上周測試了幾個電源，發現電源在啟動時，后級濾波電容充電在30%-100%的Vout的時候（整個時間持續5mS左右），前級的MOS 的VDS是遠遠超過了MOS的耐壓的，待充電完成后，VDS穩定在正常范圍。

AC150V輸入，濾波電容充電在30%-100%的Vout的時候，VDS竟然達到了700V，MOS的標稱耐壓是650V，正常工作的時候，VDS最大380V。在這段時間中，VDS是超過了MOS的額定VDS的，甚至達到了雪崩電壓值，那么此時尖峰部分的能量應該有一部分被MOS消耗了，這部分能量應該是小于雪崩耐量的。

在VDS超過MOS的標稱電壓的時候，MOS是先以雪崩的方式吸收能量，然后到到雪崩電壓才擊穿；還是達到雪崩電壓之后才以雪崩的方式吸收能量，當超過雪崩耐量的時候才擊穿？