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電源技術(shù)綜合區(qū)
如何確定RCC電路MOS驅(qū)動電阻
如何確定RCC電路MOS驅(qū)動電阻
如何確定RCC電路MOS驅(qū)動電阻
如圖所示RCC電路,在不同的輸入電壓下,如何確定R10、R11的值?
全部回復(fù)(38)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
gds_01
LV.1
2
2003-08-01 20:48
R10,R11
對100-240V50/60Hz寬電壓輸入,經(jīng)驗(yàn)上取R10=1.2M歐1/4W OK;R11=100--510歐,要調(diào)整R11使MOS管Drain波形off時上升時間為100--200nS取150nS最好,可以兼顧EMC及MOS管功耗.我是第一次上網(wǎng)討論問題.對了,R11位置最好改在MOS管Gate上.
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實(shí)力電源
LV.4
3
2003-09-28 22:34
@gds_01
R10,R11對100-240V50/60Hz寬電壓輸入,經(jīng)驗(yàn)上取R10=1.2M歐1/4WOK;R11=100--510歐,要調(diào)整R11使MOS管Drain波形off時上升時間為100--200nS取150nS最好,可以兼顧EMC及MOS管功耗.我是第一次上網(wǎng)討論問題.對了,R11位置最好改在MOS管Gate上.
此電路短路時會如何?
RCC電路有短路保護(hù)功能,但短路時的電流大小能估算嗎?
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實(shí)力電源
LV.4
4
2003-09-28 22:36
@gds_01
R10,R11對100-240V50/60Hz寬電壓輸入,經(jīng)驗(yàn)上取R10=1.2M歐1/4WOK;R11=100--510歐,要調(diào)整R11使MOS管Drain波形off時上升時間為100--200nS取150nS最好,可以兼顧EMC及MOS管功耗.我是第一次上網(wǎng)討論問題.對了,R11位置最好改在MOS管Gate上.
R11位置最好改在MOS管Gate上有什么好處?
請問,R11位置最好改在MOS管Gate上有什么好處,會否導(dǎo)致Mos關(guān)閉不充分?
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jacki_wang
LV.11
5
2003-09-28 23:33
@實(shí)力電源
R11位置最好改在MOS管Gate上有什么好處?請問,R11位置最好改在MOS管Gate上有什么好處,會否導(dǎo)致Mos關(guān)閉不充分?
可防止寄生振蕩
.
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實(shí)力電源
LV.4
6
2003-09-29 18:44
@jacki_wang
可防止寄生振蕩.
不改變位置行嗎?
如果R11的位置不變,有同樣效果嗎?
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jacki_wang
LV.11
7
2003-09-29 19:26
@實(shí)力電源
不改變位置行嗎?如果R11的位置不變,有同樣效果嗎?
這里講的是布線位置
并非電氣連接位置.
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實(shí)力電源
LV.4
8
2003-09-30 18:15
@jacki_wang
這里講的是布線位置并非電氣連接位置.
有公式嗎
這幾個電阻的確定,有公式可以計算嗎?
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實(shí)力電源
LV.4
9
2003-09-30 18:16
@gds_01
R10,R11對100-240V50/60Hz寬電壓輸入,經(jīng)驗(yàn)上取R10=1.2M歐1/4WOK;R11=100--510歐,要調(diào)整R11使MOS管Drain波形off時上升時間為100--200nS取150nS最好,可以兼顧EMC及MOS管功耗.我是第一次上網(wǎng)討論問題.對了,R11位置最好改在MOS管Gate上.
能否說清楚點(diǎn)
R10,R11有否公式可以計算?全憑經(jīng)驗(yàn)嗎.
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jacki_wang
LV.11
10
2003-09-30 19:27
@實(shí)力電源
有公式嗎這幾個電阻的確定,有公式可以計算嗎?
目前沒有
此兩個電阻是用來提供啟動偏置及驅(qū)動用的,其取值與實(shí)際的電路參數(shù)有關(guān),到目前為止,我都沒有聽說過標(biāo)準(zhǔn)的計算公式.
