求教：一個MOSFET（IRFZ44)部分參數如下，求問結電容等！

1、在芯片說明書中有以下參數：
td(on)  turn-on delay time    14ns
tr      rise time             110ns
td(off) turn-off delay time   45ns
tf      fall time             92ns
在一些文獻中提到IRFZ44這個芯片的死區時間，請問這個死區時間是指的什么？如何計算？
2、另一參數：
Ciss    input capacitance     1900pF
Coss    output capacitance     920pF
Crss    reverse transfer capacitance   170pF
在一些文獻中提到結電容，請教該芯片的結電容是多少？如何計算？
不勝感激！

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bridge

LV.2

2004-05-30 11:28

MOSFET有三個電容，即Cgs（門極和源極）、Cgd(門極和漏極）和Cds（漏極和源極）；一般產品說明上給出的是Ciss、Coss和Crss，前后定義之間有如下關系：
Ciss＝Cgs＋Cgd
Coss＝Cds＋Cgd
Cgd＝Crss
其中Cgd和Cds是隨其兩端電壓的變化而變化的，具體各種情況下怎么計算，我給出一篇文章。
A More Realistic Characterization of Power MOSFET Output Capacitance Coss.pdf
1085887647.pdf
至于你提到的MOSFET的死區時間，還請清楚的兄弟指教！！

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chalong

LV.1

2004-05-30 12:11

@bridge

MOSFET有三個電容，即Cgs（門極和源極）、Cgd(門極和漏極）和Cds（漏極和源極）；一般產品說明上給出的是Ciss、Coss和Crss，前后定義之間有如下關系：Ciss＝Cgs＋CgdCoss＝Cds＋CgdCgd＝Crss其中Cgd和Cds是隨其兩端電壓的變化而變化的，具體各種情況下怎么計算，我給出一篇文章。AMoreRealisticCharacterizationofPowerMOSFETOutputCapacitanceCoss.pdf1085887647.pdf至于你提到的MOSFET的死區時間，還請清楚的兄弟指教！！

十分感謝，我現在的電路仿真必須知道死區時間。
還請清楚的兄弟幫個忙！

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