你可以改變一下RCD吸收回路的參數,盡量將MOS上的尖峰電壓降低.
因為變壓器的漏感和匝間寄生電容不一至,導致一會有小部分尖峰電
壓超過MOS的能夠承受的電壓,從而發生MOS擊穿而形成的炸機現象.

改了沒有用,并且我測試過VDS波形正常,我一直懷疑變壓器有問題但一直沒有理論依據,因為修好的機重新老化一直沒有問題,郁悶

這樣有可能是貴司的生產上有問題了,散熱片和MOS沒有鎖好.造成MOS熱崩潰了,你把燒掉的元件換新得裝上去后鎖緊了,
自然不會炸了!
任何產品都不會出現沒有原因的不良品.

沒有散熱片,不存在此現象,我用的開關管是13003(ST),在設計階段我用380V老化過都沒有問題

我也很關心這個問題!

國人的RCC是經常性的炸機,估計你要重新弄變壓器

我不認為國外的RCC電路比國內的強,只是你的老板把公司的定位太低,或者開發工程師的水平太低,現在我的產品炸機是在300Vac輸入時老化才會有并且也只有千分之六的不良,264Vac老化沒有出現不良,因為是一上電時就炸,不能通過一些小批量生產來找到問題

你設計是多高電壓到多高電壓的功率有多大啊,能把電路傳上到看看撤

說明還是吸收問題麻!因為在300AC檢測的管子受高壓是不一樣的.
如果有吸收部分的圖紙和元件參數的話,可以一目了然.

我認為是元器件質量問題.

帖上圖幫你解決

我公司目前并不做rcc,同意老鐸意見,改吸收或換電壓高一點的管子.

是典型RCC電路,輸出功率只有2W左右,實測開關管的峰值電壓只有600V左右,管子的耐壓是700V的,如果是管子的問那也不會把保險絲給炸開呀,我一直找不到為什么會這樣?

你能把你變壓器參數show上嗎?o/p?

NP:0.13/195T   NF:0.2/12 NS:0.3/13T我的低端頻率是60K.高端頻率有120K呀,所以高端炸機才郁悶,O/P才5V400呀,我的EMI余量太的很生產都有10多個db的余量

貼上圖大家沒有解決不了的事,各人在這方面都有過經歷.不同的圖要用不同的方法.無圖誰也說不準確.

把圖紙貼上來看看吧,重新修好就不炸的原因很多了,主要是不穩定,VDS要抓開機瞬間的尖峰值.

比率太小,正常的波形沒有發現問題,不正常的無法找到.我己經看了無數次波形了

MOSFET波形有沒有飽和, 計算一下ON/OFF的伏秒數有沒有平衡,能不能捕獲B-H曲線

減小占空比

還有個辦法,可以改一下輸出整流管兩端的RC吸收回路參數,同樣可以降低MOS 兩端尖峰電壓.