你的是同步整流？驅(qū)動(dòng)電夠不夠？

什么電路？指標(biāo)是什么？僅僅是換了一個(gè)MOS，其他任何參數(shù)、負(fù)載，測試方法、儀器都沒有改變嗎？

就普通反激電源, OB2263方案, 12V2A

兩款MOS      FQPF5N60C      AAT5N60 參數(shù)一致,都是4.5A 600V   2.5oumu  6.5PF 等等；

 FQPF5N60C用起來就很好,  更換為AAT5N60后滿載電壓下降至11.8V這樣;

 到目前為止查原因發(fā)現(xiàn)去掉Y電容后 AAT5N60 滿載后電壓沒變化,就正常了;

為什么 FQPF5N60后加Y電容后反而更穩(wěn)定,去掉Y電容后也比較穩(wěn)定. 

個(gè)人認(rèn)為是AAT5N60  MOS問題,生下來看看各位大俠的高見,謝謝.

我看還是電路本身的問題。對(duì)噪聲敏感。

換了不同的MOS，噪訊不同，而反饋電路把這個(gè)噪訊通過反饋表現(xiàn)出來了。

PCB線路尺寸有限制,布線確實(shí)比較棘手 .

但是有沒有其他可以優(yōu)化的辦法,比如對(duì)431優(yōu)化等等

同樣的線路,換了一款變壓器,繞組參數(shù)少許不同(滿載1.5A的) ,同樣的制作工藝, 更換MOS后滿載電壓下降只有0.05V的壓差( 從12.075-12.020) ;

同樣都是加Y電容,估計(jì)還是反饋引起,該如何優(yōu)化

以前用過一款仙童的MOSFEET,還有ST的，規(guī)格幾乎是一樣的。

但是用起來就發(fā)現(xiàn)，仙童的直接影響到了burst模式的電流點(diǎn)，但是ST就沒有任何問題。

同意這個(gè)說法,同樣的電路,換個(gè)變壓器(同樣工藝,功率不同), 效果立刻不同;

通過對(duì)431優(yōu)化,問題基本解決了,ATTMOS也可以用了,不過效果還是沒有 先前的MOS好.