無(wú)錫新潔能功率半導(dǎo)體有限公司作為世界上為數(shù)不多的完全掌握超結(jié)工藝和設(shè)計(jì)，并擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的的中國(guó)功率器件公司，經(jīng)過(guò)技術(shù)團(tuán)隊(duì)的共同努力，日前國(guó)內(nèi)首家推出SJ-MOS系列產(chǎn)品，其中Qg的實(shí)測(cè)值只有Infineon CoolMOS C3 的60%，目前已通過(guò)國(guó)內(nèi)多家大型電源研發(fā)、制造企業(yè)的驗(yàn)證，產(chǎn)品工藝窗口確認(rèn)，標(biāo)志著我司SJ-MOS系列產(chǎn)品正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。先期推向市場(chǎng)的為20A/500V-650v系列、11A/500V-650V系列、7A/500V-650V系列、4A/500V-650V

      SJ-MOS的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

      1、采用超結(jié)結(jié)構(gòu)的MOSFET能提供比常規(guī)MOSFET更低的導(dǎo)通電阻，其導(dǎo)通損耗低、發(fā)熱量小，效率提高顯著。

      2、在相同電壓與電流的情況下，超結(jié)結(jié)構(gòu)的Qg更小，因此開(kāi)關(guān)速度更快，開(kāi)關(guān)損耗也更小。

      3、超結(jié)產(chǎn)品芯片面積小、導(dǎo)通電阻小，相同電流電壓級(jí)別下，超結(jié)產(chǎn)品可以使用更小的封裝形式。

      4、由于芯片工藝流程良率和封裝體積的限制，常規(guī)MOSFET很難實(shí)現(xiàn)高壓大電流，解決方法就是器件工藝及設(shè)計(jì)采用超結(jié)結(jié)構(gòu)。

       無(wú)錫新潔能將繼續(xù)發(fā)揮自身工藝、設(shè)計(jì)及各種資源優(yōu)勢(shì)，為提升中國(guó)功率器件工藝流程、器件結(jié)構(gòu)和性能而努力。

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