)=393Ts    10.Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=6.5×393/102=25Ts    11.輔助電壓取5V(電晶體)如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V    12.Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=19Ts    故變壓器的構(gòu)造如下:    Lp=3190uH    Np=393Ts    Ns=25Ts    Nb=19Ts    采用三明治繞法.  很明顯,用EF12.6的變壓器是沒辦法做,我看別人的參數(shù),一般都在120TS左右,是我算的不對,還是公式僅適合大功率
原邊怎么那么多啊
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clqun
LV.5
4
2005-05-10 12:38
@clqun
原邊怎么那么多啊
跟磁心有關(guān)系
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2005-05-19 10:44
@clqun
跟磁心有關(guān)系
沒人頂!
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張有良
LV.4
6
2005-05-20 21:43
@pine-tum888
沒人頂!
GOOD Thanks;
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xiaodong
LV.9
7
2005-09-15 21:35
@pine-tum888
假設(shè)設(shè)計一功率為5.5V/0.8Ainput85~264vac50/60Hz45kHz    1.最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.        0.8×1.3=1.04A    2.出力電力Pout=  Vout×Iout=5.5V×1.04A=5.72W    3.入力電力Pin=Pout/∩=8.17W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75%,                                                      取70%)    4.入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=8.17/85*1.2=0.08    5.T=1/swF=1/45K=22uS  Ton=Toff=11uS    6.Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.08*2/0.5=0.32    7.一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.32=3187uH取3190uH    8.選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EF12.6.Ae=0.13CM^2動作磁通=2000~2800取2000(當(dāng)然,          這是很保守的作法)    9.Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.32*3190*100)/(0.13*2000)=393Ts    10.Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=6.5×393/102=25Ts    11.輔助電壓取5V(電晶體)如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V    12.Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=19Ts    故變壓器的構(gòu)造如下:    Lp=3190uH    Np=393Ts    Ns=25Ts    Nb=19Ts    采用三明治繞法.  很明顯,用EF12.6的變壓器是沒辦法做,我看別人的參數(shù),一般都在120TS左右,是我算的不對,還是公式僅適合大功率
我也遇到了這樣問題,都憂悶了一個月還沒搞定,又沒示波器等儀器,唉,憂悶死了,高手快來啊.
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jundz
LV.8
8
2005-09-16 15:29
老大能不能給個原理圖按你的方法我做一個學(xué)習(xí)一下,我們做單心片的電源比較多.
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xiaodong
LV.9
9
2005-09-16 18:19
@pine-tum888
假設(shè)設(shè)計一功率為5.5V/0.8Ainput85~264vac50/60Hz45kHz    1.最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.        0.8×1.3=1.04A    2.出力電力Pout=  Vout×Iout=5.5V×1.04A=5.72W    3.入力電力Pin=Pout/∩=8.17W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75%,                                                      取70%)    4.入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=8.17/85*1.2=0.08    5.T=1/swF=1/45K=22uS  Ton=Toff=11uS    6.Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.08*2/0.5=0.32    7.一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.32=3187uH取3190uH    8.選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EF12.6.Ae=0.13CM^2動作磁通=2000~2800取2000(當(dāng)然,          這是很保守的作法)    9.Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.32*3190*100)/(0.13*2000)=393Ts    10.Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=6.5×393/102=25Ts    11.輔助電壓取5V(電晶體)如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V    12.Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=19Ts    故變壓器的構(gòu)造如下:    Lp=3190uH    Np=393Ts    Ns=25Ts    Nb=19Ts    采用三明治繞法.  很明顯,用EF12.6的變壓器是沒辦法做,我看別人的參數(shù),一般都在120TS左右,是我算的不對,還是公式僅適合大功率
top you again
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xiaodong
LV.9
10
2005-09-16 20:31
@pine-tum888
假設(shè)設(shè)計一功率為5.5V/0.8Ainput85~264vac50/60Hz45kHz    1.最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.        0.8×1.3=1.04A    2.出力電力Pout=  Vout×Iout=5.5V×1.04A=5.72W    3.入力電力Pin=Pout/∩=8.17W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75%,                                                      取70%)    4.入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=8.17/85*1.2=0.08    5.T=1/swF=1/45K=22uS  Ton=Toff=11uS    6.Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.08*2/0.5=0.32    7.一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.32=3187uH取3190uH    8.選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EF12.6.Ae=0.13CM^2動作磁通=2000~2800取2000(當(dāng)然,          這是很保守的作法)    9.Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.32*3190*100)/(0.13*2000)=393Ts    10.Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=6.5×393/102=25Ts    11.輔助電壓取5V(電晶體)如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V    12.Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=19Ts    故變壓器的構(gòu)造如下:    Lp=3190uH    Np=393Ts    Ns=25Ts    Nb=19Ts    采用三明治繞法.  很明顯,用EF12.6的變壓器是沒辦法做,我看別人的參數(shù),一般都在120TS左右,是我算的不對,還是公式僅適合大功率
怎么沒人回復(fù)啊,高手們,你們在哪?這個問題都憂悶了我一個月了.
