圖片傳好了，樓上的高手，幫忙分析一下！

漏感大，關(guān)斷電壓大；線圈電容大，電流尖峰大！

其實(shí)這個(gè)測(cè)試的主要目的是，若是在電路中串聯(lián)LC諧振，那么這個(gè)電容Cp便與LC串聯(lián)諧振構(gòu)成了LCC串并聯(lián)諧振了，LC串聯(lián)諧振與LCC串并聯(lián)諧振的性質(zhì)是不是完全變了？若不知道這個(gè)電容的大小，如何去分析電路的LCC呢？

現(xiàn)在關(guān)鍵問題是，以上步驟測(cè)試出來的線圈電容在整個(gè)拓?fù)洚?dāng)中扮演著什么角色。

實(shí)際上這個(gè)變壓器是分段分層繞制，現(xiàn)根據(jù)上面開貼的方法測(cè)出來的是10段串起來的總線圈電容，而實(shí)際上是要10個(gè)段分別接硅堆整流，然后再串聯(lián)。那么，又有一個(gè)問題，10個(gè)段全串起來的線圈電容與10個(gè)段分別接硅堆整流再串起來的線圈電容在變壓器中的模態(tài)是否一樣呢？

試驗(yàn)波形是很漂亮的，如圖，但請(qǐng)注意，這個(gè)時(shí)候不是將10個(gè)段串起來然后用一個(gè)硅堆整流，而是將10個(gè)段分別有一個(gè)硅堆整流然后再將10個(gè)硅堆整流的電壓串起來后接濾波電容和負(fù)載，如圖，初級(jí)電流和電壓：

根據(jù)開貼所說的測(cè)試方法，我假定是漏感和線圈電容諧振，那么算出來的線圈電容這算到原方后大概是1uF，那么問題又來了，如果用1uF的電容并在變壓器的原方，肯定出不來這個(gè)波形，難道這個(gè)折算到原方的線圈電容在有硅堆串聯(lián)和無硅堆串聯(lián)是兩種完全不同的情況？又是怎么個(gè)不同法呢？實(shí)際是應(yīng)該算沒硅堆的還是有硅堆的呢？

我覺得是否我們?cè)偃亓?xí)一下LCC的內(nèi)容。

第2個(gè)C是指次級(jí)濾波等效電容折算到初級(jí)的電容，應(yīng)該非常大，在計(jì)算諧振頻率時(shí)幾乎可不考慮。并非是線圈電容大，電流尖峰大！。線圈電容主要是對(duì)初次級(jí)的干擾傳遞起作用。

分段繞制每段中串二極管一般用于小功率高壓中，比如電視機(jī)高壓包，與你開題說的大功率高壓不同。一般用于反激式電路，大功率一般是全橋或半橋電路，必然不能分段串二極管。但可以分段整流濾波后再串聯(lián)。在分析中次級(jí)的二極管只相當(dāng)于一個(gè)小電阻，可簡(jiǎn)單忽略或歸入衰減電阻。

LCC這個(gè)話題太大，暫且路過。

btma團(tuán)長(zhǎng)說，“大功率一般是全橋或半橋電路，必然不能分段串二極管”，這句話我需要問清楚，團(tuán)長(zhǎng)的意思是說，“每個(gè)段分別用一個(gè)橋整流后，再串聯(lián)，再濾波”這種做法行不通？

便于理解，現(xiàn)將其圖形化： 

比較左右兩種方法，區(qū)別在于一個(gè)只有一個(gè)電容，另一個(gè)電容會(huì)分作幾個(gè)，這有什么區(qū)別嗎？

我說的是串二極管，就象電視高壓包的方式，在線圈間串二極管，是單向驅(qū)動(dòng)的，并不是串全橋。

從原理上說，左圖可以工作，但還真沒見過這樣的用法，這樣設(shè)計(jì)的意圖是什么？而且3組繞組的整流充電路徑和絕緣都不相同，工藝會(huì)比較麻煩。一般來說，相同條件下二極管的耐壓容易提高，大容量的電容耐壓不容易提高，所以右圖常見。2種電路原理上都可行，但器件、工藝上差別大。

典型電路可以參考雪大師的帖子：

http://bbs.dianyuan.com/topic/738596

先說聲謝謝。

最后一個(gè)疑問，雪大師的第3種電路，也就是上面的第二個(gè)電路圖，折算到原方的電容怎么算？

不是這個(gè)意思，折算到原方肯定是變比的平方。

我的意思是說，比如說我次級(jí)有10個(gè)繞組，然后每個(gè)繞組都有一個(gè)整流橋，那10個(gè)繞組的線圈電容是串聯(lián)？還是并聯(lián)？再折算到原方？

不知道這樣問是否夠清楚！

每個(gè)單獨(dú)輸出在串聯(lián)？？

清楚了，你問的是線圈分布電容，那是比較復(fù)雜的問題，既有初次級(jí)線圈間的分布電容，也有次級(jí)不同線圈層間的分布電容，還有對(duì)地的分布電容，精細(xì)計(jì)算太復(fù)雜，一般我們就采取大概的等效。

若要折算到原邊，主要是并聯(lián)關(guān)系，與次級(jí)實(shí)際電容乘變比平方比較，工藝好的話可忽略不計(jì)。但分布電容對(duì)EMI影響較大，工藝差的也許都不能正常工作。

哦對(duì)，我可能表達(dá)不清楚，我說的是分布電容。

但還是不是我要的答案。

匝間、層間、繞組間以及雜散電容（對(duì)磁芯的分布電容，原方到次級(jí)的耦合電容，對(duì)地的分布電容（也就是對(duì)接地外殼）），折算到原方是集總電容Cp，如圖，這是最經(jīng)典的分析變壓器的等效模型，相信都知道：

若只有一個(gè)繞組，上圖可以準(zhǔn)確描述了。

但若有多個(gè)繞組，這個(gè)折算的情況是如何的呢？現(xiàn)在關(guān)鍵的是多個(gè)繞組是通過硅堆串起來的，如圖，以三個(gè)繞組為例，Cs表示每一個(gè)繞組的分布電容：

Cp = n2 （Cs1//Cs2//Cs3）？？？？？？

不知我這樣表達(dá)是否夠清楚？

因?yàn)槭谴蠊β矢邏狠敵觯儔浩鞯淖儽群艽螅敲碈s必然是不能忽略的。所以必然要知道Cs的大小。否則，它再跟漏感諧振，豈不成了并聯(lián)諧振？

再問，若只有一個(gè)繞組，測(cè)Cs倒是比較好，若是幾個(gè)繞組，每一個(gè)繞組的Cs1、Cs2、Cs3又要怎么測(cè)呢？

或許我問的這些問題都是多余的，其實(shí)根本不用考慮這個(gè)，但還是想一探究竟。

希望得到大家的幫助。

公式

這顯然是變壓器漏感和變壓器集中分布電容的諧振，從波形看，分布電容折算到原邊約為1uF，很有點(diǎn)大哦