反激130W,準(zhǔn)諧振+同步整流方案的充電器電源,最大占空比只有21%,量產(chǎn)會(huì)有問(wèn)題嗎?
考慮到產(chǎn)品空間非常小,且是塑料外殼散熱很差,散熱片面積較小,而功率也達(dá)到了130W, 既要滿足溫升又要縮小空間還要達(dá)到90%效率指標(biāo),采用了NCP1337準(zhǔn)諧振+同步整流的方案,方案做出來(lái)后,溫升除了次級(jí)濾波電容在40度下溫升還有點(diǎn)超標(biāo)外,其他問(wèn)題都解決了.為了降低初級(jí)功率MOS的VDS,我將匝比定在了1:6,次級(jí)用了150V的同步整流MOS,這樣子功率MOS的VDS最大控制在了650V,然而由于過(guò)小的匝比以及工作在斷續(xù)模式,使得在176V輸入,滿載輸出時(shí)的占空比只有21%. 最大占空比應(yīng)該是控制在0.4比較合適吧,我這只有0.21是否可行呢?量產(chǎn)會(huì)出問(wèn)題嗎?請(qǐng)指教!
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@zhengxing0
現(xiàn)在就是想調(diào)整,但是調(diào)整不了啊.....在這種諧振模式下工作,我覺(jué)得應(yīng)該只有增大匝比才能增大占空比吧.但是匝比增大之后帶來(lái)的問(wèn)題是功率MOS的VDS升高,電源的可靠性降低.我也嘗試將匝比增大到1:7和1:8實(shí)驗(yàn)過(guò),占空比增大了,但是不是很明顯,還是0.2X,不到0.3.不知道是否還有其他辦法抬高占空比,或者增大匝比抬高占空比的同時(shí)如何降低VDS.
怎么說(shuō)啊 ，實(shí)在不行就重新設(shè)計(jì)啊。感覺(jué)怎么調(diào)整都不可以啊。
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