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sangjuen 的圖紙我也做了一臺 改進(jìn)了幾個(gè)地方!

      sangjuen 老師的圖紙有幾個(gè)問題:    第一無前級保護(hù),一旦MOS壞前級也會跟著壞。

 第二:短路后需要15秒或更長的時(shí)間等待,第三沒有“呻吟”提示。呵呵!總的來說圖紙不錯(cuò)要量產(chǎn)必須要改進(jìn)。下面就是我改進(jìn)了的一臺,燒了我8只1200V 12A的MOS管啊心里痛啊。去山里電了一下呵呵不錯(cuò)。MOS輸出我電腦我以前做了許多,sangjuen的算是比較簡單的電路了,我在總結(jié):肯定的說比硅后極好,不耗電 距離也寬了,魚也不那么跑了。

全部回復(fù)(29)
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hoper
LV.6
2
2010-07-11 14:42
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yy1643
LV.3
3
2010-07-11 15:06
@hoper
[圖片]
后級輸出電壓多高?我做了一個(gè)300伏正常,600伏就燒mos,不知道什么原因
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doqi
LV.2
4
2010-07-11 16:31
@yy1643
后級輸出電壓多高?我做了一個(gè)300伏正常,600伏就燒mos,不知道什么原因

我燒了快10只MOS才做好,他原來的圖紙絕對要改

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11455355
LV.9
5
2010-07-11 17:11

圖是不錯(cuò)的,只是有成功圖不一定抄出成功的機(jī)。

15年不壞JJ圖要短路后等待再開機(jī)時(shí)間短,和可控硅并聯(lián)的47UF就要減容量,小容量放電時(shí)間更短,復(fù)位等待時(shí)間也短了。

要根據(jù)自己JJ的輸出電壓來計(jì)算驅(qū)動(dòng)電源分壓比,原圖高壓700V。自己做的JJ可能電壓低導(dǎo)致斬波MOS驅(qū)動(dòng)不足,自己JJ高壓太高可能導(dǎo)致18V穩(wěn)壓管被燒然后MOS驅(qū)動(dòng)電壓過高,柵極擊穿。

抄板不是照搬,還要結(jié)合自己的情況才能設(shè)計(jì)更合理。

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11455355
LV.9
6
2010-07-11 17:55
@11455355
圖是不錯(cuò)的,只是有成功圖不一定抄出成功的機(jī)。15年不壞JJ圖要短路后等待再開機(jī)時(shí)間短,和可控硅并聯(lián)的47UF就要減容量,小容量放電時(shí)間更短,復(fù)位等待時(shí)間也短了。要根據(jù)自己JJ的輸出電壓來計(jì)算驅(qū)動(dòng)電源分壓比,原圖高壓700V。自己做的JJ可能電壓低導(dǎo)致斬波MOS驅(qū)動(dòng)不足,自己JJ高壓太高可能導(dǎo)致18V穩(wěn)壓管被燒然后MOS驅(qū)動(dòng)電壓過高,柵極擊穿。抄板不是照搬,還要結(jié)合自己的情況才能設(shè)計(jì)更合理。
15年不壞JJ圖紙還有拓展空間,改變555的外圍電路,增加1個(gè)可調(diào)電阻,實(shí)現(xiàn)脈寬頻率都可調(diào)。
0
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luojun
LV.8
7
2010-07-11 19:38
1200V12A的是什么MOS啊?1200V的MOS我沒有看到過呢,請樓主給個(gè)型號,謝謝!
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11455355
LV.9
8
2010-07-11 19:41
@luojun
1200V12A的是什么MOS啊?1200V的MOS我沒有看到過呢,請樓主給個(gè)型號,謝謝!

有款I(lǐng)XRH50N120,50A1200V   IXYS出品

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luojun
LV.8
9
2010-07-11 19:50
@11455355
有款I(lǐng)XRH50N120,50A1200V  IXYS出品
這款是IGBT吧?
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11455355
LV.9
10
2010-07-11 19:54
@luojun
這款是IGBT吧?