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hereliu
LV.8
11
2003-10-01 20:43
@實(shí)力電源
此電路短路時會如何?RCC電路有短路保護(hù)功能,但短路時的電流大小能估算嗎?
不太好估算
最好調(diào)試解決,調(diào)啟動電阻.當(dāng)然每個電路個有特點(diǎn)
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hereliu
LV.8
12
2003-10-01 20:47
@實(shí)力電源
能否說清楚點(diǎn)R10,R11有否公式可以計算?全憑經(jīng)驗(yàn)嗎.
r11是限流及防止高頻振蕩用,沒有公式
.
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實(shí)力電源
LV.4
13
2003-10-04 14:34
@jacki_wang
目前沒有此兩個電阻是用來提供啟動偏置及驅(qū)動用的,其取值與實(shí)際的電路參數(shù)有關(guān),到目前為止,我都沒有聽說過標(biāo)準(zhǔn)的計算公式.
如何確定?
該電路偏置如何確定,比如說5V、48V時,是否存在一種線性比例關(guān)系?
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實(shí)力電源
LV.4
14
2003-10-04 14:36
@hereliu
r11是限流及防止高頻振蕩用,沒有公式.
問一個題外話
朋友在哪里工作
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實(shí)力電源
LV.4
15
2003-10-04 14:42
@hereliu
不太好估算最好調(diào)試解決,調(diào)啟動電阻.當(dāng)然每個電路個有特點(diǎn)
謝謝
事實(shí)上,我就是用實(shí)際調(diào)試解決的.但是好像這樣理論根據(jù)不足.
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hereliu
LV.8
16
2003-10-04 19:50
@實(shí)力電源
問一個題外話朋友在哪里工作
深圳打工而已.你呢?
?
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hereliu
LV.8
17
2003-10-04 20:02
@實(shí)力電源
如何確定?該電路偏置如何確定,比如說5V、48V時,是否存在一種線性比例關(guān)系?
能啟動就可以.
具體取值受短路電流要求,開關(guān)管放大能力,初級電感量,正反饋量等因素影響.AC/DC中,取值一般在幾兆.應(yīng)該和輸入電壓有點(diǎn)正比關(guān)系
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實(shí)力電源
LV.4
18
2003-10-05 09:15
@hereliu
深圳打工而已.你呢??
廣州
和你一樣,廣州.
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實(shí)力電源
LV.4
19
2003-10-05 09:18
@hereliu
能啟動就可以.具體取值受短路電流要求,開關(guān)管放大能力,初級電感量,正反饋量等因素影響.AC/DC中,取值一般在幾兆.應(yīng)該和輸入電壓有點(diǎn)正比關(guān)系
謝謝
謝謝.
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cfusion
LV.3
20
2003-10-11 10:24
@實(shí)力電源
謝謝事實(shí)上,我就是用實(shí)際調(diào)試解決的.但是好像這樣理論根據(jù)不足.
rcc短路不能保護(hù)
rcc重載起不來,輕載能,輕載起來后,能調(diào)到重載輸出,
我把mosfet下面的電流監(jiān)測電阻Rs減小,輕載也能啟動,但是短路不能保護(hù),燒了mosfet和保險絲,請問這是什么原因,啟動和保護(hù)的解釋是什么?謝謝!
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LV.1
21
2003-10-11 13:26
@cfusion
rcc短路不能保護(hù)rcc重載起不來,輕載能,輕載起來后,能調(diào)到重載輸出,我把mosfet下面的電流監(jiān)測電阻Rs減小,輕載也能啟動,但是短路不能保護(hù),燒了mosfet和保險絲,請問這是什么原因,啟動和保護(hù)的解釋是什么?謝謝!
R10大了重載就不容易啟動了
你可以減小R10,或在C旁邊加一個二極管一個小電容,在通過一個10K左右的電阻到柵極就可以保證啟動了.