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ceor
LV.4
11
2005-09-16 21:33
我覺得你的第10步有問題.你怎么會不考慮占空比呢?還有你的K也太高了吧!你不要、安全距離呀!
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xiaodong
LV.9
12
2005-09-17 10:16
@ceor
我覺得你的第10步有問題.你怎么會不考慮占空比呢?還有你的K也太高了吧!你不要、安全距離呀!
占空比是0.5,在式中可以看到.K有什么問題?沒問題!安全距離也沒問題,小電壓小電流!在繞線時考慮三重絕緣就可以了.
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xiaodong
LV.9
13
2005-09-17 10:19
@jundz
老大能不能給個原理圖按你的方法我做一個學(xué)習(xí)一下,我們做單心片的電源比較多.
小電流小電壓RCC原理圖很簡單,網(wǎng)上一搜索都是.關(guān)鍵的是變壓器的匝數(shù)計算及前面的限流電阻取值.電阻大小及輸入濾波電容涉及到最小輸入電壓的計算.
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xiaodong
LV.9
14
2005-09-17 10:24
@jundz
老大能不能給個原理圖按你的方法我做一個學(xué)習(xí)一下,我們做單心片的電源比較多.
單芯片電源怎么做?有空講下你的心得好嗎?
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LV.1
15
2005-09-17 11:40
第6點Ipk是怎么來的?我覺得應(yīng)該根據(jù)功率來算Ipk=(2*Po*T)/(∩*Vi*Ton)
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xiaodong
LV.9
16
2005-09-17 18:24
@
第6點Ipk是怎么來的?我覺得應(yīng)該根據(jù)功率來算Ipk=(2*Po*T)/(∩*Vi*Ton)
一樣的,只是化簡了而已
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LV.1
17
2005-09-19 11:51
@xiaodong
一樣的,只是化簡了而已
請問效率為什么取那么低?取高了有什么不好的地方嗎?
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jundz
LV.8
18
2005-09-19 13:36
@xiaodong
小電流小電壓RCC原理圖很簡單,網(wǎng)上一搜索都是.關(guān)鍵的是變壓器的匝數(shù)計算及前面的限流電阻取值.電阻大小及輸入濾波電容涉及到最小輸入電壓的計算.
我搞不清是RCC還是普通反激.請指教,我先謝了!!!
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jundz
LV.8
19
2005-09-19 13:39
@xiaodong
單芯片電源怎么做?有空講下你的心得好嗎?
老兄不要取笑我嘛!還不是按IC的資料做.
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ceor
LV.4
20
2005-09-19 18:05
@xiaodong
占空比是0.5,在式中可以看到.K有什么問題?沒問題!安全距離也沒問題,小電壓小電流!在繞線時考慮三重絕緣就可以了.
你的這個第十步絕對有問題,我們可以請教高人嘛!
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xiaodong
LV.9
21
2005-09-19 18:26
@
請問效率為什么取那么低?取高了有什么不好的地方嗎?
老兄,你想它成為千里馬,可它本來就是百里馬,你非要讓它成為千里馬能成嗎?RCC我實測過很多都只有65-70%.效率低是RCC電路一大弱點.
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xiaodong
LV.9
22
2005-09-19 18:34
@jundz
我搞不清是RCC還是普通反激.請指教,我先謝了!!!
RCC是反激的一部分,當(dāng)然它還有其自身獨有的特點.請教不敢當(dāng),互相學(xué)習(xí).
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LV.1
23
2005-09-20 14:08
@xiaodong
老兄,你想它成為千里馬,可它本來就是百里馬,你非要讓它成為千里馬能成嗎?RCC我實測過很多都只有65-70%.效率低是RCC電路一大弱點.
我看你寫的設(shè)計步驟里有關(guān)于效率取值的,如果取大了不是也能設(shè)計出來嗎?
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xiaodong
LV.9
24
2005-09-20 18:21
@ceor
你的這個第十步絕對有問題,我們可以請教高人嘛!
怎樣,高人如何說?呵呵,我也是路過,只是我覺得樓主的計算并沒有錯.只是BM 取值可以到2500.安全距離在安規(guī)中是不行,但在實際中是沒有什么問題的,小電壓小電流嘛.很多公司的小充電器都是這樣設(shè)計的,我這有一款充電器是用EE10的.
歡迎發(fā)表反對意見.
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jundz
LV.8
25
2005-09-21 11:15
@xiaodong
RCC是反激的一部分,當(dāng)然它還有其自身獨有的特點.請教不敢當(dāng),互相學(xué)習(xí).
到底RCC和反激如何分辯.請各位講解一下,我先謝了!!
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孤燈下
LV.7
26
2007-04-27 08:29
這個要頂!
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