先介紹常規的參數。

1、Vbo    轉折點電壓；通用標準28-36V

2、Ibo    轉折點電流，就是在轉折點的漏電，通用標準是100uA。

3、ΔV回彈電壓，VBO-V(@I=10mA）  通用標準為5V

雖然3個參數很簡單，但不能正確認識的人并不在少數。尤其是在線路里面遇到問題時不能正確的理解3個參數。

DB3在電路里面主要是3個地方。

1是啟動部分。

2是保護部分。

3調速電路。本電路和照明無關，不說了。

先簡單說一下，最好和廠家說明你是哪一部分用，可以省去一些可能會有的麻煩。

關于塑封和玻封的區別

下面是在另外一個帖子里面的內容：

玻封、塑封指的是封裝體。芯片的根本結構不一樣，塑封的采用OJ的芯片，玻封的每個芯片周圍有氧化硅保護。他們的差別就像一般的4007和GPP的4007一樣。玻封的芯片要比塑封的芯片可靠性要高，壽命長，高溫特性要好。這一點是不可否認的。

但具體到市場上常見的玻封、塑封DB3哪種好。這是在不好說。千差萬別。建議大家還是通過統計和實驗來確認。但對于同樣的主流品牌，應該是玻封的要好。

上面有朋友說，高溫時玻璃有裂紋，這沒有聽說過。除非是買到質量不好的貨或者在使用中存在異常。

很多的大公司在考慮了價格因素后，高端的產品用玻封的，便宜的用塑封的。大家自己衡量。但還有句話，夠用就好，也請大家衡量。

下面這個表供參考

塑封DB3和玻封DB3的對比

 不錯,頂一你.你還差個圖,幫你補上.

越大越好，這樣你設計電路上的那個電容可以小些。不過電容確定了，就要選合適的回彈電壓，保證能啟動和小功耗

串個電阻，如果能把電容改小就改小。DB3也怕熱的

確實怕熱,我將它加熱到100度,彈回電壓就有不小的變化了,降溫后回不到初始狀態了.大概要相差4V左右,

電阻已經加了,電流也從1.2A降到0.8A,這個電流對三極管和電容會有多大的影響?

先傳一張用晶體管圖示儀測試DB3時的圖形。 

V3是VBO.曾經有客戶認為v2是VBO,據說是某塑封DB3廠家這樣給他們介紹的。只要明白vbo的意義應該不難明白，那些給別人介紹說V2是VBO的工程師，你可是夠壞的，要么就是夠笨。下圖是這只DB3用規格書里面的測試線路測試時，DB3兩端的波形。條件如下：輸入電壓45Vdc，電容104，串聯電阻82K,負載電阻為0.

在解釋上面圖形。

1、ΔV是V3-V1

2、實際特性圖形和規格書里面的圖形差別很大，可能會引起誤解，曾經就有人說“我就要你們規格書里面那種圖形的”，那種圖形基本上是見不到的，除非是壞了。

3、ΔV在當成標準時是特指10mA時的回彈電壓。在實際電路里面的回彈電壓是和電流由關系的，參考示波器的波形可知，在該電路條件下，回彈電壓為22.8V

我發現手頭上的樣品中大廠出的價格高的都是回彈電壓約等于轉折電壓(電路上實測電容上的電壓波形),一些小廠出的多是和你第二圖差不多的波形,導致這個現象的原因是什么?和芯片有關嗎?