哦!大意了,是IGBT

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11455355
LV.9
11
2010-07-11 20:02
@11455355
哦!大意了,是IGBT

GT150Q101: NMOS, GDS, 1400V  15A 

GT25Q101:NMOS,GDS,1400V,25A

GT40T101:nMOS,GDS,1500V40A

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yy1643
LV.3
12
2010-07-11 20:05
@11455355
哦!大意了,是IGBT

11n120 1200v 11A 180W

k1489   1000V  12A 200W

k1120   1000V    8A  150W

我也燒了很多管子,電壓在400V以下時(shí)一切正常,短路自動(dòng)保護(hù),超過600V很容易燒mos,而且只燒mos其它元件都沒壞,就是正常開機(jī)時(shí)損壞的,現(xiàn)在懷疑是開機(jī)瞬間電壓過高而擊穿mos,但想不通的是我后級空載才700多伏,還有做成功的嗎?能幫我分析下原因嗎?

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11455355
LV.9
13
2010-07-11 20:10
@yy1643
11n1201200v11A180Wk1489  1000V 12A200Wk1120  1000V    8A 150W我也燒了很多管子,電壓在400V以下時(shí)一切正常,短路自動(dòng)保護(hù),超過600V很容易燒mos,而且只燒mos其它元件都沒壞,就是正常開機(jī)時(shí)損壞的,現(xiàn)在懷疑是開機(jī)瞬間電壓過高而擊穿mos,但想不通的是我后級空載才700多伏,還有做成功的嗎?能幫我分析下原因嗎?

還有個(gè)可能,你MOS的驅(qū)動(dòng)電壓取值如何?是不是太高,輸出電壓高,驅(qū)動(dòng)分壓值也高,MOS驅(qū)動(dòng)電壓一般20來V,超過就掛,你的驅(qū)動(dòng)電壓是否和15年不壞JJ一樣有18V穩(wěn)壓二極管作為保護(hù)MOS柵電壓不超標(biāo)的設(shè)計(jì)?

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11455355
LV.9
14
2010-07-11 20:18
@yy1643
11n1201200v11A180Wk1489  1000V 12A200Wk1120  1000V    8A 150W我也燒了很多管子,電壓在400V以下時(shí)一切正常,短路自動(dòng)保護(hù),超過600V很容易燒mos,而且只燒mos其它元件都沒壞,就是正常開機(jī)時(shí)損壞的,現(xiàn)在懷疑是開機(jī)瞬間電壓過高而擊穿mos,但想不通的是我后級空載才700多伏,還有做成功的嗎?能幫我分析下原因嗎?
1000多V的MOS用在600V是不容易過壓擊穿的。
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liuying
LV.2
15
2010-07-11 21:51
請問樓主你的“呻吟”提示是怎么解決的?
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yy1643
LV.3
16
2010-07-12 10:31
@liuying
請問樓主你的“呻吟”提示是怎么解決的?

回13帖:mos驅(qū)動(dòng)用的就是18V,實(shí)際測量也是18伏,都是在開機(jī)瞬間損壞,不是短路,就是正常接燈試驗(yàn),現(xiàn)在燒了很多管子了,還是沒找到原因,但是發(fā)現(xiàn)了個(gè)現(xiàn)象,有時(shí)開機(jī)瞬間,變壓器有“吱吱”聲,并且這時(shí)如果用數(shù)字萬用表測,1000v檔就超量程了,我懷疑就是這一瞬間的高壓造成的?可是又想不通,空載才700多伏,為什么啟動(dòng)瞬間會有這么高的電壓,是否由于負(fù)載太重,而導(dǎo)致頻率降低電壓急劇升高?

