這個是我截的圖

我的理解是匹配單級PFC的參數(shù)和傳輸功率等參數(shù)的。這個電感的能量在反激過程中也是可以傳遞到次級的。同時，有了這個電路，可以提高輕載時的功率因數(shù)，否則輕載的時候，C4會使功率因數(shù)下降很快的。

這個電路思路不錯。收藏了。

個人感覺，是做“填谷”用的。就是對輸入零點附近做補充，或者將整個B+電壓提高，減少輸出紋波。

電感的能量在反激過程中也是可以傳遞到次級的？有點不理解。

提高功率因數(shù)是肯定的，導通角增大了，相當于APFC(或者是泵電路），無論輕載，重載，都可以提高導通角。

缺點是，MOSFET的DS電壓會升高，特別是輕載的時候。

不愧是好版，一眼就能看出電路精妙之處！

Q1開啟時，有兩個電流支路，一路對反激變壓器貯能，一路對L3貯能。

Q1關(guān)閉時，反激變壓器次級對負載提供的能量的同時，L3通過變壓器初級對C4饋電，此時對于變壓器的初級與次級來說是相當于是正激，即L3對變壓器的級次提供能量。

D1、D2、D3的作用是防止電流倒灌。

講的好！

D1、D3用一個就可以了吧！

D2在那里放著,L3怎么給C4充電嗎

類似電路陳傳宇的《電子整流器》一書中有涉及，但都類似BOOST電路，對電解充電。

像這種類似單向LLC的電路很少見。

缺點是RC吸收回路的損耗要加大，MOS損耗也要大.L3和傳輸變壓器的關(guān)系不好設(shè)計。

明白了！

效率好于填谷，但成本高。