Rs不能隨便減小,否則肯定會燒管的
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cfusion
LV.3
22
2003-10-11 14:35
@
R10大了重載就不容易啟動了你可以減小R10,或在C旁邊加一個二極管一個小電容,在通過一個10K左右的電阻到柵極就可以保證啟動了.Rs不能隨便減小,否則肯定會燒管的
請問你的回答中c是那個元件
在最上面的圖中找不到,謝謝
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實(shí)力電源
LV.4
23
2003-10-12 01:12
@cfusion
rcc短路不能保護(hù)rcc重載起不來,輕載能,輕載起來后,能調(diào)到重載輸出,我把mosfet下面的電流監(jiān)測電阻Rs減小,輕載也能啟動,但是短路不能保護(hù),燒了mosfet和保險絲,請問這是什么原因,啟動和保護(hù)的解釋是什么?謝謝!
決定輸出功率
那個電阻是決定輸出功率及輸入電壓穩(wěn)壓點(diǎn)的
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實(shí)力電源
LV.4
24
2003-10-12 01:13
@cfusion
請問你的回答中c是那個元件在最上面的圖中找不到,謝謝
就是C6
就是C6
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cfusion
LV.3
25
2003-10-12 08:30
@實(shí)力電源
就是C6就是C6
多謝!
3x3x
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hereliu
LV.8
26
2003-10-12 20:56
@cfusion
rcc短路不能保護(hù)rcc重載起不來,輕載能,輕載起來后,能調(diào)到重載輸出,我把mosfet下面的電流監(jiān)測電阻Rs減小,輕載也能啟動,但是短路不能保護(hù),燒了mosfet和保險絲,請問這是什么原因,啟動和保護(hù)的解釋是什么?謝謝!
rcc確實(shí)存在啟動和短路的矛盾,很難調(diào)
.
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hualong
LV.5
27
2004-01-10 18:47
@gds_01
R10,R11對100-240V50/60Hz寬電壓輸入,經(jīng)驗(yàn)上取R10=1.2M歐1/4WOK;R11=100--510歐,要調(diào)整R11使MOS管Drain波形off時上升時間為100--200nS取150nS最好,可以兼顧EMC及MOS管功耗.我是第一次上網(wǎng)討論問題.對了,R11位置最好改在MOS管Gate上.
那C6如何取值?
具體的說,R11與C6該如何取值?
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hotsps
LV.7
28
2004-01-13 09:17
@hualong
那C6如何取值?具體的說,R11與C6該如何取值?
我也很想知道c6的取值以及反饋的取值
我想c6應(yīng)該和mos的柵極電容有關(guān),但不知如何確定,還有反饋電壓如何取定,是否和mos的開啟電壓有關(guān)
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niatfzm
LV.1
29
2004-06-02 11:27
@hotsps
我也很想知道c6的取值以及反饋的取值我想c6應(yīng)該和mos的柵極電容有關(guān),但不知如何確定,還有反饋電壓如何取定,是否和mos的開啟電壓有關(guān)
我也很想知道,那位高手可以指點(diǎn)一下,先謝了
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kuloulu
LV.4
30
2004-06-03 09:13
@niatfzm
我也很想知道,那位高手可以指點(diǎn)一下,先謝了
具體的公式倒沒有.調(diào)節(jié)這個電容時,輸出最大電流會有變化.
經(jīng)驗(yàn)取植應(yīng)該在10NF以上47NF以下吧.調(diào)節(jié)這個點(diǎn)容時還要兼顧到啟動的問題
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niatfzm
LV.1
31
2004-06-03 11:39
@kuloulu
具體的公式倒沒有.調(diào)節(jié)這個電容時,輸出最大電流會有變化.經(jīng)驗(yàn)取植應(yīng)該在10NF以上47NF以下吧.調(diào)節(jié)這個點(diǎn)容時還要兼顧到啟動的問題
非常感謝,我也看到很到產(chǎn)品的電容是選擇在這個范圍以內(nèi)
但是要根據(jù)什么去調(diào)這個電容呢,他是否會影響開關(guān)管的飽和導(dǎo)通
所需要的時間呢,還有那個電阻該怎么取值,要怎樣去調(diào)呢?kuloulu兄,
我是新手,所以請原諒我的打破砂鍋
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