非常謝謝您的解答

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11455355
LV.9
17
2010-07-12 12:37
@yy1643
回13帖:mos驅(qū)動(dòng)用的就是18V,實(shí)際測量也是18伏,都是在開機(jī)瞬間損壞,不是短路,就是正常接燈試驗(yàn),現(xiàn)在燒了很多管子了,還是沒找到原因,但是發(fā)現(xiàn)了個(gè)現(xiàn)象,有時(shí)開機(jī)瞬間,變壓器有“吱吱”聲,并且這時(shí)如果用數(shù)字萬用表測,1000v檔就超量程了,我懷疑就是這一瞬間的高壓造成的?可是又想不通,空載才700多伏,為什么啟動(dòng)瞬間會有這么高的電壓,是否由于負(fù)載太重,而導(dǎo)致頻率降低電壓急劇升高?非常謝謝您的解答
應(yīng)該是前極驅(qū)動(dòng)電路的問題,但具體說不上來
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啊彬
LV.4
18
2010-07-12 17:10
@yy1643
回13帖:mos驅(qū)動(dòng)用的就是18V,實(shí)際測量也是18伏,都是在開機(jī)瞬間損壞,不是短路,就是正常接燈試驗(yàn),現(xiàn)在燒了很多管子了,還是沒找到原因,但是發(fā)現(xiàn)了個(gè)現(xiàn)象,有時(shí)開機(jī)瞬間,變壓器有“吱吱”聲,并且這時(shí)如果用數(shù)字萬用表測,1000v檔就超量程了,我懷疑就是這一瞬間的高壓造成的?可是又想不通,空載才700多伏,為什么啟動(dòng)瞬間會有這么高的電壓,是否由于負(fù)載太重,而導(dǎo)致頻率降低電壓急劇升高?非常謝謝您的解答
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護(hù)都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個(gè)200W燈泡起動(dòng)的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個(gè)200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個(gè)串聯(lián)就沒問題,起動(dòng)后改為2個(gè)200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白
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lts76810
LV.3
19
2010-07-12 23:25
@啊彬
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護(hù)都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個(gè)200W燈泡起動(dòng)的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個(gè)200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個(gè)串聯(lián)就沒問題,起動(dòng)后改為2個(gè)200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白[圖片]

我做的沒有你說的那種情況,我做的電壓750,但由于水阻太低,下水就保護(hù),而無法開機(jī),我取保護(hù)值為峰值30A,

 

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yy1643
LV.3
20
2010-07-12 23:34
@lts76810
我做的沒有你說的那種情況,我做的電壓750,但由于水阻太低,下水就保護(hù),而無法開機(jī),我取保護(hù)值為峰值30A, 

謝 11455355大師回復(fù)

回18貼:3個(gè)200W串時(shí)很容易燒,再加串2000w電爐不容易燒,從這點(diǎn)分析又好像還是由于負(fù)載太重而導(dǎo)致的電壓突升,有點(diǎn)矛盾,負(fù)載重為什么電壓還會突升呢?

回19貼:水阻低可以降低取樣電阻啊

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lts76810
LV.3
21
2010-07-12 23:36
@啊彬
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護(hù)都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個(gè)200W燈泡起動(dòng)的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個(gè)200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個(gè)串聯(lián)就沒問題,起動(dòng)后改為2個(gè)200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白[圖片]

接200W燈泡,要多按幾下才能保護(hù),保護(hù)以打隔方式進(jìn)行

 

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lts76810
LV.3
22
2010-07-12 23:39
@yy1643
謝 11455355大師回復(fù)回18貼:3個(gè)200W串時(shí)很容易燒,再加串2000w電爐不容易燒,從這點(diǎn)分析又好像還是由于負(fù)載太重而導(dǎo)致的電壓突升,有點(diǎn)矛盾,負(fù)載重為什么電壓還會突升呢?回19貼:水阻低可以降低取樣電阻啊

2000W的電爐絲比200W電燈冷態(tài)時(shí)電阻要高,你串了肯定不會燒了

 

