用的什么控制器？好歹給個(gè)電路圖上來，只給個(gè)波形，怎么分析呢？

如果是你畫的這樣的波形，那么這個(gè)電流尖峰主要來自于次級(jí)整流二極管的反向恢復(fù)電流。

解決方法就是針對(duì)性的想辦法了。比如，能用肖特基二極管的話，就不要用快恢復(fù)的。能設(shè)計(jì)為DCM的，就不要設(shè)計(jì)成CCM。

或者在整流二極管上加吸收電路、加磁珠、加飽和電感等等。。。。。。

同意樓上的，根源是次級(jí)整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間引起的

也可以次級(jí)問題初級(jí)來解決

謝謝回復(fù)，怎樣次級(jí)問題初級(jí)來解決？

謝謝回復(fù)。這個(gè)電流尖峰是否還包含有變壓器分布電容引起沖擊電流？

磁珠加在整流管陽極還是陰極或兩邊都加？

包括分布電容引起的。

磁珠加兩邊都有效果。

ZVS開通

ZVS開通，由于功率較大實(shí)現(xiàn)起來有困難。

能否給MOS管的D極加磁珠和降低MOS開通速度來降低尖峰電流？

好的，我試試.

能否給MOS管的D極加磁珠和降低MOS開通速度來降低尖峰電流？

對(duì)于這個(gè)我也很糾結(jié)啊，開通時(shí)估計(jì)有點(diǎn)好處，但又擔(dān)心關(guān)斷時(shí)帶來電壓尖峰。

要不你實(shí)際試一下看看。

好的，我試試

問一句，有點(diǎn)兒不懂：

1.反激電源中，次級(jí)整流二極管反向恢復(fù)時(shí)電流折射到原邊是從MOS的源極到漏極的吧，為什么是正向的尖峰？不應(yīng)該是反向的嘛？

2.MOS的Cgs開通時(shí)充電有個(gè)限流電阻，峰值算出來通常很小，對(duì)這個(gè)電流尖峰貢獻(xiàn)不大吧？

 這個(gè)電流尖峰應(yīng)該是變壓器分布電容太大引起的，變壓器漏感和分布電容是矛盾的，漏感小分布電容就大，電容小，一般漏感就大，需要平衡。（漏感大會(huì)引起電壓尖峰）