MOSFET IRFAE50 損耗怎么計算??
MOSFET IRFAE50 損耗怎么計算?? r=1.2 歐 ,TR和TF分別為,68和24 納秒. 其中電源頻率為200KHZ. 還需要知道什么? 假設(shè)各階段電流已知道! 具體應(yīng)該怎么計算??請高手指點一下.
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@柳西塔
導(dǎo)通損耗好象是D-S之間的內(nèi)阻*電流的平方.開關(guān)損耗怎么算我也想知道
具體怎么算,等我整理后再說,反正對于開關(guān)損耗來說,我們關(guān)心的就是Qg(柵極總電荷).因為它直接決定著輸入電容,Ciss,Cgs等等.Qg大,電容大的時候,前極的驅(qū)動能力要求相對就要大,這其中原因很多,比如說其中之一就是你要先對那些電容充電;在關(guān)斷的時候,也需要將電容的電放完.另外柵極電荷的累積,也會對MOSFET的性能,壽命產(chǎn)生影響.這就是我們?yōu)槭裁丛谠O(shè)計的時候要在VGS之間加一個R=幾K的電阻.
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@b.r.g.j.wallace航天電源
具體怎么算,等我整理后再說,反正對于開關(guān)損耗來說,我們關(guān)心的就是Qg(柵極總電荷).因為它直接決定著輸入電容,Ciss,Cgs等等.Qg大,電容大的時候,前極的驅(qū)動能力要求相對就要大,這其中原因很多,比如說其中之一就是你要先對那些電容充電;在關(guān)斷的時候,也需要將電容的電放完.另外柵極電荷的累積,也會對MOSFET的性能,壽命產(chǎn)生影響.這就是我們?yōu)槭裁丛谠O(shè)計的時候要在VGS之間加一個R=幾K的電阻.
開通時Vds會產(chǎn)生損耗發(fā)熱么?
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