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做金鹵燈鎮(zhèn)流器用什么IC較好?

做金鹵燈鎮(zhèn)流器用什么IC較好?
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7516275
LV.4
2
2005-05-28 10:37
自己頂一下
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changze
LV.9
3
2005-05-28 11:30
IR的,,,2159可以改用,,,,
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7516275
LV.4
4
2005-05-30 19:21
@changze
IR的,,,2159可以改用,,,,
貼個圖
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2005-05-31 09:56
@changze
IR的,,,2159可以改用,,,,
IR2159已經(jīng)不生產(chǎn)了,建議用21592或21593.
0
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lion9891
LV.2
6
2005-05-31 10:39
@changze
IR的,,,2159可以改用,,,,
仁兄,看你發(fā)了很多貼,應(yīng)該說是我的前輩吧!請問你有用過TI公司的UCC2305做過HID汽車頭燈的經(jīng)驗(yàn)嗎?愚兄我現(xiàn)在畫了一個板子,但是可能因?yàn)橥鈬?shù)的原因,現(xiàn)在的VCC都不正常.能否指點(diǎn)一,二,本人在此謝過.
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changze
LV.9
7
2005-05-31 14:02
@lion9891
仁兄,看你發(fā)了很多貼,應(yīng)該說是我的前輩吧!請問你有用過TI公司的UCC2305做過HID汽車頭燈的經(jīng)驗(yàn)嗎?愚兄我現(xiàn)在畫了一個板子,但是可能因?yàn)橥鈬?shù)的原因,現(xiàn)在的VCC都不正常.能否指點(diǎn)一,二,本人在此謝過.
做了一下,,,不太好用,,,,后來按它的工作方法用2845代替它了,,,,

這個芯片使用的要求是比較高的,,,它有很多條件都達(dá)到這后才會正常工作,,,總之調(diào)試比較麻煩,,,價(jià)格而且又很高,,,
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changze
LV.9
8
2005-05-31 14:02
@lion9891
仁兄,看你發(fā)了很多貼,應(yīng)該說是我的前輩吧!請問你有用過TI公司的UCC2305做過HID汽車頭燈的經(jīng)驗(yàn)嗎?愚兄我現(xiàn)在畫了一個板子,但是可能因?yàn)橥鈬?shù)的原因,現(xiàn)在的VCC都不正常.能否指點(diǎn)一,二,本人在此謝過.
還有它的布線干擾也是要求較高的,,,
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2005-05-31 23:27
這最好是用IR的IR2153+IR2111來做了.目前市場大多采用此方案
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allanyao
LV.4
10
2005-06-01 00:28
@changze
做了一下,,,不太好用,,,,后來按它的工作方法用2845代替它了,,,,這個芯片使用的要求是比較高的,,,它有很多條件都達(dá)到這后才會正常工作,,,總之調(diào)試比較麻煩,,,價(jià)格而且又很高,,,
Changze大哥,請問一下那如果我用UC3842+IR2153(半橋)這樣也可以辦到嗎
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allanyao
LV.4
11
2005-06-01 00:30
@changze
還有它的布線干擾也是要求較高的,,,
Changze大哥請問一下這意思是說對EMI要求高嗎,還是有其他意思?不好意思問題粉多,不過對電子鎮(zhèn)流器真的越來越有興趣,所以有問題都想知道答案?
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allanyao
LV.4
12
2005-06-01 00:31
@changze
還有它的布線干擾也是要求較高的,,,
Changze大哥請問一下這意思是說對EMI要求高嗎,還是有其他意思?不好意思問題粉多,不過對電子鎮(zhèn)流器真的越來越有興趣,所以有問題都想知道答案?
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changze
LV.9
13
2005-06-01 08:28
@allanyao
Changze大哥,請問一下那如果我用UC3842+IR2153(半橋)這樣也可以辦到嗎
3845
+2153+2111,,,,
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rodman
LV.6
14
2005-06-01 16:38
@simon_wang
這最好是用IR的IR2153+IR2111來做了.目前市場大多采用此方案
專營電子灌封黑膠
   廠價(jià)直銷,價(jià)格優(yōu)惠,性能優(yōu)良,有多種性能規(guī)格可供選擇,具體電話聯(lián)系或前往我公司面議,根具量而定.很多大公司都用我們的產(chǎn)品.歡迎各位大蝦電話咨詢.
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7516275
LV.4
15
2005-06-02 15:00
@simon_wang
這最好是用IR的IR2153+IR2111來做了.目前市場大多采用此方案
是半橋嗎?
0
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流明
LV.2
16
2005-06-02 18:38
做金鹵燈鎮(zhèn)流器用2030吧!能做到300W
0
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simon_wang
LV.6
17
2005-06-02 20:51
@7516275
是半橋嗎?
做全橋的
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rodman
LV.6
18
2005-06-03 17:21
@7516275
自己頂一下
全橋驅(qū)動器UBA2030T及其應(yīng)用

