我有一個(gè)問(wèn)題很疑惑:mosfet并聯(lián)
mosfet并聯(lián)是為了增大電流,可是仿真兩管漏電流之和好像只與VCC,以及負(fù)載有關(guān),怎么樣才能看到并聯(lián)擴(kuò)容的效果呢?希望這樣的問(wèn)題不要讓大家見(jiàn)笑,不懂就問(wèn),希望各位指點(diǎn)迷津!!另外我的圖是否有錯(cuò)?
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@乞力馬扎羅的雪
???我怎么看不懂你的問(wèn)題?MOS并聯(lián)擴(kuò)流是說(shuō)并聯(lián)后,電路的電流可以更大,而不會(huì)導(dǎo)致MOS過(guò)熱或損壞.如果電路的其他參數(shù)不變,僅增加并聯(lián)的MOS,當(dāng)然不會(huì)讓總電流增加.只是每個(gè)MOS的發(fā)熱會(huì)降低.并聯(lián)的本質(zhì)是用多個(gè)小功率MOS代替一個(gè)大功率MOS.
謝謝,實(shí)在不好意思,初涉這個(gè)領(lǐng)域,很多都不懂,實(shí)質(zhì)還是沒(méi)有搞得很清楚,“兩管并聯(lián)后電流應(yīng)達(dá)到單管的150%”這句話應(yīng)該怎么理解?麻煩說(shuō)一下,謝謝!!!!!
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相比于其他開(kāi)關(guān)器件,M0S管幾乎是最適合并聯(lián)了.
并聯(lián)后的導(dǎo)通電阻與電阻并聯(lián)一樣計(jì)算.
并聯(lián)的管子最好性能一致.但并不苛刻,也無(wú)須留太大余量.
因?yàn)镸0S管有正溫度糸數(shù)的特性,并聯(lián)時(shí)能夠自適應(yīng),能安全的能者多勞,
理論上,并聯(lián)的小團(tuán)體中誰(shuí)過(guò)熱了,會(huì)自動(dòng)把電流均出去,由不熱的接替.
實(shí)際上也就不會(huì)有誰(shuí)特別熱了.
并聯(lián)后的導(dǎo)通電阻與電阻并聯(lián)一樣計(jì)算.
并聯(lián)的管子最好性能一致.但并不苛刻,也無(wú)須留太大余量.
因?yàn)镸0S管有正溫度糸數(shù)的特性,并聯(lián)時(shí)能夠自適應(yīng),能安全的能者多勞,
理論上,并聯(lián)的小團(tuán)體中誰(shuí)過(guò)熱了,會(huì)自動(dòng)把電流均出去,由不熱的接替.
實(shí)際上也就不會(huì)有誰(shuí)特別熱了.
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