我喜歡用回彈電壓高的,在鎮流器上啟動性能會比較好,

你說的這個現象是芯片的特點造成的。但這不決定器件的好與壞。

另外，你的電容是否是223？電容越小，不同的芯片差別越大。

但DB3在電流越大時的（導通）電壓越小，這是肯定的。

只要回彈電壓達到一定的值就可以了，啟動沒有影響。實際上影響啟動的不是回彈電壓的高低，而是在回彈電壓低的時候，某些其它的參數不是很好。

另外，如果你可以測試觸發時電流的話可以發現，你認為大廠的那些電流要小。

電子變壓器中的DB3就是一直在工作的。

當然，DB3不是功率器件，散熱不好。但實際上，只要他是觸發作用，功耗是很小的，這個可以算出來。

一般的DB3都是按照規格書里面的曲線變化的。到100℃時大概要增大1-2V。其它的變化都是異常的。但這種異常是比較常見的，有的會影響使用，有的沒有影響。

但溫度恢復后，特性也會恢復，否則勿用。

高溫時，漏電不要變得異常大，否則勿用。

VBO需要注意的地方。

1、VBO不是一個定值，和兩端的電壓上升率有關。

2、在啟動電路里面，VBO的絕對值是沒有意義的，不會因為偏大或偏小影響啟動。我想學線路的都應該明白，也非常清楚。如果對這一點還有異議的，自己多學學電路。當然，這么說并不是要求各位不對這個參數要求，只是碰到問題時不要朝這兒使勁。但凡事都有例外，有一些非常特殊的電路會有影響，但這種線路非常少見。各位可以不考慮。

IBO需要注意的地方。

曾經碰到過兩個比較大的客戶，（其中一個是國內最大之一）是由于沒有注意IBO而導致異常的。設計時請按100uA設計。

下面幾種情況請留意：

1、DB3前面的電容是通過一串電阻的組合加到高壓端的。

2、需要低壓啟動的。

另外，我也想問各位。

有沒有人可以明確的提出，電路啟動時，DB3的電流要求怎樣？包括峰值、脈寬。

過去曾經在某帖子里面問過，當時有一位提出過一個算法。我覺得有一定道理，是可以解釋的通的。依據該算法，實際需要電流是非常小的。而且有位工程師曾經提過一個線路，他認為很好。該線路的電流非常小。因此我也沒有刻意的去研究電流的下限。但前一段時間，某公司出現過由于該電流小（DB3已經觸發，電流約500mA）導致電路無法啟動，請大家適當留意。

是223,

確實線路都可以調到用回彈電壓很小的DB3也能觸發,但有些在半橋已經調到很好工作狀態的時候需要回彈電壓大的,而為了適應回彈電壓小的DB3往往要改參數,有些會增加成本,,,

玻封DB3會有變化異常的，但是還沒有見過變化到影響使用的。

塑封的DB3聽說過有變化到不能用的，但沒有批量見過。也只是偶爾測試到明顯異常的。

關于封裝形式。

現在市面常見的是塑封DO-41；玻封DO-35；玻封MINIMELF表貼。

另外，為了便于自動貼片，為了適合長插生產工藝。也有SOD-123;SOT-23等

 在啟動電路里面，真正起作用的是DB3觸發時給后級電路（三極管）提供的電流值。在其他條件一樣的情況下VBO、ΔV、電容值、線路等效電阻等都分別會對電流產生影響，這是大家都知道的，也是比較好理解的。但另外請注意，即使以上參數都一樣，不同廠家的DB3產生的電流也有比較大的差別，線路里面RC越短，差別越大。下面是市場常見的主流的DB3不同電流圖形2mA/mV.電容223，負載電阻為0.

給大家推薦一下平面形式的表貼，市面常見的是SOT-23.

特點是，表貼、平面、超薄。適合自動化生產，適合長插工藝，可以后切腳。這些特點使得它比玻封MINMELF使用方便。可以消除玻封斷管、拋料等固有的不良。另外內部采用“焊接”方式，玻封產品初期不良率相對較大的毛病也沒有了。另外，芯片的特點和玻封的一樣，高溫特性等和玻封產品一樣，比塑封同軸的要好。

另外，誰說好也白搭。廠家都說自己的東西好。

最重要的還是要自己建立評價體系，包括產品的入廠檢驗、可靠性考核、不良率的統計。