反激電源問題請(qǐng)教
本人接觸電源不長(zhǎng)時(shí)間，有個(gè)問題想請(qǐng)教大家，在設(shè)計(jì)反激電源的時(shí)候，我們可以推出Vo=D*n2*Vin/（n1*（1-D）），這就是說(shuō)在我們?cè)O(shè)計(jì)之初要確定一個(gè)占空比，然后根據(jù)管子的耐壓確定反激電壓Vf的大小，在設(shè)計(jì)匝數(shù)。我的問題是，當(dāng)控制芯片剛開始工作時(shí) 輸出的占空比是不是固定的？（這時(shí)反饋還沒有對(duì)占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)），如果這時(shí)輸出的占空比比設(shè)計(jì)的D大的多，這樣第一次輸出的電壓Vo是不是就要比設(shè)計(jì)的輸出大的多，從而反激電壓也大的多，這樣是不是就會(huì)損壞MOS管？在設(shè)計(jì)時(shí)這點(diǎn)要怎么考慮呢？
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@心中有冰
你的考慮的對(duì)的這就是開機(jī)過(guò)程中的輸出電壓過(guò)沖。一般的MOSFET都有單個(gè)與重復(fù)雪崩能量這兩個(gè)指標(biāo)的，只要不超過(guò)指標(biāo)，MOSFET還是安全的措施一般通過(guò)增加軟啟動(dòng)，大功率電源可以通過(guò)增加啟動(dòng)時(shí)序控制，也可以通過(guò)加快環(huán)路的響應(yīng)時(shí)間來(lái)解決
哦，您說(shuō)的意思我大概理解！就是說(shuō)最初上電的時(shí)候 電壓峰值可能超過(guò)MOS管的耐壓，但不至于使管子損壞，當(dāng)然是在短時(shí)間內(nèi)的！隨著占空比的調(diào)節(jié)電壓降低！
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