1前言

飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T,是為驅(qū)動全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的功率MOSFET而專門設(shè)計(jì)的高壓IC.UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可組成高強(qiáng)度放電(HID)燈電子鎮(zhèn)流器電路,并且為HID燈驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)提供了解決方案.

2封裝、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能

UBA2030T采用24腳SO封裝,頂視圖如圖1所示.

UBA2030T芯片集成了自舉二極管、振蕩器、高壓和低壓電平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驅(qū)動器及控制邏輯等電路,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示.

表1列出了UBA2030T的引腳功能.

2主要參數(shù)及特點(diǎn)

2.1主要參數(shù)

UBA2030T的主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)如表2所列.

2.2主要特點(diǎn)



圖1SO24封裝頂視圖

UBA2030T的主要特點(diǎn)如下:

內(nèi)置自舉二極管,用作驅(qū)動全橋電路可使外部元件減少到最低限度;

高壓輸入直達(dá)570V,為驅(qū)動內(nèi)部電路和全橋



圖2UBA2030T的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

表1引腳功能 腳號  符號  功能描述  
1  GLR  低端右邊MOSFET的柵極驅(qū)動器輸出  
2  PGND  低端左、右MOSFET的源極功率地  
3  GLL  低端左邊MOSFET的柵極驅(qū)動器輸出  
4,6,9,16,17,19  n.c.  不連接  
5  RC  內(nèi)部振蕩器RC輸入  
7  BE  控制輸入使能  
8  BER  橋路參考輸入使能  
10  FSL  浮置電源電壓左邊輸出  
11  GHL  高端左邊MOSFET柵極驅(qū)動器輸出  
12  SHL  高端左邊MOSFET源極  
13  SHR  高端右邊MOSFET源極  
14  GHR  高端右邊MOSFET柵極驅(qū)動器輸出  
15  FSR  浮置電源電壓右邊輸出  
18  HV  高壓電源輸入  
20  EXO  外部振蕩器輸入  
21  SD  關(guān)閉輸入  
22  DTC  死區(qū)時間控制輸入  
23  VDD  內(nèi)部(低壓)電源  
24  SGND  信號地  



表2主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù) 符號  參數(shù)  條件  最小值  典型值  最大值  單位  
高壓  
VHV  高壓電源(電壓)     0  -  570  V  
啟動(經(jīng)腳HV施加)  
Istrtu  啟動電流     -  0.7  1.0  mA  
Vth(osc,strt)  啟動振蕩門限電壓  在fbridge=500Hz下,無載  14.0  15.5  17.0  V  
Vth(osc,strt)  停止振蕩門限電壓  在fbridge=500Hz下,無載  11.5  13.0  14.5  V  
輸出驅(qū)動器  
Io(source)  輸出源電流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V  140  190  240  mA  
Io(sink)  輸出灌電流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V  200  260  320  mA  
內(nèi)部振蕩器  
fbridge  橋路振蕩器頻率  EXQ腳連接到SGND  50  -  50000  Hz  
外部振蕩器  
fosc(ext)  外部振蕩器頻率  RC腳連接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2  100  -  100000  Hz  
死區(qū)時間  
tdead  死區(qū)時間控制范圍(外部可調(diào))     0.4  -  4  μs  
橋路使能  
IIH  高電平輸入電流  使能激活  100  -  700  μA  
IIL  低電平輸入電流  使能堵塞  0  -  20  μA  
關(guān)閉  
VIH  高電平輸入電壓  關(guān)閉激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  4.5  -  VDD  V  
VIL  低電平輸入電壓  關(guān)閉阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  0  -  0.5  V  
II(SD)  輸入電流     0  -  50  μA  
VDD范圍:0V~18V

