仙童的不錯
你可以試試美國仙童的IGBT,性能不錯.北京韶光有售http://www.shaoguang.com.cn/
驅(qū)動可以用TLP250,簡單可靠.

不能直接替代!
1.驅(qū)動不一樣
2.與主電路有關(guān)
3.功率三極管被燒,應(yīng)該查找原因,不可簡單替代!!

型號:
西門子標準系列IGBT模塊 型 號  技
術(shù)
資
料 VCES
Volts
IC
Tc=80°C
Amps. IC
Tc=25°C
Amps. Ptot
@
Tc=25°C
Watts VCEsat
Ic
Tc=25°C
typ. (V) 外形
BSM35GB120DN2  1,200 35 50 280 2,7  
BSM50GB120DN2  1,200 50 78 400 2,5
BSM75GB120DN2  1,200 75 105 625 2,5
BSM100GB120DN2K  1,200 100 145 700 2,5
BSM100GB120DN2  1,200 100 150 800 2,5  
BSM150GB120DN2  1,200 150 210 1,250 2,5
BSM200GB120DN2  1,200 200 290 1,400 2,5
BSM200GA120DN2  1,200 200 300 1,550 2,5  
BSM300GA120DN2  1,200 300 430 2,500 2,5
BSM400GA120DN2  1,200 400 550 2,800 2,5

西門康 IGBT 1200V
SKM 200 GA 123D  1.62Mb 200 25 2,8 1,380  
SKM 300 GA 123D  1.76Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 400 GA 123D  1.59Mb 400 25 2,8 2,750
SKM500GA123D(S)  2.72Mb 500 25 2,8 3,000
SKM 50 GB 123D  2.23Mb  50 25 2,7 310  
SKM 75 GB 123D  1.52Mb 75 25 3,0 460
SKM 100 GB 123D  948kb  100 25 2,8 700
SKM 145 GB 123D  2.94Mb  145 25 3,0 830
SKM 150 GB 123D  1.63Mb  150 25 3,0 830
SKM 200 GB 123D  1.62Mb  200 25 2,8 1,380
SKM 300 GB 123D  4.29Mb  300 25 3,0 1,660
SKM 400 GB 123D  198kb 400 25 2,8 2,500
SKM 22 GD 123D  1.32Mb  22 25 3,0 145  
SKM 40 GD 123D  1.39Mb  40 25 3,1 220
SKM 75 GD 123D  1.80Mb  75 25 3,0 390
SKM 50 GAL 123D  2.23Mb 50 25 2,7 310  
SKM 75 GAL 123D  1.52Mb  75 25 3,0 460
SKM 100 GAL 123D  948kb  100 25 2,8 700
SKM 145 GAL 123D  2.94Mb  145 25 3,0 830
SKM 150 GAL 123D  1.63Mb  150 25 3,0 830
SKM 200 GAL 123D  1.63Mb  200 25 2,8 1,380
SKM 300 GAL 123D  4.29Mb  300 25 3,0 1,660
SKM 100 GAR 123D  948kb  100 25 2,8 700  
SKM 145 GAR 123D  2.94Mb  145 25 3,0 830
SKM 150 GAR 123D  1.63Mb  150 25 3,0 830
SKM 200 GAR 123D  1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GAR 123D  4.29Mb  300 25 3,0 1,660

日本富士電機功率半導(dǎo)體中國代理
富士電機UPS專用600V IGBT單管
型號 技術(shù)資料 封裝  VCES
Volts  IC
TC=25°C
cont.
Amps.  IC
TC=100°C
cont.
Amps.  PC
@
Watts  VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)  
1MBK30D-060S   TO247 600 50 30 150 2.9
1MBK50D-060S   TO247 600 75 50 230 2.9
1MBH50D-060S   TO-3PL 600 65 50 200 2.9
1MBH75D-060S    TO-3PL 600 83 75 310 2.9

  
富士電機IGBT單管 型號 技術(shù)資料 封裝  VCES
Volts  IC
TC=25°C
cont.
Amps.  PC
@
Watts  VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)  
1MBH60-100   81kb  TO-3PL 1,000 60 260 3.2
1MBH60D-100*    TO-3PL 1,000 60 260 3.2

  
富士電機增強型IGBT單管 型號 技術(shù)資料 封裝  VCES
Volts  IC
TC=25°C
cont.
Amps.  IC
TC=100°C
cont.
Amps.  PC
@
Watts  VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)  
1MBH50-060   227kb  TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH50D-060*  TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH15-120   254kb  TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH15D-120*  TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH25-120   247kb  TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
1MBH25D-120*  TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5

*注:型號中“D”表示帶反向二極管.
     增強型中的反向二極管的額定電流與IGBT標稱一致,安全區(qū)為矩形.

你初用IGBT最好是買拆機件!

西門康IGBT和MOSFET驅(qū)動器
型 號  技術(shù)
資料 電源
電壓
Vs
Volts 輸入
信號
電壓
ViH
Volts 絕緣電壓
(AC;rms;
1min)/H4
Visol
k Volts  VCEmax
(sense)
VCE
Volts
輸出電
流最大
平均值
Iout
m Amps. 輸出峰
值電流
最大值
IGp
Amps. 可驅(qū)
動單
元數(shù)
SKHI10/12,10/17  274kb  15  5/15 2,5/4 1200/17001) 100 8 1
SKHI21A  354kb  15 15 2,5 1200 40 8 2
SKHI22 A, A H4 / SKHI 22B, B H4 15 15 2,5/4 1200/1700 40 8 2
SKHI23/12, 23/17  735kb  15 5/15 2,5/4 1200/17001) 50 8 2
SKHI24  213kb  15 5/15 4 1200 80 15 2
SKHI26W/26F    214kb  15 5/15 2,5 1200 100 8 2
SKHI27W/27F   102kb  15 15 4 1700 150 30 2
SKHI61  124kb  15 5/15 2,5 850 20 2 6
SKHI71 15 5/15 2,5 850 20 2 7
SKHIBS01  1.27Mb 15 5/15 2,5 1,200 15 1 6/7

公共特性:驅(qū)動器介紹資料(316KB);新型驅(qū)動器SKHI24/61/71簡介(75KB)
CMOS 輸入
短路監(jiān)控和關(guān)斷
電源低電壓監(jiān)測 Vs < 13 V
初、次級由脈沖變壓器絕緣
輸出信號錯誤鎖定和監(jiān)控
內(nèi)部獨立電源

可以試試仙童的管子
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