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求助,3842做短路保護時炸機

在做短路保護,用(1)圖電路時,開機滿負載情況下工作一小時后,短路,系統(tǒng)會炸機,改為(2)圖電路后則炸機情況不再出現(xiàn),各位能不能幫忙解釋原因?謝謝 輸入100~260 輸出12V 2A 單路

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winfrey1
LV.6
2
2004-07-23 20:37
作為對大家提出看法的啟發(fā):你是如何想到要加那個電阻的?
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zzrrbb12
LV.2
3
2004-07-24 14:02
@winfrey1
作為對大家提出看法的啟發(fā):你是如何想到要加那個電阻的?
在重復試驗后,用熱吹風給系通增加增加環(huán)境溫度后,做短路保護實驗時就會炸機,在參照比較了一些較傳統(tǒng)的接法后,我是這么想的,放大器用作信號傳輸時都有它的傳輸時間,并不是輸出與輸入同時建立,且它的輸入是高阻(基極輸入),但是它仍需要幾個uA的電流,如圖1所示電路,那么短路時,pin2電位會直接被拉底,速度很快,而圖2則會稍稍延緩pin2的下降時間,而這個時間是不是可能會增加在系統(tǒng)保護瞬間的最大占空比的個數(shù),導致MOSFET電流過大燒毀,出于這個想法,但是我卻不知道是不是怎么提出有力的證據(jù),只能證明這接系統(tǒng)不會炸機:(.
謝謝大家熱心幫助
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hotsps
LV.7
4
2004-07-24 16:53
@zzrrbb12
在重復試驗后,用熱吹風給系通增加增加環(huán)境溫度后,做短路保護實驗時就會炸機,在參照比較了一些較傳統(tǒng)的接法后,我是這么想的,放大器用作信號傳輸時都有它的傳輸時間,并不是輸出與輸入同時建立,且它的輸入是高阻(基極輸入),但是它仍需要幾個uA的電流,如圖1所示電路,那么短路時,pin2電位會直接被拉底,速度很快,而圖2則會稍稍延緩pin2的下降時間,而這個時間是不是可能會增加在系統(tǒng)保護瞬間的最大占空比的個數(shù),導致MOSFET電流過大燒毀,出于這個想法,但是我卻不知道是不是怎么提出有力的證據(jù),只能證明這接系統(tǒng)不會炸機:(.謝謝大家熱心幫助
一般的做法是在短路時降低vc電壓,使芯片工作於間歇震蕩狀態(tài),方法有供電繞主遠離初級,合理選擇供電電壓,或者反饋供電4007慢速管等,用4007的效果不錯,可以一試
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zzrrbb12
LV.2
5
2004-07-24 23:17
@hotsps
一般的做法是在短路時降低vc電壓,使芯片工作於間歇震蕩狀態(tài),方法有供電繞主遠離初級,合理選擇供電電壓,或者反饋供電4007慢速管等,用4007的效果不錯,可以一試
你好,我用的就是降低Vcc的辦法,并且另有Vcc的過壓保護電路,短路保護時,我能保證Vcc工作在間歇振蕩,現(xiàn)在主要是分別用兩家公司的芯片,其中一家的無論怎么短系統(tǒng)都不會炸,而另一家常溫下一切正常短時也不會炸,但在高溫環(huán)境下,一短就炸,我現(xiàn)在必須要找到后者為什么炸的原因,所以我想能知道3842的運放輸入信號應(yīng)但注意些什么,比如說偏置電流或著失調(diào)電壓等的要求?
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macx
LV.4
6
2004-07-25 12:17
首先,你的反饋繞組相位是否反了?在則,光藕輸出的1k去除,2k換成10k,還有,3腳電路是怎樣的?上傳看看.我的油箱:ceeno@163.com
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winfrey1
LV.6
7
2004-07-25 16:48
@zzrrbb12
在重復試驗后,用熱吹風給系通增加增加環(huán)境溫度后,做短路保護實驗時就會炸機,在參照比較了一些較傳統(tǒng)的接法后,我是這么想的,放大器用作信號傳輸時都有它的傳輸時間,并不是輸出與輸入同時建立,且它的輸入是高阻(基極輸入),但是它仍需要幾個uA的電流,如圖1所示電路,那么短路時,pin2電位會直接被拉底,速度很快,而圖2則會稍稍延緩pin2的下降時間,而這個時間是不是可能會增加在系統(tǒng)保護瞬間的最大占空比的個數(shù),導致MOSFET電流過大燒毀,出于這個想法,但是我卻不知道是不是怎么提出有力的證據(jù),只能證明這接系統(tǒng)不會炸機:(.謝謝大家熱心幫助
就我所知, 2腳電位應(yīng)總是保持2.5V的,因工作在放大狀態(tài).
從你的分析, 因該R引入的時間差似乎更可能使2炸機,