中的MOSFET,IC提供自己產(chǎn)生的低電源電壓;

利用在DTC腳和SGND腳之間連接的電阻器RDT來設(shè)定死區(qū)時間tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的單位為kΩ時,tdead的單位為μs);

振蕩器頻率可調(diào),當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時,橋路(bridge)頻率可利用外部電阻器ROSC和電容器COSC設(shè)定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;

內(nèi)置PMOS高壓移相器,以控制橋路使能功能;

具有關(guān)閉功能,只要在SD腳上的輸入達(dá)到4.5V,全橋中的4只MOSFET則被關(guān)斷.

3應(yīng)用介紹

UBA2030T典型應(yīng)用主要是在高壓的(HPS)燈和金屬鹵燈這類HID燈電子鎮(zhèn)流器電路中作為全橋驅(qū)動器.

3.1基本應(yīng)用電路

用UBA2030T作驅(qū)動器和HID燈為負(fù)載的全橋基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示.在這個應(yīng)用電路中,



圖3UBA2030T作驅(qū)動器、HID燈為負(fù)載的全橋基本電路



圖4帶外部控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)



圖5控制電路以橋路高端作參考的HID燈驅(qū)動器電路



圖6用低壓DC電源為內(nèi)部電路

提供電流的HID燈全橋驅(qū)動器電路

BER腳、BE腳、EXO腳和SD腳都接系統(tǒng)地,沒有使用橋路使能和關(guān)閉功能.當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時,橋路換向頻率由ROSC和COSC的取值決定.當(dāng)HV施加電壓超過振蕩觸發(fā)門限(典型值是15.5V)時,振蕩器開始振蕩.如果在HV腳上的電壓降至振蕩器停止門限(典型值是13V)電壓,IC將重新進(jìn)入啟動狀態(tài).

一旦IC開始正常工作,在功率開關(guān)HL(Q1)和LR(Q4)導(dǎo)通時,HR(Q3)和LL(Q2)則截止;當(dāng)HR(Q3)和LL(Q2)導(dǎo)通時,HL(Q1)和LR(Q4)則截止.UBA2030T提供的換向邏輯,保證了在HID燈中能產(chǎn)生交變電流.

  HID燈的啟動需要施加一個3kV~10kV的高壓脈沖.由帶負(fù)阻特性的觸發(fā)元件、電容器和升壓線圈等組成的點(diǎn)火器電路,在通電之后能產(chǎn)生足夠使HID燈擊穿的高電壓,使燈引燃.為防止HID燈出現(xiàn)“聲共振”現(xiàn)象,導(dǎo)致電弧不穩(wěn),燒壞燈管,對于HID燈驅(qū)動電路,往往還要采取“聲共振”抑制措施.

3.2帶外部振蕩器控制的應(yīng)用電路

圖4示出的是帶外部振蕩器控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).在該應(yīng)用電路中,UBA2030T的RC腳、BER腳和BE腳連接系統(tǒng)地,橋路換向頻率由外部振蕩器決定,關(guān)閉輸入腳(SD腳)可以用作關(guān)斷全橋電路中的全部MOSFET.

3.3控制電路以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動器電路

UBA2030T在驅(qū)動HID燈全橋系統(tǒng)中作為換向器元件使用.HID燈的使用壽命依賴于通過石英壁的鈉遷移量.為使鈉遷移比率減至最小,HID燈以系統(tǒng)地為參考時,必須在負(fù)壓下工作.圖5示出的是控制單元以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動器電路.在該應(yīng)用電路中,BER腳和HV腳都連接到系統(tǒng)地.

圖6所示的以橋路高端作為參考的又一種HID燈全橋驅(qū)動電路.BER腳連接系統(tǒng)地,通過HV腳流入IC內(nèi)部低壓電路的電流可以由低壓DC電源(如電池)提供,如圖6中虛線所示.RDT的數(shù)值在50kΩ與1000kΩ之間.當(dāng)RDT=220KΩ時,死區(qū)時間tdead是1μs.

