各位大俠們，我公司從一公司購買了一千二百條LED燈管 用到將近半年左右時間 出現批量不良 從客戶退回產品看到驅動電源MOS管處燒壞 退給供應商維修 他們卻說是客人使用不當造成的 說是使用了鎮流器造成的 客人反映他們安裝的時候沒有帶鎮流器的 現帶圖片上來麻煩各位大俠幫我分析分析什么原因造成的 
LED日光燈驅動炸機問題
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肯定是設計有總理，現在電源板在安裝的時候不用把振流器去掉也是可以兼容的。
用了近半年MOS處燒壞是MOS的溫升不滿足要求，設計時選的MOS太差，所以工作時間長了就有燒毀的可能。
有需要的話我給你介紹一個設計T管電源的公司，他們產品主要做出口，要求都是保3W小時（有做過快速老化實驗），我的郵箱zgdgh@163.com
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2點看法：
1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的壞了很正常，在電源插頭似接觸非接觸的瞬間會產生很高的輸入電壓（單級反激PFC的都有這個問題，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是輸入有電解的無此問題），實測過有750V。所以如果是650V以下的管子而電路又沒有快速輸入過壓保護，壞了是正常，不壞是運氣。
2）核算變壓器是否飽和，這本來不是問題，做設計的都會這么做，但用這個變壓器可能有問題，因為這個變壓器的Ae值并不是中柱的面積，需要測量橫向界斷面的面積再乘以2，2010可能影響不大，但2510,2810影響很大，如果原來的設計是用的中柱面積做Ae并且Bm接近4000，在高溫下是極其危險的。
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@cmg
2點看法：1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的壞了很正常，在電源插頭似接觸非接觸的瞬間會產生很高的輸入電壓（單級反激PFC的都有這個問題，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是輸入有電解的無此問題），實測過有750V。所以如果是650V以下的管子而電路又沒有快速輸入過壓保護，壞了是正常，不壞是運氣。2）核算變壓器是否飽和，這本來不是問題，做設計的都會這么做，但用這個變壓器可能有問題，因為這個變壓器的Ae值并不是中柱的面積，需要測量橫向界斷面的面積再乘以2，2010可能影響不大，但2510,2810影響很大，如果原來的設計是用的中柱面積做Ae并且Bm接近4000，在高溫下是極其危險的。
郭大師就是不一樣，說實話，2010算是比較合理的，2510.2810，甚至是現在的3310都存在一個很嚴重的問題，大家都簡單的認為AE值就是中柱的截面積，但是E型磁芯的兩臂，即中柱和邊柱連接部分的截面積遠小于中柱的截面積，這樣導致磁路在此處的磁場非常強，所以一般計算的時候，感覺留的余量很大，實際這時候已經在飽和的邊緣了，由于這類變壓器的功率密度很高，加上電源在密閉空間工作，溫升快，很容易導致磁芯飽和炸機。
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@cmg
2點看法：1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的壞了很正常，在電源插頭似接觸非接觸的瞬間會產生很高的輸入電壓（單級反激PFC的都有這個問題，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是輸入有電解的無此問題），實測過有750V。所以如果是650V以下的管子而電路又沒有快速輸入過壓保護，壞了是正常，不壞是運氣。2）核算變壓器是否飽和，這本來不是問題，做設計的都會這么做，但用這個變壓器可能有問題，因為這個變壓器的Ae值并不是中柱的面積，需要測量橫向界斷面的面積再乘以2，2010可能影響不大，但2510,2810影響很大，如果原來的設計是用的中柱面積做Ae并且Bm接近4000，在高溫下是極其危險的。
粗看一下，感覺磁芯廠商不會這么笨吧。但去看了磁芯數據，還真的有部分磁芯兩邊的面積沒中間的面積大。
看來在計算時一定要搞清楚到底哪個大，使用時要按小的來算才行。
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@cmg
2點看法：1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的壞了很正常，在電源插頭似接觸非接觸的瞬間會產生很高的輸入電壓（單級反激PFC的都有這個問題，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是輸入有電解的無此問題），實測過有750V。所以如果是650V以下的管子而電路又沒有快速輸入過壓保護，壞了是正常，不壞是運氣。2）核算變壓器是否飽和，這本來不是問題，做設計的都會這么做，但用這個變壓器可能有問題，因為這個變壓器的Ae值并不是中柱的面積，需要測量橫向界斷面的面積再乘以2，2010可能影響不大，但2510,2810影響很大，如果原來的設計是用的中柱面積做Ae并且Bm接近4000，在高溫下是極其危險的。
學習了
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