做一個伺服電機驅動器，48V，電機額定功率大概200W.

剛開始由于沒有現(xiàn)成的硬件平臺，就借用空調控制器硬件作為開發(fā)平臺，功率器件使用的是IPM，光電編碼器接口外接。

調試中發(fā)現(xiàn)電流波形不是很好，正弦波峰值處會出現(xiàn)下凹。現(xiàn)在換做MOSFET作為功率器件(Layout基本相同)，相同的代碼，正弦波要好很多（下凹減弱）。

哪位能解釋一下，為什么呢？是否是因為IGBT和MOSFET本身的特性引起的？是如何影響的呢？

謝謝