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lts76810
LV.3
23
2010-07-12 23:41
@啊彬
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護(hù)都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個(gè)200W燈泡起動(dòng)的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個(gè)200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個(gè)串聯(lián)就沒問題,起動(dòng)后改為2個(gè)200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白[圖片]
你的驅(qū)動(dòng)帶了負(fù)壓沒有?沒負(fù)壓感覺是不過關(guān)的
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lts76810
LV.3
24
2010-07-12 23:45
@啊彬
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護(hù)都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個(gè)200W燈泡起動(dòng)的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個(gè)200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個(gè)串聯(lián)就沒問題,起動(dòng)后改為2個(gè)200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白[圖片]
在輸出+750伏后加一電感,讓上升電流從無到最高有5-10US的緩沖,那你的保護(hù)就好做了,讓保護(hù)電路有足夠時(shí)間,那樣會少很多的問題
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2010-07-12 23:48
@lts76810
在輸出+750伏后加一電感,讓上升電流從無到最高有5-10US的緩沖,那你的保護(hù)就好做了,讓保護(hù)電路有足夠時(shí)間,那樣會少很多的問題
說的有道理
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lts76810
LV.3
26
2010-07-13 00:02
@liu13036222196
說的有道理
你也做過IGBT的后級嗎?我的一直沒用到,原因是水阻太低,根本沒法用, 但不會燒壞,我想在我老家可能用的上
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11455355
LV.9
27
2010-07-13 01:12
@yy1643
謝 11455355大師回復(fù)回18貼:3個(gè)200W串時(shí)很容易燒,再加串2000w電爐不容易燒,從這點(diǎn)分析又好像還是由于負(fù)載太重而導(dǎo)致的電壓突升,有點(diǎn)矛盾,負(fù)載重為什么電壓還會突升呢?回19貼:水阻低可以降低取樣電阻啊

看來是啟動(dòng)初期的電壓異常引起MOS過壓擊穿,從這幾點(diǎn)去考慮:

1:有沒有設(shè)計(jì)閉環(huán)反饋電路?有可能該電路元件取值不當(dāng)造成啟動(dòng)異常。

2:3525不良,換個(gè)不同批次的實(shí)驗(yàn)下。

3:3525外圍電路仔細(xì)看看,有沒不合理的地方?

負(fù)載重不可能導(dǎo)致電壓升高,反而負(fù)載輕輸出電壓才高。

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啊彬
LV.4
28
2010-07-13 01:51
@lts76810
我做的沒有你說的那種情況,我做的電壓750,但由于水阻太低,下水就保護(hù),而無法開機(jī),我取保護(hù)值為峰值30A, 

請問什樣算取保護(hù)值為峰值30A?

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啊彬
LV.4
29
2010-07-13 01:54
@yy1643
謝 11455355大師回復(fù)回18貼:3個(gè)200W串時(shí)很容易燒,再加串2000w電爐不容易燒,從這點(diǎn)分析又好像還是由于負(fù)載太重而導(dǎo)致的電壓突升,有點(diǎn)矛盾,負(fù)載重為什么電壓還會突升呢?回19貼:水阻低可以降低取樣電阻啊
是3個(gè)200W串時(shí)不容易燒,不是3個(gè)200W串時(shí)很容易燒.
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yy1643
LV.3
30
2010-07-13 23:29
@lts76810
你也做過IGBT的后級嗎?我的一直沒用到,原因是水阻太低,根本沒法用,但不會燒壞,我想在我老家可能用的上

回27帖 11455355大師:

確實(shí)沒有涉及閉環(huán)反饋電路

你說“負(fù)載重不可能導(dǎo)致電壓升高,反而負(fù)載輕輸出電壓才高”

實(shí)際是啟動(dòng)瞬間這時(shí)燈泡冷態(tài)電阻小,負(fù)載重,變壓器發(fā)出“吱“的一聲,同時(shí)萬用表顯示電壓超量程,啟動(dòng)完成后電壓降低到600多付,為什么會這樣呢,空載時(shí)電壓才700多伏啊?

 

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