此電路既可防止驅動電壓過高，從而出現過驅動的情況產生，保護MOSFET；又可以加速MOSFET的關斷速度

簡單分析下吧

當驅動電壓過高的時候，D10被擊穿，經過R12，Q3導通，接著Q2導通，驅動電壓被鉗位

當驅動為低電平時，經過R11，Q2導通，Q3導通，可以加快MOSFET的Cgs放電速度，從而加速關斷

很榮幸心中有冰老師能夠到場，那C13呢？據說是個充放電電容，充電可以打開Q1工作，放電就會關閉Q1

SCR電路？怎么分析？

C13應該不會太大，跟R12組成一個RC濾波電路，可以減少干擾

Q2\Q3組成加速關斷MOS管的作用。也可以只使用一個Q3，但是使用兩個的效率要高一下，一般是2個百分點。

這里可以用于檢測電阻R21兩端的電流（流過MOS管的電流）。