另,小弟剛上路.能否告訴炸機究竟是那個零件被炸引起的?
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zzrrbb12
LV.2
8
2004-07-25 20:11
@winfrey1
就我所知,2腳電位應(yīng)總是保持2.5V的,因工作在放大狀態(tài).從你的分析,因該R引入的時間差似乎更可能使2炸機,另,小弟剛上路.能否告訴炸機究竟是那個零件被炸引起的?
當系統(tǒng)正常工作時,2腳是2.5V時,但是當短保護時,由于光耦中電流為零,2腳會被拉低(運放本身提供最大電流只有800uA),comp腳輸出最大值,炸機(此時系統(tǒng)應(yīng)是工作在連續(xù)模式)我認為給公司芯片的相應(yīng)時間不一樣,由于短路瞬間連續(xù)幾個最大占空比導致mosfet中電流一直疊加上去引起燒機,但是還沒有證明是否這樣解釋正確.
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2004-07-26 20:18
@zzrrbb12
當系統(tǒng)正常工作時,2腳是2.5V時,但是當短保護時,由于光耦中電流為零,2腳會被拉低(運放本身提供最大電流只有800uA),comp腳輸出最大值,炸機(此時系統(tǒng)應(yīng)是工作在連續(xù)模式)我認為給公司芯片的相應(yīng)時間不一樣,由于短路瞬間連續(xù)幾個最大占空比導致mosfet中電流一直疊加上去引起燒機,但是還沒有證明是否這樣解釋正確.
IC的Pin8,你是否對地接了電容?
比較爛的IC,短路保護時,Pin8電壓不穩(wěn),導致振蕩頻率變異,引起炸機!
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zzrrbb12
LV.2
10
2004-07-26 20:59
@碧海銀沙
IC的Pin8,你是否對地接了電容?比較爛的IC,短路保護時,Pin8電壓不穩(wěn),導致振蕩頻率變異,引起炸機!
你講的是Vref吧,我用示波器監(jiān)視過得,是比較穩(wěn)的,不過我確實沒有加電容,你懷疑是Vref變掉,能告知你認為它怎么影響振蕩頻率嗎?是導致充電時間突變嗎?
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2004-07-26 21:24
@zzrrbb12
你講的是Vref吧,我用示波器監(jiān)視過得,是比較穩(wěn)的,不過我確實沒有加電容,你懷疑是Vref變掉,能告知你認為它怎么影響振蕩頻率嗎?是導致充電時間突變嗎?
先說明一下,比較爛的IC有此種現(xiàn)象!
我們最近吃過虧的,一天炸了200多臺.并電容之后,就好了!具體原因我們也沒有弄清楚.
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zzrrbb12
LV.2
12
2004-07-27 10:14
@碧海銀沙
先說明一下,比較爛的IC有此種現(xiàn)象!我們最近吃過虧的,一天炸了200多臺.并電容之后,就好了!具體原因我們也沒有弄清楚.
你好,那電容加多大呢?102可以嗎?
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dmag
LV.4
13
2004-07-27 12:52
@zzrrbb12
你好,那電容加多大呢?102可以嗎?
可以但旁路電容不易太大
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2004-07-27 18:34
@zzrrbb12
你好,那電容加多大呢?102可以嗎?
我們用104的!
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winfrey1
LV.6
15
2004-07-28 17:43
@碧海銀沙
我們用104的!
有見過類似的用104的電路
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zzrrbb12
LV.2
16
2004-07-28 23:02
@winfrey1
有見過類似的用104的電路
謝謝大家?guī)兔?現(xiàn)在我基本上找到原因了,是運放的sink電流能力太小,在高溫時會更小,但是我還沒有想明白sink電流是如何影響系統(tǒng)的:(
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dragon
LV.5
17
2004-07-28 23:22
1,2腳之間直接接電阻?豈不降低了直流放大倍數(shù)?沒見過.
如果3842在短路時打嗝的話,就好辦.這時候會燒機通常是由于Ip失控造成,可能是第3腳對電流延遲太長,或IC本身有個lead time blink過長,請看一下短路或是開機時的Ip是不是太大,處于失控.另一種可能是占空比沒有因為輸出短路而減小,反而增大,頻率也亂.總之是Ip失控太大燒掉開關(guān)管.
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晶體管
LV.4
18
2007-01-05 23:31
@zzrrbb12
在重復試驗后,用熱吹風給系通增加增加環(huán)境溫度后,做短路保護實驗時就會炸機,在參照比較了一些較傳統(tǒng)的接法后,我是這么想的,放大器用作信號傳輸時都有它的傳輸時間,并不是輸出與輸入同時建立,且它的輸入是高阻(基極輸入),但是它仍需要幾個uA的電流,如圖1所示電路,那么短路時,pin2電位會直接被拉底,速度很快,而圖2則會稍稍延緩pin2的下降時間,而這個時間是不是可能會增加在系統(tǒng)保護瞬間的最大占空比的個數(shù),導致MOSFET電流過大燒毀,出于這個想法,但是我卻不知道是不是怎么提出有力的證據(jù),只能證明這接系統(tǒng)不會炸機:(.謝謝大家熱心幫助
倒底是圖一容易炸機還是圖二呀?聽了你這個解釋我有些一頭霧水了.
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李紹波
LV.9
19
2007-01-06 10:17
圖二等于是降低了放大倍數(shù),,,負載調(diào)整率也沒有圖一的好..
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smps
LV.6
20
2007-01-16 12:23
我的理解是:圖中的RC的R變小,積分轉(zhuǎn)折頻率變大了,BW大了,響應(yīng)速度快了,
短路積累的能量小了,所以就不炸了.
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