在任何應(yīng)用中,在IC腳HV上的電壓不能低于在VDD腳上的電壓.否則,不論是在啟動狀態(tài)還是進(jìn)入正常工作期間,全橋都不會正確工作.在啟動階段,IC的EXO腳和SD腳都應(yīng)處于低電平.在EXO腳和SD腳的電壓為時間函數(shù)時,其變化速率應(yīng)大于5V/ms.
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yeming-1
LV.5
19
2005-06-04 09:51
@rodman
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7516275
LV.4
20
2005-06-06 09:03
@rodman
全橋驅(qū)動器UBA2030T及其應(yīng)用1前言飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T,是為驅(qū)動全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的功率MOSFET而專門設(shè)計(jì)的高壓IC.UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可組成高強(qiáng)度放電(HID)燈電子鎮(zhèn)流器電路,并且為HID燈驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)提供了解決方案.2封裝、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能UBA2030T采用24腳SO封裝,頂視圖如圖1所示.UBA2030T芯片集成了自舉二極管、振蕩器、高壓和低壓電平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驅(qū)動器及控制邏輯等電路,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示.表1列出了UBA2030T的引腳功能.2主要參數(shù)及特點(diǎn)2.1主要參數(shù)UBA2030T的主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)如表2所列.2.2主要特點(diǎn)圖1SO24封裝頂視圖UBA2030T的主要特點(diǎn)如下:內(nèi)置自舉二極管,用作驅(qū)動全橋電路可使外部元件減少到最低限度;高壓輸入直達(dá)570V,為驅(qū)動內(nèi)部電路和全橋圖2UBA2030T的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖表1引腳功能腳號  符號  功能描述  1  GLR  低端右邊MOSFET的柵極驅(qū)動器輸出  2  PGND  低端左、右MOSFET的源極功率地  3  GLL  低端左邊MOSFET的柵極驅(qū)動器輸出  4,6,9,16,17,19  n.c.  不連接  5  RC  內(nèi)部振蕩器RC輸入  7  BE  控制輸入使能  8  BER  橋路參考輸入使能  10  FSL  浮置電源電壓左邊輸出  11  GHL  高端左邊MOSFET柵極驅(qū)動器輸出  12  SHL  高端左邊MOSFET源極  13  SHR  高端右邊MOSFET源極  14  GHR  高端右邊MOSFET柵極驅(qū)動器輸出  15  FSR  浮置電源電壓右邊輸出  18  HV  高壓電源輸入  20  EXO  外部振蕩器輸入  21  SD  關(guān)閉輸入  22  DTC  死區(qū)時間控制輸入  23  VDD  內(nèi)部(低壓)電源  24  SGND  信號地  表2主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)符號  參數(shù)  條件  最小值  典型值  最大值  單位  高壓  VHV  高壓電源(電壓)    0  -  570  V  啟動(經(jīng)腳HV施加)  Istrtu  啟動電流    -  0.7  1.0  mA  Vth(osc,strt)  啟動振蕩門限電壓  在fbridge=500Hz下,無載  14.0  15.5  17.0  V  Vth(osc,strt)  停止振蕩門限電壓  在fbridge=500Hz下,無載  11.5  13.0  14.5  V  輸出驅(qū)動器  Io(source)  輸出源電流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V  140  190  240  mA  Io(sink)  輸出灌電流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V  200  260  320  mA  內(nèi)部振蕩器  fbridge  橋路振蕩器頻率  EXQ腳連接到SGND  50  -  50000  Hz  外部振蕩器  fosc(ext)  外部振蕩器頻率  RC腳連接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2  100  -  100000  Hz  死區(qū)時間  tdead  死區(qū)時間控制范圍(外部可調(diào))    0.4  -  4  μs  橋路使能  IIH  高電平輸入電流  使能激活  100  -  700  μA  IIL  低電平輸入電流  使能堵塞  0  -  20  μA  關(guān)閉  VIH  高電平輸入電壓  關(guān)閉激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  4.5  -  VDD  V  