mosfet的DS波形(全帶寬)1145244776.tif

mosfet的DS波形(20M 帶寬)1145244867.tif

mosfet的驅動波形(10uS)1145244975.tif

mosfet的驅動波形(200nS)1145245053.tif

mosfet的DS波形(全帶寬)500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/40/1145245401.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

mosfet的DS波形(20M 帶寬)500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/40/1145245469.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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可以看出DS波形在全帶寬和20M帶寬有一些區別,主要是在開通的瞬間有一個很深的拖影,看好象是驅動電流過大的原因,可以增大其驅動電阻,但是mosfet很熱!!

看200nS的驅動波形,明顯出現好幾個臺階,看起來好象驅動電流不足!!但是與前面的分析相反!!我用的是1n60c(1A,600V)mosfet!
兩種分析不知哪個是對的!!請各位大俠指點一下!!

主要為驅動波形看起來讓人費解!!!

有一個臺階是miller effect

第一個臺階為什么上升后又下降!!

Vds開通的瞬間為什么會有66V的拖影(全帶寬),加大驅動電阻可以明顯減小甚至沒有拖影.

就是這個臺階是miller effect

Vds開通的瞬間為什么會有66V的拖影(全帶寬),加大驅動電阻可以明顯減小甚至沒有拖影. 還有真的是帶寬的問題嗎?

拖影的原因是振蕩!
加大了沒有是因為振蕩消失了
限制帶寬了就沒有,是因為振蕩的頻率比較高,所以

朋友,減小變壓器的漏感就行,試試看!

我也一直懷疑是漏感偏大的原因,但沒有辦法解釋,不知為何漏感會影響!!

不知你的電源其它性能如何

關注ING

從GS波形來看,是驅動能力不足,在上升沿振蕩了;
但是再結合DS波形看,二者占空比差很多,所以主要問題是沒有能控制MOSFET關斷.
接個GS、DS雙蹤波形看看?

實際上占空比是一致的,我核對了一遍,只是我傳的圖不是同一個電壓點而已!!改小驅動電阻,減小振蕩不很明顯!你說的"沒能控制mosfet關斷"我不是很理解,能否解釋一下!

你回答的太籠統!有沒有一個解釋,為何會影響其振蕩!?

做了一些評估!沒有什么問題!但總是對這波形不理解,所以有些擔心!!

同意你的說法,同時我還認為,次級漏感引起的反射電壓在導通瞬間疊加上去,形成如此拖影.

值得學習  關注!

寄生電感和輸入電容發生振蕩,電阻的作用在于吸收振蕩的能量(阻尼而已).另外看你的驅動波形,我認為驅動不足.

從第一張FET的VDS波形圖看可知1.是在輸入電壓相對較高時所測的.2.該波形特性是MOSFET的DS兩端等效結電容與變壓器等效電感(包括變壓器漏感)諧振所形成的.3.第三張是FET的驅動波形.4.從第一、二張看FET的VDS電壓波形可知FET工作很正常.5.適當調整工作頻率可讓其工作在軟開關狀態.

關注中,占個位置~