VIL  低電平輸入電壓  關(guān)閉阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  0  -  0.5  V  II(SD)  輸入電流    0  -  50  μA  VDD范圍:0V~18V中的MOSFET,IC提供自己產(chǎn)生的低電源電壓;利用在DTC腳和SGND腳之間連接的電阻器RDT來設(shè)定死區(qū)時間tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的單位為kΩ時,tdead的單位為μs);振蕩器頻率可調(diào),當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時,橋路(bridge)頻率可利用外部電阻器ROSC和電容器COSC設(shè)定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;內(nèi)置PMOS高壓移相器,以控制橋路使能功能;具有關(guān)閉功能,只要在SD腳上的輸入達(dá)到4.5V,全橋中的4只MOSFET則被關(guān)斷.3應(yīng)用介紹UBA2030T典型應(yīng)用主要是在高壓的(HPS)燈和金屬鹵燈這類HID燈電子鎮(zhèn)流器電路中作為全橋驅(qū)動器.3.1基本應(yīng)用電路用UBA2030T作驅(qū)動器和HID燈為負(fù)載的全橋基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示.在這個應(yīng)用電路中,圖3UBA2030T作驅(qū)動器、HID燈為負(fù)載的全橋基本電路圖4帶外部控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖5控制電路以橋路高端作參考的HID燈驅(qū)動器電路圖6用低壓DC電源為內(nèi)部電路提供電流的HID燈全橋驅(qū)動器電路BER腳、BE腳、EXO腳和SD腳都接系統(tǒng)地,沒有使用橋路使能和關(guān)閉功能.當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時,橋路換向頻率由ROSC和COSC的取值決定.當(dāng)HV施加電壓超過振蕩觸發(fā)門限(典型值是15.5V)時,振蕩器開始振蕩.如果在HV腳上的電壓降至振蕩器停止門限(典型值是13V)電壓,IC將重新進(jìn)入啟動狀態(tài).一旦IC開始正常工作,在功率開關(guān)HL(Q1)和LR(Q4)導(dǎo)通時,HR(Q3)和LL(Q2)則截止;當(dāng)HR(Q3)和LL(Q2)導(dǎo)通時,HL(Q1)和LR(Q4)則截止.UBA2030T提供的換向邏輯,保證了在HID燈中能產(chǎn)生交變電流.  HID燈的啟動需要施加一個3kV~10kV的高壓脈沖.由帶負(fù)阻特性的觸發(fā)元件、電容器和升壓線圈等組成的點(diǎn)火器電路,在通電之后能產(chǎn)生足夠使HID燈擊穿的高電壓,使燈引燃.為防止HID燈出現(xiàn)“聲共振”現(xiàn)象,導(dǎo)致電弧不穩(wěn),燒壞燈管,對于HID燈驅(qū)動電路,往往還要采取“聲共振”抑制措施.3.2帶外部振蕩器控制的應(yīng)用電路圖4示出的是帶外部振蕩器控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).在該應(yīng)用電路中,UBA2030T的RC腳、BER腳和BE腳連接系統(tǒng)地,橋路換向頻率由外部振蕩器決定,關(guān)閉輸入腳(SD腳)可以用作關(guān)斷全橋電路中的全部MOSFET.3.3控制電路以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動器電路UBA2030T在驅(qū)動HID燈全橋系統(tǒng)中作為換向器元件使用.HID燈的使用壽命依賴于通過石英壁的鈉遷移量.為使鈉遷移比率減至最小,HID燈以系統(tǒng)地為參考時,必須在負(fù)壓下工作.圖5示出的是控制單元以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動器電路.在該應(yīng)用電路中,BER腳和HV腳都連接到系統(tǒng)地.圖6所示的以橋路高端作為參考的又一種HID燈全橋驅(qū)動電路.BER腳連接系統(tǒng)地,通過HV腳流入IC內(nèi)部低壓電路的電流可以由低壓DC電源(如電池)提供,如圖6中虛線所示.RDT的數(shù)值在50kΩ與1000kΩ之間.當(dāng)RDT=220KΩ時,死區(qū)時間tdead是1μs.在任何應(yīng)用中,在IC腳HV上的電壓不能低于在VDD腳上的電壓.否則,不論是在啟動狀態(tài)還是進(jìn)入正常工作期間,全橋都不會正確工作.在啟動階段,IC的EXO腳和SD腳都應(yīng)處于低電平.在EXO腳和SD腳的電壓為時間函數(shù)時,其變化速率應(yīng)大于5V/ms.
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7516275
LV.4
21
2005-06-06 09:03
@流明
做金鹵燈鎮(zhèn)流器用2030吧!能做到300W
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changze
LV.9
22
2005-06-06 09:57
@7516275
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兄臺,,,,你說話好硬喲!!!!!
(貼個圖)好像別人應(yīng)該的一樣,,,,!!!!!!!
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